✖MOSFET मधील गतिशीलता विद्युत क्षेत्राद्वारे खेचल्यावर, धातू किंवा अर्धसंवाहकाद्वारे द्रुतपणे हलविण्याच्या इलेक्ट्रॉनच्या क्षमतेवर आधारित परिभाषित केली जाते.ⓘ MOSFET मध्ये गतिशीलता [μeff] | | | +10% -10% |
✖फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टरच्या गेट टर्मिनलची कॅपेसिटन्स म्हणून गेट ऑक्साइड लेयरची कॅपेसिटन्स परिभाषित केली जाते.ⓘ गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता [Cox] | | | +10% -10% |