MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
Transconductance = ड्रेन करंट मध्ये बदल/गेट-स्रोत व्होल्टेज
gm = ΔId/Vgs
हे सूत्र 3 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
Transconductance - (मध्ये मोजली सीमेन्स) - गेट-स्रोत व्होल्टेज स्थिर ठेवून इनपुट व्होल्टेजमधील बदल आणि आउटपुट करंटमधील बदलाचे गुणोत्तर म्हणून ट्रान्सकंडक्टन्सची व्याख्या केली जाते.
ड्रेन करंट मध्ये बदल - (मध्ये मोजली अँपिअर) - ड्रेन करंटमधील बदल सिलिकॉन चिपच्या वर्तमान वहन क्षमतेतील बदल दर्शवते; वेगवेगळ्या उपकरणांची तुलना करताना ते मार्गदर्शक म्हणून वापरले जाऊ शकते.
गेट-स्रोत व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - गेट-स्रोत व्होल्टेज हे एक गंभीर पॅरामीटर आहे जे FET च्या ऑपरेशनवर परिणाम करते आणि ते सहसा डिव्हाइसचे वर्तन नियंत्रित करण्यासाठी वापरले जाते.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
ड्रेन करंट मध्ये बदल: 2 मिलीअँपिअर --> 0.002 अँपिअर (रूपांतरण तपासा ​येथे)
गेट-स्रोत व्होल्टेज: 4 व्होल्ट --> 4 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
gm = ΔId/Vgs --> 0.002/4
मूल्यांकन करत आहे ... ...
gm = 0.0005
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
0.0005 सीमेन्स -->0.5 मिलिसीमेन्स (रूपांतरण तपासा ​येथे)
अंतिम उत्तर
0.5 मिलिसीमेन्स <-- Transconductance
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित पायल प्रिया
बिरसा तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान संस्था (बिट), सिंदरी
पायल प्रिया यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 600+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित प्रल्हाद सिंग
जयपूर अभियांत्रिकी महाविद्यालय व संशोधन केंद्र (जेईसीआरसी), जयपूर
प्रल्हाद सिंग यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 10+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

16 Transconductance कॅल्क्युलेटर

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स प्रोसेस ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर वापरून
​ जा प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = Transconductance/(प्रसर गुणोत्तर*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज))
Transconductance दिलेला प्रक्रिया Transconductance पॅरामीटर
​ जा Transconductance = प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)
ड्रेन करंट दिलेला ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा Transconductance = sqrt(2*प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*ड्रेन करंट)
प्रोसेस ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर आणि ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज वापरून MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = Transconductance/(प्रसर गुणोत्तर*ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज)
प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर आणि ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज वापरून ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा Transconductance = प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज
निचरा वर्तमान दिलेली प्रक्रिया transconductance आणि transconductance
​ जा ड्रेन करंट = Transconductance^2/(2*प्रसर गुणोत्तर*प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर)
ट्रान्सकंडक्टन्स आणि ड्रेन करंट दिलेली प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = Transconductance^2/(2*प्रसर गुणोत्तर*ड्रेन करंट)
MOSFET Transconductance दिलेले Transconductance पॅरामीटर
​ जा Transconductance = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*(गेट-स्रोत व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)
MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर प्रोसेस ट्रान्सकंडक्टन्स वापरून
​ जा ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर
Transconductance वर शरीर प्रभाव
​ जा बॉडी ट्रान्सकंडक्टन्स = थ्रेशोल्डमध्ये बेस व्होल्टेजमध्ये बदल*Transconductance
ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज दिलेला MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा Transconductance = ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज
MOSFET चे प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर
​ जा ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = Transconductance/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज
बॅक गेट ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा बॅक गेट ट्रान्सकंडक्टन्स = Transconductance*व्होल्टेज कार्यक्षमता
MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा Transconductance = ड्रेन करंट मध्ये बदल/गेट-स्रोत व्होल्टेज
Transconductance वापरून प्रवाह काढून टाका
​ जा ड्रेन करंट = (ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज)*Transconductance/2
MOSFET मध्ये ट्रान्सकंडक्टन्स
​ जा Transconductance = (2*ड्रेन करंट)/ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज

MOSFET ट्रान्सकंडक्टन्स सुत्र

Transconductance = ड्रेन करंट मध्ये बदल/गेट-स्रोत व्होल्टेज
gm = ΔId/Vgs

एमओएसएफईटीमध्ये ट्रान्सकंडक्टन्सचा उपयोग काय आहे?

ट्रान्सकंडक्टन्स एक द्विध्रुवीय ट्रान्झिस्टर किंवा फील्ड-इफेक्ट ट्रान्झिस्टर (एफईटी) च्या कामगिरीची अभिव्यक्ती आहे. सर्वसाधारणपणे, डिव्हाइससाठी ट्रान्सकंडक्टन्सची संख्या जितकी मोठी असते तितके जास्त प्रमाणात (प्रवर्धन) ते वितरीत करण्यास सक्षम असते, जेव्हा इतर सर्व घटक स्थिर असतात.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!