एकूण स्त्रोत परजीवी कॅपेसिटन्स कॅल्क्युलेटर

✖जंक्शन ऑफ बॉडी आणि सोर्स मधील कॅपेसिटन्सची व्याख्या बॉडीच्या जंक्शन आणि MOSFET च्या स्त्रोत जंक्शनमधील कॅपेसिटन्स म्हणून केली जाते.ⓘ शरीर आणि स्त्रोताच्या जंक्शनमधील क्षमता [C_jbs]			+10% -10%
✖स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र म्हणजे जास्त एकाग्रतेच्या प्रदेशापासून स्त्रोत गेटमधील कमी एकाग्रतेच्या क्षेत्रापर्यंत कोणत्याही गोष्टीची शुद्ध हालचाल म्हणून परिभाषित केले जाते.ⓘ स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र [A_s]			+10% -10%
✖जंक्शन ऑफ बॉडी आणि साइड वॉल मधील कॅपेसिटन्स ही परजीवी कॅपेसिटन्स आहे जी सर्किटच्या कार्यक्षमतेवर परिणाम करू शकते.ⓘ शरीराच्या जंक्शन आणि बाजूच्या भिंतीमधील क्षमता [C_bsw]			+10% -10%
✖स्त्रोत प्रसाराचा साइडवॉल परिमिती स्त्रोत प्रसाराचा परिमिती म्हणून परिभाषित केला जातो ज्यामध्ये गेट अंतर्गत किनार समाविष्ट नाही.ⓘ स्त्रोत प्रसाराची साइडवॉल परिमिती [P_s]			+10% -10%

✖स्त्रोत परजीवी कॅपेसिटन्स ही एक अपरिहार्य आणि सामान्यतः अवांछित कॅपेसिटन्स आहे.ⓘ एकूण स्त्रोत परजीवी कॅपेसिटन्स [C_sop]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

एकूण स्त्रोत परजीवी कॅपेसिटन्स

सुत्र

`"C"_{"sop"} = ("C"_{"jbs"}*"A"_{"s"})+("C"_{"bsw"}*"P"_{"s"})`

उदाहरण

`"0.418966μF/mm²"=("76.46μF/mm²"*"5479mm²")+("0.1391μF/mm"*"301.64mm")`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा इलेक्ट्रॉनिक्स सुत्र PDF PDF Image

एकूण स्त्रोत परजीवी कॅपेसिटन्स उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

स्त्रोत परजीवी क्षमता = (शरीर आणि स्त्रोताच्या जंक्शनमधील क्षमता*स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र)+(शरीराच्या जंक्शन आणि बाजूच्या भिंतीमधील क्षमता*स्त्रोत प्रसाराची साइडवॉल परिमिती)
C_sop = (C_jbs*A_s)+(C_bsw*P_s)
हे सूत्र 5 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

स्त्रोत परजीवी क्षमता - (मध्ये मोजली फराड प्रति चौरस मीटर) - स्त्रोत परजीवी कॅपेसिटन्स ही एक अपरिहार्य आणि सामान्यतः अवांछित कॅपेसिटन्स आहे.
शरीर आणि स्त्रोताच्या जंक्शनमधील क्षमता - (मध्ये मोजली फराड प्रति चौरस मीटर) - जंक्शन ऑफ बॉडी आणि सोर्स मधील कॅपेसिटन्सची व्याख्या बॉडीच्या जंक्शन आणि MOSFET च्या स्त्रोत जंक्शनमधील कॅपेसिटन्स म्हणून केली जाते.
स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र - (मध्ये मोजली चौरस मीटर) - स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र म्हणजे जास्त एकाग्रतेच्या प्रदेशापासून स्त्रोत गेटमधील कमी एकाग्रतेच्या क्षेत्रापर्यंत कोणत्याही गोष्टीची शुद्ध हालचाल म्हणून परिभाषित केले जाते.
शरीराच्या जंक्शन आणि बाजूच्या भिंतीमधील क्षमता - (मध्ये मोजली फॅराड प्रति मीटर) - जंक्शन ऑफ बॉडी आणि साइड वॉल मधील कॅपेसिटन्स ही परजीवी कॅपेसिटन्स आहे जी सर्किटच्या कार्यक्षमतेवर परिणाम करू शकते.
स्त्रोत प्रसाराची साइडवॉल परिमिती - (मध्ये मोजली मीटर) - स्त्रोत प्रसाराचा साइडवॉल परिमिती स्त्रोत प्रसाराचा परिमिती म्हणून परिभाषित केला जातो ज्यामध्ये गेट अंतर्गत किनार समाविष्ट नाही.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

शरीर आणि स्त्रोताच्या जंक्शनमधील क्षमता: 76.46 मायक्रोफरॅड प्रति चौरस मिलिमीटर --> 76.46 फराड प्रति चौरस मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र: 5479 चौरस मिलिमीटर --> 0.005479 चौरस मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
शरीराच्या जंक्शन आणि बाजूच्या भिंतीमधील क्षमता: 0.1391 मायक्रोफरॅड प्रति मिलीमीटर --> 0.0001391 फॅराड प्रति मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
स्त्रोत प्रसाराची साइडवॉल परिमिती: 301.64 मिलिमीटर --> 0.30164 मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

C_sop = (C_jbs*A_s)+(C_bsw*P_s) --> (76.46*0.005479)+(0.0001391*0.30164)

मूल्यांकन करत आहे ... ...

C_sop = 0.418966298124

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

0.418966298124 फराड प्रति चौरस मीटर -->0.418966298124 मायक्रोफरॅड प्रति चौरस मिलिमीटर (रूपांतरण तपासा येथे)

अंतिम उत्तर

0.418966298124 ≈ 0.418966 मायक्रोफरॅड प्रति चौरस मिलिमीटर <-- स्त्रोत परजीवी क्षमता

(गणना 00.020 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » व्हीएलएसआय फॅब्रिकेशन » VLSI मटेरियल ऑप्टिमायझेशन » एकूण स्त्रोत परजीवी कॅपेसिटन्स

जमा

ने निर्मित शोभित दिमरी

बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान (बीटीकेआयटी), द्वाराहाट

शोभित दिमरी यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 900+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड

विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद

उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 25 VLSI मटेरियल ऑप्टिमायझेशन कॅल्क्युलेटर

बल्क डिप्लीशन रिजन चार्ज डेन्सिटी VLSI

जा बल्क डिप्लीशन क्षेत्र चार्ज घनता = -(1-((स्त्रोतासह क्षीणता क्षेत्राची बाजूकडील विस्तार+नाल्यासह क्षीणता प्रदेशाचा पार्श्व विस्तार)/(2*चॅनेलची लांबी)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*स्वीकारणारा एकाग्रता*abs(2*पृष्ठभाग संभाव्य))

शरीर प्रभाव गुणांक

जा शरीर प्रभाव गुणांक = modulus((थ्रेशोल्ड व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज DIBL)/(sqrt(पृष्ठभाग संभाव्य+(स्त्रोत शरीर संभाव्य फरक))-sqrt(पृष्ठभाग संभाव्य)))

स्रोत VLSI सह PN जंक्शन डिप्लेशन डेप्थ

जा स्रोतासह Pn जंक्शन डिप्लेशन डेप्थ = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*जंक्शन अंगभूत व्होल्टेज)/([Charge-e]*स्वीकारणारा एकाग्रता))

जंक्शन अंगभूत व्होल्टेज VLSI

जा जंक्शन अंगभूत व्होल्टेज = ([BoltZ]*तापमान/[Charge-e])*ln(स्वीकारणारा एकाग्रता*दात्याची एकाग्रता/(आंतरिक एकाग्रता)^2)

एकूण स्त्रोत परजीवी कॅपेसिटन्स

जा स्त्रोत परजीवी क्षमता = (शरीर आणि स्त्रोताच्या जंक्शनमधील क्षमता*स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र)+(शरीराच्या जंक्शन आणि बाजूच्या भिंतीमधील क्षमता*स्त्रोत प्रसाराची साइडवॉल परिमिती)

लहान चॅनल संपृक्तता वर्तमान VLSI

जा लहान चॅनेल संपृक्तता वर्तमान = चॅनेल रुंदी*संपृक्तता इलेक्ट्रॉन ड्रिफ्ट वेग*प्रति युनिट क्षेत्रफळ ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*संपृक्तता ड्रेन स्त्रोत व्होल्टेज

जंक्शन करंट

जा जंक्शन चालू = (स्थिर शक्ती/बेस कलेक्टर व्होल्टेज)-(उप थ्रेशोल्ड वर्तमान+वाद चालू+गेट करंट)

पृष्ठभाग संभाव्य

जा पृष्ठभाग संभाव्य = 2*स्त्रोत शरीर संभाव्य फरक*ln(स्वीकारणारा एकाग्रता/आंतरिक एकाग्रता)

DIBL गुणांक

जा DIBL गुणांक = (थ्रेशोल्ड व्होल्टेज DIBL-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)/स्त्रोत संभाव्यतेसाठी निचरा

थ्रेशोल्ड व्होल्टेज जेव्हा स्त्रोत शरीराच्या संभाव्यतेवर असतो

जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज DIBL = DIBL गुणांक*स्त्रोत संभाव्यतेसाठी निचरा+थ्रेशोल्ड व्होल्टेज

थ्रेशोल्ड व्होल्टेज

जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज = गेट टू चॅनल व्होल्टेज-(चॅनल चार्ज/गेट कॅपेसिटन्स)

गेट कॅपेसिटन्स

जा गेट कॅपेसिटन्स = चॅनल चार्ज/(गेट टू चॅनल व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

चॅनेल शुल्क

जा चॅनल चार्ज = गेट कॅपेसिटन्स*(गेट टू चॅनल व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

पूर्ण स्केलिंग VLSI नंतर ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

जा पूर्ण स्केलिंग नंतर ऑक्साइड कॅपेसिटन्स = प्रति युनिट क्षेत्रफळ ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*स्केलिंग फॅक्टर

गेट ऑक्साइड कॅपेसिटन्स वापरून गेटची लांबी

जा गेटची लांबी = गेट कॅपेसिटन्स/(गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता*गेट रुंदी)

गेट ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

जा गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता = गेट कॅपेसिटन्स/(गेट रुंदी*गेटची लांबी)

सबथ्रेशोल्ड उतार

जा उप थ्रेशोल्ड उतार = स्त्रोत शरीर संभाव्य फरक*DIBL गुणांक*ln(10)

गंभीर व्होल्टेज

जा गंभीर व्होल्टेज = गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड*चॅनल लांबी ओलांडून इलेक्ट्रिक फील्ड

पूर्ण स्केलिंग VLSI नंतर गेट ऑक्साईडची जाडी

जा पूर्ण स्केलिंग नंतर गेट ऑक्साईड जाडी = गेट ऑक्साईड जाडी/स्केलिंग फॅक्टर

आंतरिक गेट कॅपेसिटन्स

जा एमओएस गेट ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स = एमओएस गेट कॅपेसिटन्स*संक्रमण रुंदी

पूर्ण स्केलिंग VLSI नंतर चॅनेलची लांबी

जा पूर्ण स्केलिंग नंतर चॅनेलची लांबी = चॅनेलची लांबी/स्केलिंग फॅक्टर

पूर्ण स्केलिंग VLSI नंतर जंक्शन डेप्थ

जा पूर्ण स्केलिंग नंतर जंक्शन खोली = जंक्शन खोली/स्केलिंग फॅक्टर

पूर्ण स्केलिंग VLSI नंतर चॅनल रुंदी

जा पूर्ण स्केलिंग नंतर चॅनेल रुंदी = चॅनेल रुंदी/स्केलिंग फॅक्टर

मोसफेटमध्ये गतिशीलता

जा MOSFET मध्ये गतिशीलता = के प्राइम/गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता

के-प्राइम

जा के प्राइम = MOSFET मध्ये गतिशीलता*गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता

एकूण स्त्रोत परजीवी कॅपेसिटन्स सुत्र

एमओएस डिफ्यूजन कॅपेसिटन्स मॉडेल काय आहे?

स्रोत प्रसार आणि शरीर यांच्यातील p–n जंक्शन संपूर्ण क्षय प्रदेशात परजीवी कॅपेसिटन्समध्ये योगदान देते. कॅपॅसिटन्स स्त्रोत प्रसार क्षेत्राचे क्षेत्र AS आणि साइडवॉल परिमिती PS या दोन्हींवर अवलंबून असते. भूमिती आकृती 2.12 मध्ये स्पष्ट केली आहे. क्षेत्रफळ AS = WD आहे. परिमिती PS = 2W 2D आहे. या परिमितीपैकी, W चॅनेल बंद करतो आणि उर्वरित W 2D नाही.

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!