पीएनपी ट्रान्झिस्टरचा संक्रमण वेळ कॅल्क्युलेटर

✖पायाची रुंदी हा ट्रान्झिस्टरच्या वैशिष्ट्यांवर परिणाम करणारा एक महत्त्वाचा पॅरामीटर आहे, विशेषत: त्याच्या ऑपरेशन आणि गतीच्या बाबतीत.ⓘ पाया रुंदी [W_b]			+10% -10%
✖डिफ्यूजन कॉन्स्टंट फॉर पीएनपी हे इलेक्ट्रिक फील्ड लागू केल्यावर हे अल्पसंख्याक वाहक अर्धसंवाहक सामग्रीमधून किती सहजपणे पसरतात याचे वर्णन करते.ⓘ PNP साठी प्रसार स्थिरांक [D_p]			+10% -10%

✖ट्रान्झिस्टरमधील संक्रमण वेळ महत्त्वपूर्ण आहे कारण ते ट्रान्झिस्टर प्रभावीपणे कार्य करू शकणारी कमाल वारंवारता निर्धारित करते.ⓘ पीएनपी ट्रान्झिस्टरचा संक्रमण वेळ [τ_f]

⎘ कॉपी

👎

सुत्र

✖

पीएनपी ट्रान्झिस्टरचा संक्रमण वेळ

सुत्र

`"τ"_{"f"} = "W"_{"b"}^2/(2*"D"_{"p"})`

उदाहरण

`"0.32s"=("8cm")^2/(2*"100cm²/s")`

कॅल्क्युलेटर

LaTeX

रीसेट करा

👍

डाउनलोड करा MOSFET सुत्र PDF PDF Image

पीएनपी ट्रान्झिस्टरचा संक्रमण वेळ उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश

फॉर्म्युला वापरले जाते

संक्रमण वेळ = पाया रुंदी^2/(2*PNP साठी प्रसार स्थिरांक)
τ_f = W_b^2/(2*D_p)
हे सूत्र 3 व्हेरिएबल्स वापरते

व्हेरिएबल्स वापरलेले

संक्रमण वेळ - (मध्ये मोजली दुसरा) - ट्रान्झिस्टरमधील संक्रमण वेळ महत्त्वपूर्ण आहे कारण ते ट्रान्झिस्टर प्रभावीपणे कार्य करू शकणारी कमाल वारंवारता निर्धारित करते.
पाया रुंदी - (मध्ये मोजली मीटर) - पायाची रुंदी हा ट्रान्झिस्टरच्या वैशिष्ट्यांवर परिणाम करणारा एक महत्त्वाचा पॅरामीटर आहे, विशेषत: त्याच्या ऑपरेशन आणि गतीच्या बाबतीत.
PNP साठी प्रसार स्थिरांक - (मध्ये मोजली स्क्वेअर मीटर प्रति सेकंद) - डिफ्यूजन कॉन्स्टंट फॉर पीएनपी हे इलेक्ट्रिक फील्ड लागू केल्यावर हे अल्पसंख्याक वाहक अर्धसंवाहक सामग्रीमधून किती सहजपणे पसरतात याचे वर्णन करते.

चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा

पाया रुंदी: 8 सेंटीमीटर --> 0.08 मीटर (रूपांतरण तपासा येथे)
PNP साठी प्रसार स्थिरांक: 100 चौरस सेंटीमीटर प्रति सेकंद --> 0.01 स्क्वेअर मीटर प्रति सेकंद (रूपांतरण तपासा येथे)

चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा

फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे

τ_f = W_b^2/(2*D_p) --> 0.08^2/(2*0.01)

मूल्यांकन करत आहे ... ...

τ_f = 0.32

चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा

0.32 दुसरा --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही

अंतिम उत्तर

0.32 दुसरा <-- संक्रमण वेळ

(गणना 00.020 सेकंदात पूर्ण झाली)

आपण येथे आहात -

होम » अभियांत्रिकी » इलेक्ट्रॉनिक्स » MOSFET » अॅनालॉग इलेक्ट्रॉनिक्स » पी-चॅनल सुधारणा » पीएनपी ट्रान्झिस्टरचा संक्रमण वेळ

जमा

ने निर्मित राहुल गुप्ता

चंदीगड विद्यापीठ (CU), मोहाली, पंजाब

राहुल गुप्ता यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 25+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!

द्वारे सत्यापित ऋत्विक त्रिपाठी

वेल्लोर इन्स्टिट्यूट ऑफ टेक्नॉलॉजी (व्हीआयटी वेल्लोर), वेल्लोर

ऋत्विक त्रिपाठी यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 100+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

< 15 पी-चॅनल सुधारणा कॅल्क्युलेटर

पीएमओएस ट्रान्झिस्टरचा एकूण ड्रेन करंट

जा ड्रेन करंट = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*(गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-modulus(थ्रेशोल्ड व्होल्टेज))^2*(1+ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज/modulus(लवकर व्होल्टेज))

पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या ट्रायोड प्रदेशात प्रवाह प्रवाह

जा ड्रेन करंट = PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*((गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-modulus(थ्रेशोल्ड व्होल्टेज))*ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज-1/2*(ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज)^2)

PMOS मध्ये शरीराचा प्रभाव

जा थ्रेशोल्ड व्होल्टेजमध्ये बदल = थ्रेशोल्ड व्होल्टेज+फॅब्रिकेशन प्रक्रिया पॅरामीटर*(sqrt(2*भौतिक मापदंड+शरीर आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज)-sqrt(2*भौतिक मापदंड))

पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या ट्रायोड क्षेत्रामध्ये ड्रेन करंट दिलेला Vsd

जा ड्रेन करंट = PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*(modulus(प्रभावी व्होल्टेज)-1/2*ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज)*ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज

पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या संतृप्ति क्षेत्रामध्ये प्रवाह प्रवाह

जा संपृक्तता निचरा वर्तमान = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*(गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-modulus(थ्रेशोल्ड व्होल्टेज))^2

PMOS मध्ये बॅकगेट इफेक्ट पॅरामीटर

जा बॅकगेट इफेक्ट पॅरामीटर = sqrt(2*[Permitivity-vacuum]*[Charge-e]*दात्याची एकाग्रता)/ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

पीएमओएसमध्ये पिंच-ऑफ स्थितीत इन्व्हर्जन लेयर चार्ज

जा इन्व्हर्जन लेयर चार्ज = -ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज-ड्रेन आणि स्त्रोत दरम्यान व्होल्टेज)

स्त्रोतापासून नाल्याकडे प्रवाह काढा

जा ड्रेन करंट = (जंक्शनची रुंदी*इन्व्हर्जन लेयर चार्ज*चॅनेलमधील छिद्रांची गतिशीलता*चॅनेलमधील इलेक्ट्रिक फील्डचा क्षैतिज घटक)

पीएमओएस ट्रान्झिस्टरच्या सॅच्युरेशन क्षेत्रामध्ये प्रवाहित प्रवाह दिलेला Vov

जा संपृक्तता निचरा वर्तमान = 1/2*PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर*प्रसर गुणोत्तर*(प्रभावी व्होल्टेज)^2

पीएमओएसमध्ये इनव्हर्शन लेयर चार्ज

जा इन्व्हर्जन लेयर चार्ज = -ऑक्साइड कॅपेसिटन्स*(गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

पीएमओएसचा ओव्हरड्राइव्ह व्होल्टेज

जा प्रभावी व्होल्टेज = गेट आणि स्रोत दरम्यान व्होल्टेज-modulus(थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)

पीएमओएसच्या इनव्हर्जन चॅनेलमधील वर्तमान

जा ड्रेन करंट = (जंक्शनची रुंदी*इन्व्हर्जन लेयर चार्ज*उलट्याचा प्रवाह वेग)

PMOS चे प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर

जा PMOS मध्ये प्रक्रिया ट्रान्सकंडक्टन्स पॅरामीटर = चॅनेलमधील छिद्रांची गतिशीलता*ऑक्साइड कॅपेसिटन्स

PMOS च्या इनव्हर्शन चॅनेलमध्ये वर्तमान दिलेली गतिशीलता

जा उलट्याचा प्रवाह वेग = चॅनेलमधील छिद्रांची गतिशीलता*चॅनेलमधील इलेक्ट्रिक फील्डचा क्षैतिज घटक

पीएनपी ट्रान्झिस्टरचा संक्रमण वेळ

जा संक्रमण वेळ = पाया रुंदी^2/(2*PNP साठी प्रसार स्थिरांक)

पीएनपी ट्रान्झिस्टरचा संक्रमण वेळ सुत्र

संक्रमण वेळ = पाया रुंदी^2/(2*PNP साठी प्रसार स्थिरांक)
τ_f = W_b^2/(2*D_p)

होम

फुकट पीडीएफ

🔍 शोधा

श्रेण्या

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!