किमान EDP वर व्होल्टेज उपाय

चरण 0: पूर्व-गणन सारांश
फॉर्म्युला वापरले जाते
किमान EDP वर व्होल्टेज = (3*थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)/(3-क्रियाकलाप घटक)
Vedp = (3*Vt)/(3-α)
हे सूत्र 3 व्हेरिएबल्स वापरते
व्हेरिएबल्स वापरलेले
किमान EDP वर व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - किमान ईडीपीवरील व्होल्टेज हे किमान व्होल्टेज म्हणून परिभाषित केले जाते जे ऊर्जा विलंब उत्पादन किमान असते तेव्हा अनुभवले जाते.
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज - (मध्ये मोजली व्होल्ट) - ट्रान्झिस्टरचा थ्रेशोल्ड व्होल्टेज हा स्त्रोत आणि ड्रेन टर्मिनल्स दरम्यान चालणारा मार्ग तयार करण्यासाठी आवश्यक असलेल्या स्त्रोत व्होल्टेजचे किमान गेट आहे.
क्रियाकलाप घटक - क्रियाकलाप घटक लोड कॅपेसिटन्स म्हणून परिभाषित केला जातो जो चार्ज केला जातो आणि सर्व इनपुट संक्रमणांच्या 3/16 दरम्यान ऊर्जा साठवतो. या अंशाला क्रियाकलाप घटक किंवा अल्फा म्हणतात.
चरण 1: इनपुट ला बेस युनिटमध्ये रूपांतरित करा
थ्रेशोल्ड व्होल्टेज: 0.3 व्होल्ट --> 0.3 व्होल्ट कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
क्रियाकलाप घटक: 1.65 --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
चरण 2: फॉर्म्युलाचे मूल्यांकन करा
फॉर्म्युलामध्ये इनपुट व्हॅल्यूजची स्थापना करणे
Vedp = (3*Vt)/(3-α) --> (3*0.3)/(3-1.65)
मूल्यांकन करत आहे ... ...
Vedp = 0.666666666666667
चरण 3: निकाल आउटपुटच्या युनिटमध्ये रूपांतरित करा
0.666666666666667 व्होल्ट --> कोणतेही रूपांतरण आवश्यक नाही
अंतिम उत्तर
0.666666666666667 0.666667 व्होल्ट <-- किमान EDP वर व्होल्टेज
(गणना 00.004 सेकंदात पूर्ण झाली)

जमा

Creator Image
ने निर्मित शोभित दिमरी
बिपिन त्रिपाठी कुमाऊँ तंत्रज्ञान तंत्रज्ञान (बीटीकेआयटी), द्वाराहाट
शोभित दिमरी यांनी हे कॅल्क्युलेटर आणि 900+ अधिक कॅल्क्युलेटर तयार केले आहेत!
Verifier Image
द्वारे सत्यापित उर्वी राठोड
विश्वकर्मा शासकीय अभियांत्रिकी महाविद्यालय (व्हीजीईसी), अहमदाबाद
उर्वी राठोड यानी हे कॅल्क्युलेटर आणि 1900+ अधिक कॅल्क्युलेटर सत्यापित केले आहेत।

15 CMOS सर्किट वैशिष्ट्ये कॅल्क्युलेटर

सीएमओएसमध्ये प्रभावी कॅपेसिटन्स
​ जा CMOS मध्ये प्रभावी क्षमता = कार्यकालचक्र*(चालू बंद*(10^(बेस कलेक्टर व्होल्टेज)))/(गेट्स ऑन क्रिटिकल पाथ*[BoltZ]*बेस कलेक्टर व्होल्टेज)
ऑक्साइड लेयरची परवानगी
​ जा ऑक्साइड लेयरची परवानगी = ऑक्साईड थर जाडी*इनपुट गेट कॅपेसिटन्स/(गेट रुंदी*गेटची लांबी)
ऑक्साईड थर जाडी
​ जा ऑक्साईड थर जाडी = ऑक्साइड लेयरची परवानगी*गेट रुंदी*गेटची लांबी/इनपुट गेट कॅपेसिटन्स
गेटची रुंदी
​ जा गेट रुंदी = इनपुट गेट कॅपेसिटन्स/(गेट ऑक्साईड लेयरची क्षमता*गेटची लांबी)
स्त्रोत प्रसाराची साइडवॉल परिमिती
​ जा स्त्रोत प्रसाराची साइडवॉल परिमिती = (2*संक्रमण रुंदी)+(2*स्त्रोताची लांबी)
किमान EDP वर व्होल्टेज
​ जा किमान EDP वर व्होल्टेज = (3*थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)/(3-क्रियाकलाप घटक)
CMOS ची संक्रमण रुंदी
​ जा संक्रमण रुंदी = एमओएस गेट ओव्हरलॅप कॅपेसिटन्स/एमओएस गेट कॅपेसिटन्स
CMOS क्रिटिकल व्होल्टेज
​ जा CMOS मध्ये गंभीर व्होल्टेज = गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड*मीन फ्री पाथ
गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड
​ जा गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड = (2*वेग संपृक्तता)/इलेक्ट्रॉनची गतिशीलता
CMOS म्हणजे फ्री पाथ
​ जा मीन फ्री पाथ = CMOS मध्ये गंभीर व्होल्टेज/गंभीर इलेक्ट्रिक फील्ड
क्षीणता प्रदेश रुंदी
​ जा क्षीणता प्रदेश रुंदी = पीएन जंक्शन लांबी-प्रभावी चॅनेलची लांबी
प्रभावी चॅनेल लांबी
​ जा प्रभावी चॅनेलची लांबी = पीएन जंक्शन लांबी-क्षीणता प्रदेश रुंदी
पीएन जंक्शन लांबी
​ जा पीएन जंक्शन लांबी = क्षीणता प्रदेश रुंदी+प्रभावी चॅनेलची लांबी
स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र
​ जा स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र = स्त्रोताची लांबी*संक्रमण रुंदी
स्त्रोत प्रसाराची रुंदी
​ जा संक्रमण रुंदी = स्त्रोत प्रसाराचे क्षेत्र/स्त्रोताची लांबी

किमान EDP वर व्होल्टेज सुत्र

किमान EDP वर व्होल्टेज = (3*थ्रेशोल्ड व्होल्टेज)/(3-क्रियाकलाप घटक)
Vedp = (3*Vt)/(3-α)

विलंब मर्यादा अंतर्गत किमान ऊर्जा किती आहे?

सिस्टमचा उर्जा वापर बॅटरीद्वारे किंवा थंड विचारांवर मर्यादित आहे आणि डिझाइनर उर्जा उर्जेच्या मर्यादेत किमान विलंब साध्य करण्याचा प्रयत्न करतो.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!