Stroom die afvoerbron binnenkomt in verzadigingsgebied van NMOS gegeven effectieve spanning Rekenmachine

✖De Process Transconductance Parameter in NMOS (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.ⓘ Procestransconductantieparameter in NMOS [k'_n]			+10% -10%
✖De breedte van het kanaal verwijst naar de hoeveelheid bandbreedte die beschikbaar is voor het verzenden van gegevens binnen een communicatiekanaal.ⓘ Breedte van kanaal [W_c]			+10% -10%
✖De lengte van het kanaal kan worden gedefinieerd als de afstand tussen het begin- en eindpunt en kan sterk variëren, afhankelijk van het doel en de locatie.ⓘ Lengte van het kanaal [L]			+10% -10%
✖Overdrive-spanning in NMOS verwijst meestal naar de spanning die wordt toegepast op een apparaat of component die de normale bedrijfsspanning overschrijdt.ⓘ Overdrive-spanning in NMOS [V_ov]			+10% -10%

✖Verzadigingsafvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de onderdrempelstroom en varieert exponentieel met poort-naar-bronspanning.ⓘ Stroom die afvoerbron binnenkomt in verzadigingsgebied van NMOS gegeven effectieve spanning [I_ds]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Stroom die afvoerbron binnenkomt in verzadigingsgebied van NMOS gegeven effectieve spanning

Formule

`"I"_{"ds"} = 1/2*"k'"_{"n"}*"W"_{"c"}/"L"*("V"_{"ov"})^2`

Voorbeeld

`"239.7013mA"=1/2*"2mS"*"10μm"/"3μm"*("8.48V")^2`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET Formule Pdf PDF Image

Stroom die afvoerbron binnenkomt in verzadigingsgebied van NMOS gegeven effectieve spanning Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Overdrive-spanning in NMOS)^2
I_ds = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ov)^2
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Verzadigingsafvoerstroom - (Gemeten in Ampère) - Verzadigingsafvoerstroom onder de drempelspanning wordt gedefinieerd als de onderdrempelstroom en varieert exponentieel met poort-naar-bronspanning.
Procestransconductantieparameter in NMOS - (Gemeten in Siemens) - De Process Transconductance Parameter in NMOS (PTM) is een parameter die wordt gebruikt bij het modelleren van halfgeleiderapparaten om de prestaties van een transistor te karakteriseren.
Breedte van kanaal - (Gemeten in Meter) - De breedte van het kanaal verwijst naar de hoeveelheid bandbreedte die beschikbaar is voor het verzenden van gegevens binnen een communicatiekanaal.
Lengte van het kanaal - (Gemeten in Meter) - De lengte van het kanaal kan worden gedefinieerd als de afstand tussen het begin- en eindpunt en kan sterk variëren, afhankelijk van het doel en de locatie.
Overdrive-spanning in NMOS - (Gemeten in Volt) - Overdrive-spanning in NMOS verwijst meestal naar de spanning die wordt toegepast op een apparaat of component die de normale bedrijfsspanning overschrijdt.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Procestransconductantieparameter in NMOS: 2 Millisiemens --> 0.002 Siemens (Bekijk de conversie hier)
Breedte van kanaal: 10 Micrometer --> 1E-05 Meter (Bekijk de conversie hier)
Lengte van het kanaal: 3 Micrometer --> 3E-06 Meter (Bekijk de conversie hier)
Overdrive-spanning in NMOS: 8.48 Volt --> 8.48 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

I_ds = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ov)^2 --> 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(8.48)^2

Evalueren ... ...

I_ds = 0.239701333333333

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.239701333333333 Ampère -->239.701333333333 milliampère (Bekijk de conversie hier)

DEFINITIEVE ANTWOORD

239.701333333333 ≈ 239.7013 milliampère <-- Verzadigingsafvoerstroom

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » MOSFET » Analoge elektronica » N-Channel-verbetering » Stroom die afvoerbron binnenkomt in verzadigingsgebied van NMOS gegeven effectieve spanning

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 17 N-Channel-verbetering Rekenmachines

Huidige binnenkomende afvoerbron in triodegebied van NMOS

Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*(Bronspanning afvoeren)^2)

Huidige ingangsafvoeraansluiting van NMOS gegeven poortbronspanning

Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*((Poortbronspanning-Drempelspanning)*Bronspanning afvoeren-1/2*Bronspanning afvoeren^2)

Lichaamseffect in NMOS

Gaan Verandering in drempelspanning = Drempelspanning+Fabricageprocesparameter*(sqrt(2*Fysieke parameters+Spanning tussen Lichaam en Bron)-sqrt(2*Fysieke parameters))

Huidige invoer van afvoeraansluiting van NMOS

Gaan Afvoerstroom in NMOS = Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*Bronspanning afvoeren*(Overdrive-spanning in NMOS-1/2*Bronspanning afvoeren)

NMOS als lineaire weerstand

Gaan Lineaire weerstand = Lengte van het kanaal/(Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Oxide capaciteit*Breedte van kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning))

Afvoerstroom wanneer NMOS werkt als spanningsgestuurde stroombron

Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2

Huidige binnenkomende afvoerbron in verzadigingsgebied van NMOS

Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Poortbronspanning-Drempelspanning)^2

Fabricageprocesparameter van NMOS

Gaan Fabricageprocesparameter = sqrt(2*[Charge-e]*Dopingconcentratie van P-substraat*[Permitivity-vacuum])/Oxide capaciteit

Stroom die afvoerbron binnenkomt in verzadigingsgebied van NMOS gegeven effectieve spanning

Gaan Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Overdrive-spanning in NMOS)^2

Stroom die de afvoerbron binnenkomt bij de grens van verzadiging en het triodegebied van NMOS

Gaan Afvoerstroom in NMOS = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Bronspanning afvoeren)^2

Elektron driftsnelheid van kanaal in NMOS-transistor

Gaan Electron Drift Snelheid = Mobiliteit van elektronen aan het oppervlak van het kanaal*Elektrisch veld over de lengte van het kanaal

Totaal geleverd vermogen in NMOS

Gaan Voeding geleverd = Voedingsspanning*(Afvoerstroom in NMOS+Huidig)

Afvoerstroom gegeven NMOS Werkt als spanningsgestuurde stroombron

Gaan Transconductantieparameter = Procestransconductantieparameter in PMOS*Beeldverhouding

Uitgangsweerstand van stroombron NMOS gegeven afvoerstroom

Gaan Uitgangsweerstand = Apparaatparameter/Afvoerstroom zonder kanaallengtemodulatie

Totaal gedissipeerd vermogen in NMOS

Gaan Vermogen gedissipeerd = Afvoerstroom in NMOS^2*AAN Kanaalweerstand

Positieve spanning gegeven kanaallengte in NMOS

Gaan Spanning = Apparaatparameter*Lengte van het kanaal

Oxidecapaciteit van NMOS

Gaan Oxide capaciteit = (3.45*10^(-11))/Oxide Dikte

Stroom die afvoerbron binnenkomt in verzadigingsgebied van NMOS gegeven effectieve spanning Formule

Verzadigingsafvoerstroom = 1/2*Procestransconductantieparameter in NMOS*Breedte van kanaal/Lengte van het kanaal*(Overdrive-spanning in NMOS)^2
I_ds = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ov)^2

Wat is een verzadigingsgebied?

De tweede regio wordt "verzadiging" genoemd. Dit is waar de basisstroom is toegenomen tot ver voorbij het punt waarop de emitter-basisovergang voorwaarts is voorgespannen. In feite is de basisstroom toegenomen tot voorbij het punt waarop de collectorstroom kan toenemen.

Wat is de voorwaarde voor een NMOS om in saturatie te zijn?

De MOSFET is in verzadiging wanneer V (GS)> V (TH) en V (DS)> V (GS) - V (TH). ... Als ik de poortspanning langzaam verhoog, beginnend bij 0, blijft de MOSFET uitgeschakeld. De LED begint een kleine hoeveelheid stroom te geleiden wanneer de poortspanning ongeveer 2,5 V is of zo.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!