Corrente in entrata nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS data la tensione effettiva calcolatrice

✖Il parametro di transconduttanza di processo in NMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.ⓘ Parametro di transconduttanza di processo in NMOS [k'_n]			+10% -10%
✖La larghezza del canale si riferisce alla quantità di larghezza di banda disponibile per la trasmissione dei dati all'interno di un canale di comunicazione.ⓘ Larghezza del canale [W_c]			+10% -10%
✖La lunghezza del canale può essere definita come la distanza tra i suoi punti iniziale e finale e può variare notevolmente a seconda del suo scopo e della sua posizione.ⓘ Lunghezza del canale [L]			+10% -10%
✖La tensione di overdrive in NMOS si riferisce in genere alla tensione applicata a un dispositivo o componente che supera la sua normale tensione operativa.ⓘ Tensione di overdrive in NMOS [V_ov]			+10% -10%

✖La corrente di drain di saturazione al di sotto della tensione di soglia è definita come la corrente di sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione gate-source.ⓘ Corrente in entrata nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS data la tensione effettiva [I_ds]

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Formula

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Corrente in entrata nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS data la tensione effettiva

Formula

`"I"_{"ds"} = 1/2*"k'"_{"n"}*"W"_{"c"}/"L"*("V"_{"ov"})^2`

Esempio

`"239.7013mA"=1/2*"2mS"*"10μm"/"3μm"*("8.48V")^2`

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Corrente in entrata nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS data la tensione effettiva Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione di overdrive in NMOS)^2
I_ds = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ov)^2
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Corrente di scarico di saturazione - (Misurato in Ampere) - La corrente di drain di saturazione al di sotto della tensione di soglia è definita come la corrente di sottosoglia e varia in modo esponenziale con la tensione gate-source.
Parametro di transconduttanza di processo in NMOS - (Misurato in Siemens) - Il parametro di transconduttanza di processo in NMOS (PTM) è un parametro utilizzato nella modellazione di dispositivi a semiconduttore per caratterizzare le prestazioni di un transistor.
Larghezza del canale - (Misurato in metro) - La larghezza del canale si riferisce alla quantità di larghezza di banda disponibile per la trasmissione dei dati all'interno di un canale di comunicazione.
Lunghezza del canale - (Misurato in metro) - La lunghezza del canale può essere definita come la distanza tra i suoi punti iniziale e finale e può variare notevolmente a seconda del suo scopo e della sua posizione.
Tensione di overdrive in NMOS - (Misurato in Volt) - La tensione di overdrive in NMOS si riferisce in genere alla tensione applicata a un dispositivo o componente che supera la sua normale tensione operativa.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Parametro di transconduttanza di processo in NMOS: 2 Millisiemens --> 0.002 Siemens (Controlla la conversione qui)
Larghezza del canale: 10 Micrometro --> 1E-05 metro (Controlla la conversione qui)
Lunghezza del canale: 3 Micrometro --> 3E-06 metro (Controlla la conversione qui)
Tensione di overdrive in NMOS: 8.48 Volt --> 8.48 Volt Nessuna conversione richiesta

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

I_ds = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ov)^2 --> 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(8.48)^2

Valutare ... ...

I_ds = 0.239701333333333

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.239701333333333 Ampere -->239.701333333333 Millampere (Controlla la conversione qui)

RISPOSTA FINALE

239.701333333333 ≈ 239.7013 Millampere <-- Corrente di scarico di saturazione

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Payal Priya

Istituto di tecnologia Birsa (PO), Sindri

Payal Priya ha creato questa calcolatrice e altre 600+ altre calcolatrici!

Verificato da Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod ha verificato questa calcolatrice e altre 1900+ altre calcolatrici!

< 17 Miglioramento del canale N Calcolatrici

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione del triodo di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*((Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)*Scaricare la tensione della sorgente-1/2*(Scaricare la tensione della sorgente)^2)

Corrente in ingresso al terminale di scarico di NMOS data la tensione della sorgente di gate

Terminale di scarico in ingresso corrente di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*Scaricare la tensione della sorgente*(Tensione di overdrive in NMOS-1/2*Scaricare la tensione della sorgente)

Effetto corpo in NMOS

Partire Variazione della tensione di soglia = Soglia di voltaggio+Parametro del processo di fabbricazione*(sqrt(2*Parametro fisico+Tensione tra Body e Source)-sqrt(2*Parametro fisico))

NMOS come resistenza lineare

Partire Resistenza lineare = Lunghezza del canale/(Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Capacità di ossido*Larghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio))

Assorbimento di corrente quando NMOS funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)^2

Corrente in ingresso nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione sorgente gate-Soglia di voltaggio)^2

Parametro del processo di fabbricazione di NMOS

Partire Parametro del processo di fabbricazione = sqrt(2*[Charge-e]*Concentrazione drogante del substrato P*[Permitivity-vacuum])/Capacità di ossido

Corrente di ingresso della sorgente di drenaggio al limite della saturazione e della regione del triodo di NMOS

Partire Assorbimento di corrente in NMOS = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Scaricare la tensione della sorgente)^2

Corrente in entrata nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS data la tensione effettiva

Partire Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione di overdrive in NMOS)^2

Velocità di deriva elettronica del canale nel transistor NMOS

Partire Velocità di deriva elettronica = Mobilità degli elettroni sulla superficie del canale*Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale

Potenza totale fornita in NMOS

Partire Alimentazione fornita = Tensione di alimentazione*(Assorbimento di corrente in NMOS+Attuale)

Resistenza di uscita della sorgente di corrente NMOS data la corrente di scarico

Partire Resistenza di uscita = Parametro dispositivo/Drain Current senza modulazione della lunghezza del canale

Drain Current fornito da NMOS Funziona come sorgente di corrente controllata dalla tensione

Partire Parametro di transconduttanza = Parametro di transconduttanza di processo in PMOS*Proporzioni

Potenza totale dissipata in NMOS

Partire Potenza dissipata = Assorbimento di corrente in NMOS^2*ON Resistenza del canale

Tensione positiva data la lunghezza del canale in NMOS

Partire Voltaggio = Parametro dispositivo*Lunghezza del canale

Capacità di ossido di NMOS

Partire Capacità di ossido = (3.45*10^(-11))/Spessore dell'ossido

Corrente in entrata nella sorgente di drenaggio nella regione di saturazione di NMOS data la tensione effettiva Formula

Corrente di scarico di saturazione = 1/2*Parametro di transconduttanza di processo in NMOS*Larghezza del canale/Lunghezza del canale*(Tensione di overdrive in NMOS)^2
I_ds = 1/2*k'_n*W_c/L*(V_ov)^2

Cos'è la regione di saturazione?

La seconda regione è chiamata "saturazione". Qui è dove la corrente di base è aumentata ben oltre il punto in cui la giunzione emettitore-base è polarizzata in avanti. Infatti, la corrente di base è aumentata oltre il punto in cui può far aumentare il flusso di corrente del collettore.

Qual è la condizione affinché un NMOS sia in saturazione?

Il MOSFET è in saturazione quando V (GS)> V (TH) e V (DS)> V (GS) - V (TH). ... Se aumento lentamente la tensione di gate partendo da 0, il MOSFET rimane spento. Il LED inizia a condurre una piccola quantità di corrente quando la tensione del gate è di circa 2,5 V circa.

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