Емкость затвора-стока полевого транзистора Калькулятор

✖Время отключения емкости затвора-стока FET обозначает продолжительность разряда емкости затвор-сток, влияющую на характеристики переключения и энергоэффективность в электронных схемах.ⓘ Емкость стока затвора Время выключения FET [T_gd-off(fet)]			+10% -10%
✖Напряжение затвор-сток полевого транзистора — это разность напряжений между клеммами затвора и стока полевого транзистора.ⓘ Полевой транзистор с напряжением от затвора до стока [V_gd(fet)]			+10% -10%
✖Полевой транзистор с поверхностным потенциалом работает на основе поверхностного потенциала полупроводникового канала, управляя потоком тока через напряжение затвора без создания инверсионных слоев.ⓘ Поверхностный потенциал FET [Ψ_0(fet)]			+10% -10%

✖Емкость затвора и стока полевого транзистора — это емкость между выводами затвора и стока полевого транзистора. Это вызвано перекрытием областей затвора и стока.ⓘ Емкость затвора-стока полевого транзистора [C_gd(fet)]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Емкость затвора-стока полевого транзистора

Формула

`"C"_{"gd(fet)"} = "T"_{"gd-off(fet)"}/(1-"V"_{"gd(fet)"}/"Ψ"_{"0(fet)"})^(1/3)`

Пример

`"-0.733363F"="6.47s"/(1-"12.784V"/"0.01859V")^(1/3)`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Силовая электроника формула PDF PDF Image

Емкость затвора-стока полевого транзистора Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Емкость затвора-стока FET = Емкость стока затвора Время выключения FET/(1-Полевой транзистор с напряжением от затвора до стока/Поверхностный потенциал FET)^(1/3)
C_gd(fet) = T_gd-off(fet)/(1-V_gd(fet)/Ψ_0(fet))^(1/3)
В этой формуле используются 4 Переменные

Используемые переменные

Емкость затвора-стока FET - (Измеряется в фарада) - Емкость затвора и стока полевого транзистора — это емкость между выводами затвора и стока полевого транзистора. Это вызвано перекрытием областей затвора и стока.
Емкость стока затвора Время выключения FET - (Измеряется в Второй) - Время отключения емкости затвора-стока FET обозначает продолжительность разряда емкости затвор-сток, влияющую на характеристики переключения и энергоэффективность в электронных схемах.
Полевой транзистор с напряжением от затвора до стока - (Измеряется в вольт) - Напряжение затвор-сток полевого транзистора — это разность напряжений между клеммами затвора и стока полевого транзистора.
Поверхностный потенциал FET - (Измеряется в вольт) - Полевой транзистор с поверхностным потенциалом работает на основе поверхностного потенциала полупроводникового канала, управляя потоком тока через напряжение затвора без создания инверсионных слоев.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Емкость стока затвора Время выключения FET: 6.47 Второй --> 6.47 Второй Конверсия не требуется
Полевой транзистор с напряжением от затвора до стока: 12.784 вольт --> 12.784 вольт Конверсия не требуется
Поверхностный потенциал FET: 0.01859 вольт --> 0.01859 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

C_gd(fet) = T_gd-off(fet)/(1-V_gd(fet)/Ψ_0(fet))^(1/3) --> 6.47/(1-12.784/0.01859)^(1/3)

Оценка ... ...

C_gd(fet) = -0.733363269576062

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

-0.733363269576062 фарада --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

-0.733363269576062 ≈ -0.733363 фарада <-- Емкость затвора-стока FET

(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электрические » Силовая электроника » Усовершенствованные транзисторные устройства » полевой транзистор » Емкость затвора-стока полевого транзистора

Кредиты

Сделано Мохамед Фазиль V

Технологический институт Ачарья (АИТ), Бангалор

Мохамед Фазиль V создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

< 8 полевой транзистор Калькуляторы

Ток стока омической области полевого транзистора

Идти Ток стока полевого транзистора = Проводимость канала FET*(Напряжение источника стока FET+3/2*((Поверхностный потенциал FET+Напряжение источника стока FET-Напряжение источника стока FET)^(3/2)-(Поверхностный потенциал FET+Напряжение источника стока FET)^(3/2))/((Поверхностный потенциал FET+Напряжение отключения напряжения)^(1/2)))

Крутизна полевого транзистора

Идти Полевой транзистор прямой крутизны = (2*Ток стока нулевого смещения)/Напряжение отключения напряжения*(1-Напряжение источника стока FET/Напряжение отключения напряжения)

Напряжение источника стока полевого транзистора

Идти Напряжение источника стока FET = Напряжение питания на стоковом полевом транзисторе-Ток стока полевого транзистора*(Сопротивление стока FET+Исходное сопротивление FET)

Емкость затвора-стока полевого транзистора

Идти Емкость затвора-стока FET = Емкость стока затвора Время выключения FET/(1-Полевой транзистор с напряжением от затвора до стока/Поверхностный потенциал FET)^(1/3)

Емкость источника затвора полевого транзистора

Идти Емкость источника затвора FET = Емкость источника затвора Время выключения FET/(1-(Напряжение источника стока FET/Поверхностный потенциал FET))^(1/3)

Ток стока полевого транзистора

Идти Ток стока полевого транзистора = Ток стока нулевого смещения*(1-Напряжение источника стока FET/Напряжение отсечки FET)^2

Отключение напряжения полевого транзистора

Идти Напряжение отключения напряжения = Pinch OFF Напряжение источника стока FET-Напряжение источника стока FET

Коэффициент усиления полевого транзистора

Идти Усиление напряжения полевого транзистора = -Полевой транзистор прямой крутизны*Сопротивление стока FET