Capacitância de drenagem do portão do FET Calculadora

✖O tempo de desligamento da capacitância de drenagem do portão de um FET tem um impacto negativo no tempo de desligamento do FET. O tempo de desligamento é o tempo que leva para o FET passar do estado ligado para o estado desligado.ⓘ Tempo de desligamento da capacitância de drenagem do portão [C_off(g-d)]			+10% -10%
✖Tensão Gate to Drain é a diferença de tensão entre os terminais gate e dreno de um FET. É um parâmetro importante para a operação do FET.ⓘ Porta para Drenar Tensão [V_(g-d)]			+10% -10%
✖Psi (ψ) é o potencial de superfície de um FET. É a diferença de potencial entre a superfície do semicondutor e o semicondutor a granel.ⓘ psi [Ψ₀]			+10% -10%

✖A capacitância de porta para dreno de um FET é a capacitância entre os terminais de porta e dreno do FET. É causado pela sobreposição entre as regiões da comporta e do dreno.ⓘ Capacitância de drenagem do portão do FET [C_(g-d)]

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Fórmula

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Capacitância de drenagem do portão do FET

Fórmula

`"C"_{"(g-d)"} = "C"_{"off(g-d)"}/(1-"V"_{"(g-d)"}/"Ψ"_{"0"})^(1/3)`

Exemplo

`"9.536121F"="6.47F"/(1-"12.784V"/"0.01859kPa")^(1/3)`

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Capacitância de drenagem do portão do FET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Porta para drenar a capacitância = Tempo de desligamento da capacitância de drenagem do portão/(1-Porta para Drenar Tensão/psi)^(1/3)
C_(g-d) = C_off(g-d)/(1-V_(g-d)/Ψ₀)^(1/3)
Esta fórmula usa 4 Variáveis

Variáveis Usadas

Porta para drenar a capacitância - (Medido em Farad) - A capacitância de porta para dreno de um FET é a capacitância entre os terminais de porta e dreno do FET. É causado pela sobreposição entre as regiões da comporta e do dreno.
Tempo de desligamento da capacitância de drenagem do portão - (Medido em Farad) - O tempo de desligamento da capacitância de drenagem do portão de um FET tem um impacto negativo no tempo de desligamento do FET. O tempo de desligamento é o tempo que leva para o FET passar do estado ligado para o estado desligado.
Porta para Drenar Tensão - (Medido em Volt) - Tensão Gate to Drain é a diferença de tensão entre os terminais gate e dreno de um FET. É um parâmetro importante para a operação do FET.
psi - (Medido em Pascal) - Psi (ψ) é o potencial de superfície de um FET. É a diferença de potencial entre a superfície do semicondutor e o semicondutor a granel.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Tempo de desligamento da capacitância de drenagem do portão: 6.47 Farad --> 6.47 Farad Nenhuma conversão necessária
Porta para Drenar Tensão: 12.784 Volt --> 12.784 Volt Nenhuma conversão necessária
psi: 0.01859 Quilopascal --> 18.59 Pascal (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

C_(g-d) = C_off(g-d)/(1-V_(g-d)/Ψ₀)^(1/3) --> 6.47/(1-12.784/18.59)^(1/3)

Avaliando ... ...

C_(g-d) = 9.53612056981509

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

9.53612056981509 Farad --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

9.53612056981509 ≈ 9.536121 Farad <-- Porta para drenar a capacitância

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Mohamed Fazil V

Instituto de Tecnologia Acharya (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

Verificado por Parminder Singh

Universidade de Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

< 9 FET Calculadoras

Corrente de drenagem da região ôhmica do FET

Vai Corrente de drenagem = Condutância do Canal*(Drenar para a tensão da fonte+3/2*((psi+Ganho para tensão da fonte-Drenar para a tensão da fonte)^(3/2)-(psi+Ganho para tensão da fonte)^(3/2))/((psi+Aperte a tensão)^(1/2)))

Transcondutância de FET

Vai Transcondutância direta = (2*Corrente de drenagem de polarização zero)/Aperte a tensão*(1-Ganho para tensão da fonte/Aperte a tensão)

Tensão da fonte de drenagem do FET

Vai Drenar para a tensão da fonte = Tensão de alimentação no dreno-Corrente de drenagem*(Resistência à drenagem+Resistência da Fonte)

Capacitância do substrato de porta do FET

Vai Capacitância do Substrato da Porta = Tempo de desligamento da capacitância do substrato da porta/(1-(Tensão do Substrato da Porta/psi))^(1/2)

Capacitância de drenagem do portão do FET

Vai Porta para drenar a capacitância = Tempo de desligamento da capacitância de drenagem do portão/(1-Porta para Drenar Tensão/psi)^(1/3)

Capacitância da fonte de porta do FET

Vai Porta para capacitância de fonte = Tempo de desligamento da capacitância da fonte da porta/(1-(Ganho para tensão da fonte/psi))^(1/3)

Corrente de drenagem do FET

Vai Corrente de drenagem = Corrente de drenagem de polarização zero*(1-Ganho para tensão da fonte/Ganho de corte para tensão da fonte)^2

Corte a tensão do FET

Vai Aperte a tensão = Aperte o dreno para a tensão da fonte-Ganho para tensão da fonte

Ganho de tensão do FET

Vai Ganho de tensão = -Transcondutância direta*Resistência à drenagem

Capacitância de drenagem do portão do FET Fórmula

Porta para drenar a capacitância = Tempo de desligamento da capacitância de drenagem do portão/(1-Porta para Drenar Tensão/psi)^(1/3)
C_(g-d) = C_off(g-d)/(1-V_(g-d)/Ψ₀)^(1/3)

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