Capacité de drain de grille du FET Calculatrice

✖Le temps d'arrêt de la capacité de drain de grille d'un FET a un impact négatif sur le temps d'arrêt du FET. Le temps de désactivation est le temps nécessaire au FET pour passer de l'état activé à l'état désactivé.ⓘ Temps d'arrêt de la capacité de drainage de la porte [C_off(g-d)]			+10% -10%
✖La tension grille-drain est la différence de tension entre les bornes grille et drain d'un FET. C'est un paramètre important pour le fonctionnement du FET.ⓘ Tension de porte à drain [V_(g-d)]			+10% -10%
✖Psi (ψ) est le potentiel de surface d'un FET. C'est la différence de potentiel entre la surface du semi-conducteur et le semi-conducteur massif.ⓘ Psi [Ψ₀]			+10% -10%

✖La capacité grille-drain d'un FET est la capacité entre les bornes grille et drain du FET. Cela est dû au chevauchement entre les régions de grille et de drain.ⓘ Capacité de drain de grille du FET [C_(g-d)]

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Formule

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Capacité de drain de grille du FET

Formule

`"C"_{"(g-d)"} = "C"_{"off(g-d)"}/(1-"V"_{"(g-d)"}/"Ψ"_{"0"})^(1/3)`

Exemple

`"9.536121F"="6.47F"/(1-"12.784V"/"0.01859kPa")^(1/3)`

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Capacité de drain de grille du FET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Capacité de la porte à drainer = Temps d'arrêt de la capacité de drainage de la porte/(1-Tension de porte à drain/Psi)^(1/3)
C_(g-d) = C_off(g-d)/(1-V_(g-d)/Ψ₀)^(1/3)
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Capacité de la porte à drainer - (Mesuré en Farad) - La capacité grille-drain d'un FET est la capacité entre les bornes grille et drain du FET. Cela est dû au chevauchement entre les régions de grille et de drain.
Temps d'arrêt de la capacité de drainage de la porte - (Mesuré en Farad) - Le temps d'arrêt de la capacité de drain de grille d'un FET a un impact négatif sur le temps d'arrêt du FET. Le temps de désactivation est le temps nécessaire au FET pour passer de l'état activé à l'état désactivé.
Tension de porte à drain - (Mesuré en Volt) - La tension grille-drain est la différence de tension entre les bornes grille et drain d'un FET. C'est un paramètre important pour le fonctionnement du FET.
Psi - (Mesuré en Pascal) - Psi (ψ) est le potentiel de surface d'un FET. C'est la différence de potentiel entre la surface du semi-conducteur et le semi-conducteur massif.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Temps d'arrêt de la capacité de drainage de la porte: 6.47 Farad --> 6.47 Farad Aucune conversion requise
Tension de porte à drain: 12.784 Volt --> 12.784 Volt Aucune conversion requise
Psi: 0.01859 Kilopascal --> 18.59 Pascal (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

C_(g-d) = C_off(g-d)/(1-V_(g-d)/Ψ₀)^(1/3) --> 6.47/(1-12.784/18.59)^(1/3)

Évaluer ... ...

C_(g-d) = 9.53612056981509

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

9.53612056981509 Farad --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

9.53612056981509 ≈ 9.536121 Farad <-- Capacité de la porte à drainer

(Calcul effectué en 00.020 secondes)

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Crédits

Créé par Mohamed Fazil V

Institut de technologie Acharya (ACI), Bangalore

Mohamed Fazil V a créé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

Vérifié par Parminder Singh

Université de Chandigarh (UC), Pendjab

Parminder Singh a validé cette calculatrice et 600+ autres calculatrices!

< 10+ FET Calculatrices

Courant de drainage de la région ohmique du FET

Aller Courant de vidange = Conductance du canal*(Tension de drain vers la source+3/2*((Psi+Gain à la tension source-Tension de drain vers la source)^(3/2)-(Psi+Gain à la tension source)^(3/2))/((Psi+Tension de pincement)^(1/2)))

Transconductance du FET

Aller Transconductance directe = (2*Courant de drain de polarisation nulle)/Tension de pincement*(1-Gain à la tension source/Tension de pincement)

Tension de source de drain du FET

Aller Tension de drain vers la source = Tension d'alimentation au drain-Courant de vidange*(Résistance aux fuites+Résistance à la source)

Courant de drain du FET

Aller Courant de vidange = Courant de drain de polarisation nulle*(1-Gain à la tension source/Gain de coupure par rapport à la tension source)^2

Capacité du substrat de porte du FET

Aller Capacité du substrat de porte = Temps d'arrêt de la capacité du substrat de porte/(1-(Tension du substrat de porte/Psi))^(1/2)

Capacité de drain de grille du FET

Aller Capacité de la porte à drainer = Temps d'arrêt de la capacité de drainage de la porte/(1-Tension de porte à drain/Psi)^(1/3)

Capacité de source de porte du FET

Aller Capacité porte à source = Temps d'arrêt de la capacité de la source de porte/(1-(Gain à la tension source/Psi))^(1/3)

Pincer la tension du FET

Aller Tension de pincement = Pincez le drain vers la tension source-Gain à la tension source

Transconductance directe du FET

Aller Transconductance directe = Courant de vidange/Gain à la tension source

Gain de tension du FET

Aller Gain de tension = -Transconductance directe*Résistance aux fuites

Capacité de drain de grille du FET Formule

Capacité de la porte à drainer = Temps d'arrêt de la capacité de drainage de la porte/(1-Tension de porte à drain/Psi)^(1/3)
C_(g-d) = C_off(g-d)/(1-V_(g-d)/Ψ₀)^(1/3)

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