Ruisfactor GaAs MESFET Rekenmachine

✖Hoekfrequentie verwijst naar de snelheid waarmee een sinusoïdale golfvorm oscilleert in de context van elektrische circuits en signalen.ⓘ Hoekfrequentie [ω]			+10% -10%
✖Gate Source Capacitance verwijst naar de capaciteit tussen de gate- en source-aansluitingen van een veldeffecttransistor (FET).ⓘ Gate-broncapaciteit [C_gs]			+10% -10%
✖Transconductantie van de MESFET is een sleutelparameter in MESFET's, die de verandering in drainstroom vertegenwoordigt ten opzichte van de verandering in gate-source-spanning.ⓘ Transconductantie van de MESFET [G_m]			+10% -10%
✖Bronweerstand verwijst naar de weerstand die is gekoppeld aan de bronaansluiting van de transistor.ⓘ Bron weerstand [R_s]			+10% -10%
✖Poortweerstand verwijst naar de weerstand die is gekoppeld aan de poortaansluiting van een veldeffecttransistor (FET).ⓘ Poort weerstand [R_gate]			+10% -10%
✖Ingangsweerstand verwijst naar de weerstand die wordt aangeboden aan de ingangsterminal van het apparaat.ⓘ Ingangsweerstand [R_i]			+10% -10%

✖De ruisfactor is een maatstaf voor de mate waarin een apparaat de signaal-ruisverhouding (SNR) van een signaal verslechtert terwijl het doorgaat.ⓘ Ruisfactor GaAs MESFET [NF]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Ruisfactor GaAs MESFET

Formule

`"NF" = 1+2*"ω"*"C"_{"gs"}/"G"_{"m"}*sqrt(("R"_{"s"}-"R"_{"gate"})/"R"_{"i"})`

Voorbeeld

`"1.087179dB"=1+2*"53.25rad/s"*"56μF"/"0.063072S"*sqrt(("5Ω"-"1.6Ω")/"4Ω")`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Microgolf-halfgeleiders Formule Pdf PDF Image

Ruisfactor GaAs MESFET Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Ruisfactor = 1+2*Hoekfrequentie*Gate-broncapaciteit/Transconductantie van de MESFET*sqrt((Bron weerstand-Poort weerstand)/Ingangsweerstand)
NF = 1+2*ω*C_gs/G_m*sqrt((R_s-R_gate)/R_i)
Deze formule gebruikt 1 Functies, 7 Variabelen

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het gegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Ruisfactor - (Gemeten in Decibel) - De ruisfactor is een maatstaf voor de mate waarin een apparaat de signaal-ruisverhouding (SNR) van een signaal verslechtert terwijl het doorgaat.
Hoekfrequentie - (Gemeten in Radiaal per seconde) - Hoekfrequentie verwijst naar de snelheid waarmee een sinusoïdale golfvorm oscilleert in de context van elektrische circuits en signalen.
Gate-broncapaciteit - (Gemeten in Farad) - Gate Source Capacitance verwijst naar de capaciteit tussen de gate- en source-aansluitingen van een veldeffecttransistor (FET).
Transconductantie van de MESFET - (Gemeten in Siemens) - Transconductantie van de MESFET is een sleutelparameter in MESFET's, die de verandering in drainstroom vertegenwoordigt ten opzichte van de verandering in gate-source-spanning.
Bron weerstand - (Gemeten in Ohm) - Bronweerstand verwijst naar de weerstand die is gekoppeld aan de bronaansluiting van de transistor.
Poort weerstand - (Gemeten in Ohm) - Poortweerstand verwijst naar de weerstand die is gekoppeld aan de poortaansluiting van een veldeffecttransistor (FET).
Ingangsweerstand - (Gemeten in Ohm) - Ingangsweerstand verwijst naar de weerstand die wordt aangeboden aan de ingangsterminal van het apparaat.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Hoekfrequentie: 53.25 Radiaal per seconde --> 53.25 Radiaal per seconde Geen conversie vereist
Gate-broncapaciteit: 56 Microfarad --> 5.6E-05 Farad (Bekijk de conversie hier)
Transconductantie van de MESFET: 0.063072 Siemens --> 0.063072 Siemens Geen conversie vereist
Bron weerstand: 5 Ohm --> 5 Ohm Geen conversie vereist
Poort weerstand: 1.6 Ohm --> 1.6 Ohm Geen conversie vereist
Ingangsweerstand: 4 Ohm --> 4 Ohm Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

NF = 1+2*ω*C_gs/G_m*sqrt((R_s-R_gate)/R_i) --> 1+2*53.25*5.6E-05/0.063072*sqrt((5-1.6)/4)

Evalueren ... ...

NF = 1.08717872137128

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.08717872137128 Decibel --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.08717872137128 ≈ 1.087179 Decibel <-- Ruisfactor

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Magnetron theorie » Microgolf-halfgeleiders » Transistorversterkers » Ruisfactor GaAs MESFET

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 10+ Transistorversterkers Rekenmachines

Vermogensversterking van de neerwaartse converter gegeven degradatiefactor

Gaan Vermogensversterking van de downconverter = Signaalfrequentie/Uitgangsfrequentie*(Signaalfrequentie/Uitgangsfrequentie*(Maat van verdienste)^2)/(1+sqrt(1+(Signaalfrequentie/Uitgangsfrequentie*(Maat van verdienste)^2)))^2

Versterkingsdegradatiefactor voor MESFET

Gaan Verkrijg degradatiefactor = Uitgangsfrequentie/Signaalfrequentie*(Signaalfrequentie/Uitgangsfrequentie*(Maat van verdienste)^2)/(1+sqrt(1+(Signaalfrequentie/Uitgangsfrequentie*(Maat van verdienste)^2)))^2

Ruisfactor GaAs MESFET

Gaan Ruisfactor = 1+2*Hoekfrequentie*Gate-broncapaciteit/Transconductantie van de MESFET*sqrt((Bron weerstand-Poort weerstand)/Ingangsweerstand)

Maximale bedrijfsfrequentie

Gaan Maximale bedrijfsfrequentie = MESFET-afsnijfrequentie/2*sqrt(Afvoerweerstand/(Bron weerstand+Ingangsweerstand+Weerstand tegen metallisatie van poorten))

Maximaal toegestaan vermogen

Gaan Maximaal toegestaan vermogen = 1/(Reactantie*Afsnijfrequentie transittijd^2)*(Maximaal elektrisch veld*Maximale verzadigingsdriftsnelheid/(2*pi))^2

Maximale vermogenswinst van microgolftransistor

Gaan Maximale vermogenswinst van een microgolftransistor = (Afsnijfrequentie transittijd/Frequentie van vermogensversterking)^2*Uitgangsimpedantie/Ingangsimpedantie

Transconductantie in het verzadigingsgebied in MESFET

Gaan Transconductantie van de MESFET = Uitgangsgeleiding*(1-sqrt((Ingangsspanning-Drempelspanning)/Afknijpspanning))

MESFET-afsnijfrequentie

Gaan MESFET-afsnijfrequentie = Transconductantie van de MESFET/(2*pi*Gate-broncapaciteit)

Doorgangshoek

Gaan Doorgangshoek = Hoekfrequentie*Lengte van driftruimte/Driftsnelheid van de drager

Maximale frequentie van oscillatie

Gaan Maximale frequentie van oscillatie = Verzadigingssnelheid/(2*pi*Kanaallengte)

Ruisfactor GaAs MESFET Formule

Ruisfactor = 1+2*Hoekfrequentie*Gate-broncapaciteit/Transconductantie van de MESFET*sqrt((Bron weerstand-Poort weerstand)/Ingangsweerstand)
NF = 1+2*ω*C_gs/G_m*sqrt((R_s-R_gate)/R_i)

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!