Fattore di rumore GaAs MESFET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Fattore di rumore = 1+2*Frequenza angolare*Capacità della sorgente di gate/Transconduttanza del MESFET*sqrt((Resistenza alla fonte-Resistenza al cancello)/Resistenza in ingresso)
NF = 1+2*ω*Cgs/Gm*sqrt((Rs-Rgate)/Ri)
Questa formula utilizza 1 Funzioni, 7 Variabili
Funzioni utilizzate
sqrt - Una funzione radice quadrata è una funzione che accetta un numero non negativo come input e restituisce la radice quadrata del numero di input specificato., sqrt(Number)
Variabili utilizzate
Fattore di rumore - (Misurato in Decibel) - Il fattore di rumore è una misura di quanto un dispositivo degrada il rapporto segnale-rumore (SNR) di un segnale mentre lo attraversa.
Frequenza angolare - (Misurato in Radiante al secondo) - La frequenza angolare si riferisce alla velocità con cui una forma d'onda sinusoidale oscilla nel contesto di circuiti e segnali elettrici.
Capacità della sorgente di gate - (Misurato in Farad) - La capacità di gate source si riferisce alla capacità tra i terminali di gate e source di un transistor ad effetto di campo (FET).
Transconduttanza del MESFET - (Misurato in Siemens) - La transconduttanza del MESFET è un parametro chiave nei MESFET, che rappresenta la variazione della corrente di drain rispetto alla variazione della tensione gate-source.
Resistenza alla fonte - (Misurato in Ohm) - La resistenza della sorgente si riferisce alla resistenza associata al terminale sorgente del transistor.
Resistenza al cancello - (Misurato in Ohm) - La resistenza di gate si riferisce alla resistenza associata al terminale di gate di un transistor ad effetto di campo (FET).
Resistenza in ingresso - (Misurato in Ohm) - La resistenza di ingresso si riferisce alla resistenza presentata al terminale di ingresso del dispositivo.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Frequenza angolare: 53.25 Radiante al secondo --> 53.25 Radiante al secondo Nessuna conversione richiesta
Capacità della sorgente di gate: 56 Microfarad --> 5.6E-05 Farad (Controlla la conversione ​qui)
Transconduttanza del MESFET: 0.063072 Siemens --> 0.063072 Siemens Nessuna conversione richiesta
Resistenza alla fonte: 5 Ohm --> 5 Ohm Nessuna conversione richiesta
Resistenza al cancello: 1.6 Ohm --> 1.6 Ohm Nessuna conversione richiesta
Resistenza in ingresso: 4 Ohm --> 4 Ohm Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
NF = 1+2*ω*Cgs/Gm*sqrt((Rs-Rgate)/Ri) --> 1+2*53.25*5.6E-05/0.063072*sqrt((5-1.6)/4)
Valutare ... ...
NF = 1.08717872137128
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
1.08717872137128 Decibel --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
1.08717872137128 1.087179 Decibel <-- Fattore di rumore
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

Creator Image
Creato da banuprakash
Dayananda Sagar College di Ingegneria (DSCE), Bangalore
banuprakash ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
Verifier Image
Verificato da Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology (COLPO), Calcutta
Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!

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Guadagno di potenza del convertitore in basso dato il fattore di degradazione
​ Partire Guadagno di potenza del down converter = Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)))^2
Ottieni il fattore di degradazione per MESFET
​ Partire Guadagno fattore di degradazione = Frequenza di uscita/Frequenza del segnale*(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequenza del segnale/Frequenza di uscita*(Persona di merito)^2)))^2
Fattore di rumore GaAs MESFET
​ Partire Fattore di rumore = 1+2*Frequenza angolare*Capacità della sorgente di gate/Transconduttanza del MESFET*sqrt((Resistenza alla fonte-Resistenza al cancello)/Resistenza in ingresso)
Frequenza operativa massima
​ Partire Frequenza operativa massima = Frequenza di taglio MESFET/2*sqrt(Resistenza allo scarico/(Resistenza alla fonte+Resistenza in ingresso+Resistenza alla metallizzazione del cancello))
Potenza massima consentita
​ Partire Potenza massima consentita = 1/(Reattanza*Frequenza limite del tempo di transito^2)*(Campo elettrico massimo*Massima velocità di deriva della saturazione/(2*pi))^2
Guadagno di potenza massimo del transistor a microonde
​ Partire Guadagno di potenza massimo di un transistor a microonde = (Frequenza limite del tempo di transito/Frequenza del guadagno di potenza)^2*Impedenza di uscita/Impedenza di ingresso
Transconduttanza nella regione di saturazione in MESFET
​ Partire Transconduttanza del MESFET = Conduttanza di uscita*(1-sqrt((Tensione di ingresso-Soglia di voltaggio)/Tensione di pinch-off))
Angolo di transito
​ Partire Angolo di transito = Frequenza angolare*Lunghezza dello spazio di deriva/Velocità di deriva del portatore
Frequenza di taglio MESFET
​ Partire Frequenza di taglio MESFET = Transconduttanza del MESFET/(2*pi*Capacità della sorgente di gate)
Frequenza massima di oscillazione
​ Partire Frequenza massima di oscillazione = Velocità di saturazione/(2*pi*Lunghezza del canale)

Fattore di rumore GaAs MESFET Formula

Fattore di rumore = 1+2*Frequenza angolare*Capacità della sorgente di gate/Transconduttanza del MESFET*sqrt((Resistenza alla fonte-Resistenza al cancello)/Resistenza in ingresso)
NF = 1+2*ω*Cgs/Gm*sqrt((Rs-Rgate)/Ri)
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