Factor de ruido GaAs MESFET Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
factor de ruido = 1+2*Frecuencia angular*Capacitancia de la fuente de puerta/Transconductancia del MESFET*sqrt((Resistencia de la fuente-Resistencia de la puerta)/Resistencia de entrada)
NF = 1+2*ω*Cgs/Gm*sqrt((Rs-Rgate)/Ri)
Esta fórmula usa 1 Funciones, 7 Variables
Funciones utilizadas
sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)
Variables utilizadas
factor de ruido - (Medido en Decibel) - El factor de ruido es una medida de cuánto degrada un dispositivo la relación señal-ruido (SNR) de una señal a medida que pasa.
Frecuencia angular - (Medido en radianes por segundo) - La frecuencia angular se refiere a la velocidad a la que oscila una forma de onda sinusoidal en el contexto de circuitos y señales eléctricos.
Capacitancia de la fuente de puerta - (Medido en Faradio) - La capacitancia de fuente de puerta se refiere a la capacitancia entre los terminales de puerta y fuente de un transistor de efecto de campo (FET).
Transconductancia del MESFET - (Medido en Siemens) - La transconductancia del MESFET es un parámetro clave en los MESFET, que representa el cambio en la corriente de drenaje con respecto al cambio en el voltaje de la puerta-fuente.
Resistencia de la fuente - (Medido en Ohm) - La resistencia de fuente se refiere a la resistencia asociada con el terminal de fuente del transistor.
Resistencia de la puerta - (Medido en Ohm) - La resistencia de puerta se refiere a la resistencia asociada con el terminal de puerta de un transistor de efecto de campo (FET).
Resistencia de entrada - (Medido en Ohm) - La resistencia de entrada se refiere a la resistencia presentada al terminal de entrada del dispositivo.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Frecuencia angular: 53.25 radianes por segundo --> 53.25 radianes por segundo No se requiere conversión
Capacitancia de la fuente de puerta: 56 Microfaradio --> 5.6E-05 Faradio (Verifique la conversión ​aquí)
Transconductancia del MESFET: 0.063072 Siemens --> 0.063072 Siemens No se requiere conversión
Resistencia de la fuente: 5 Ohm --> 5 Ohm No se requiere conversión
Resistencia de la puerta: 1.6 Ohm --> 1.6 Ohm No se requiere conversión
Resistencia de entrada: 4 Ohm --> 4 Ohm No se requiere conversión
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
NF = 1+2*ω*Cgs/Gm*sqrt((Rs-Rgate)/Ri) --> 1+2*53.25*5.6E-05/0.063072*sqrt((5-1.6)/4)
Evaluar ... ...
NF = 1.08717872137128
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
1.08717872137128 Decibel --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
1.08717872137128 1.087179 Decibel <-- factor de ruido
(Cálculo completado en 00.020 segundos)

Créditos

Creator Image
Creado por banuprakash
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
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Verificada por Dipanjona Mallick
Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta
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Ganancia de potencia del convertidor reductor dado el factor de degradación
​ Vamos Ganancia de potencia del convertidor reductor = Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)))^2
Ganar factor de degradación para MESFET
​ Vamos Ganar factor de degradación = Frecuencia de salida/Frecuencia de señal*(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frecuencia de señal/Frecuencia de salida*(Figura de mérito)^2)))^2
Factor de ruido GaAs MESFET
​ Vamos factor de ruido = 1+2*Frecuencia angular*Capacitancia de la fuente de puerta/Transconductancia del MESFET*sqrt((Resistencia de la fuente-Resistencia de la puerta)/Resistencia de entrada)
Frecuencia máxima de funcionamiento
​ Vamos Frecuencia máxima de funcionamiento = Frecuencia de corte MESFET/2*sqrt(Resistencia al drenaje/(Resistencia de la fuente+Resistencia de entrada+Resistencia a la metalización de la puerta))
Potencia máxima permitida
​ Vamos Potencia máxima permitida = 1/(Resistencia reactiva*Frecuencia de corte del tiempo de tránsito^2)*(Campo eléctrico máximo*Velocidad máxima de deriva de saturación/(2*pi))^2
Máxima ganancia de potencia del transistor de microondas
​ Vamos Máxima ganancia de potencia de un transistor de microondas = (Frecuencia de corte del tiempo de tránsito/Frecuencia de ganancia de potencia)^2*Impedancia de salida/Impedencia de entrada
Transconductancia en la región de saturación en MESFET
​ Vamos Transconductancia del MESFET = Conductancia de salida*(1-sqrt((Voltaje de entrada-Voltaje umbral)/Voltaje de pellizco))
Ángulo de tránsito
​ Vamos Ángulo de tránsito = Frecuencia angular*Longitud del espacio de deriva/Velocidad de deriva del portador
Frecuencia de corte MESFET
​ Vamos Frecuencia de corte MESFET = Transconductancia del MESFET/(2*pi*Capacitancia de la fuente de puerta)
Frecuencia máxima de oscilación
​ Vamos Frecuencia máxima de oscilación = Velocidad de saturación/(2*pi*Longitud del canal)

Factor de ruido GaAs MESFET Fórmula

factor de ruido = 1+2*Frecuencia angular*Capacitancia de la fuente de puerta/Transconductancia del MESFET*sqrt((Resistencia de la fuente-Resistencia de la puerta)/Resistencia de entrada)
NF = 1+2*ω*Cgs/Gm*sqrt((Rs-Rgate)/Ri)
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