Rauschfaktor GaAs MESFET Taschenrechner

✖Die Winkelfrequenz bezeichnet die Geschwindigkeit, mit der eine sinusförmige Wellenform im Zusammenhang mit elektrischen Schaltkreisen und Signalen schwingt.ⓘ Winkelfrequenz [ω]			+10% -10%
✖Die Gate-Source-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET).ⓘ Gate-Source-Kapazität [C_gs]			+10% -10%
✖Die Transkonduktanz des MESFET ist ein Schlüsselparameter in MESFETs und stellt die Änderung des Drain-Stroms in Bezug auf die Änderung der Gate-Source-Spannung dar.ⓘ Transkonduktanz des MESFET [G_m]			+10% -10%
✖Der Quellenwiderstand bezieht sich auf den Widerstand, der dem Quellenanschluss des Transistors zugeordnet ist.ⓘ Quellenwiderstand [R_s]			+10% -10%
✖Der Gate-Widerstand bezieht sich auf den Widerstand, der mit dem Gate-Anschluss eines Feldeffekttransistors (FET) verbunden ist.ⓘ Gate-Widerstand [R_gate]			+10% -10%
✖Der Eingangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand, der am Eingangsanschluss des Geräts anliegt.ⓘ Eingangswiderstand [R_i]			+10% -10%

✖Der Rauschfaktor ist ein Maß dafür, wie stark ein Gerät das Signal-Rausch-Verhältnis (SNR) eines Signals beim Durchgang verschlechtert.ⓘ Rauschfaktor GaAs MESFET [NF]

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Formel

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Rauschfaktor GaAs MESFET

Formel

`"NF" = 1+2*"ω"*"C"_{"gs"}/"G"_{"m"}*sqrt(("R"_{"s"}-"R"_{"gate"})/"R"_{"i"})`

Beispiel

`"1.087179dB"=1+2*"53.25rad/s"*"56μF"/"0.063072S"*sqrt(("5Ω"-"1.6Ω")/"4Ω")`

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Rauschfaktor GaAs MESFET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Lärmfaktor = 1+2*Winkelfrequenz*Gate-Source-Kapazität/Transkonduktanz des MESFET*sqrt((Quellenwiderstand-Gate-Widerstand)/Eingangswiderstand)
NF = 1+2*ω*C_gs/G_m*sqrt((R_s-R_gate)/R_i)
Diese formel verwendet 1 Funktionen, 7 Variablen

Verwendete Funktionen

sqrt - Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt., sqrt(Number)

Verwendete Variablen

Lärmfaktor - (Gemessen in Dezibel) - Der Rauschfaktor ist ein Maß dafür, wie stark ein Gerät das Signal-Rausch-Verhältnis (SNR) eines Signals beim Durchgang verschlechtert.
Winkelfrequenz - (Gemessen in Radiant pro Sekunde) - Die Winkelfrequenz bezeichnet die Geschwindigkeit, mit der eine sinusförmige Wellenform im Zusammenhang mit elektrischen Schaltkreisen und Signalen schwingt.
Gate-Source-Kapazität - (Gemessen in Farad) - Die Gate-Source-Kapazität bezieht sich auf die Kapazität zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET).
Transkonduktanz des MESFET - (Gemessen in Siemens) - Die Transkonduktanz des MESFET ist ein Schlüsselparameter in MESFETs und stellt die Änderung des Drain-Stroms in Bezug auf die Änderung der Gate-Source-Spannung dar.
Quellenwiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Quellenwiderstand bezieht sich auf den Widerstand, der dem Quellenanschluss des Transistors zugeordnet ist.
Gate-Widerstand - (Gemessen in Ohm) - Der Gate-Widerstand bezieht sich auf den Widerstand, der mit dem Gate-Anschluss eines Feldeffekttransistors (FET) verbunden ist.
Eingangswiderstand - (Gemessen in Ohm) - Der Eingangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand, der am Eingangsanschluss des Geräts anliegt.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Winkelfrequenz: 53.25 Radiant pro Sekunde --> 53.25 Radiant pro Sekunde Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Source-Kapazität: 56 Mikrofarad --> 5.6E-05 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Transkonduktanz des MESFET: 0.063072 Siemens --> 0.063072 Siemens Keine Konvertierung erforderlich
Quellenwiderstand: 5 Ohm --> 5 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Gate-Widerstand: 1.6 Ohm --> 1.6 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Eingangswiderstand: 4 Ohm --> 4 Ohm Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

NF = 1+2*ω*C_gs/G_m*sqrt((R_s-R_gate)/R_i) --> 1+2*53.25*5.6E-05/0.063072*sqrt((5-1.6)/4)

Auswerten ... ...

NF = 1.08717872137128

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

1.08717872137128 Dezibel --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

1.08717872137128 ≈ 1.087179 Dezibel <-- Lärmfaktor

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Dipanjona Mallick

Heritage Institute of Technology (HITK), Kalkutta

Dipanjona Mallick hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Leistungsgewinn des Abwärtswandlers bei gegebenem Degradationsfaktor

Gehen Leistungsverstärkung des Abwärtswandlers = Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)/(1+sqrt(1+(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)))^2

Verstärkungsdegradationsfaktor für MESFET

Gehen Degradationsfaktor gewinnen = Ausgangsfrequenz/Signalfrequenz*(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)/(1+sqrt(1+(Signalfrequenz/Ausgangsfrequenz*(Leistungszahl)^2)))^2

Rauschfaktor GaAs MESFET

Gehen Lärmfaktor = 1+2*Winkelfrequenz*Gate-Source-Kapazität/Transkonduktanz des MESFET*sqrt((Quellenwiderstand-Gate-Widerstand)/Eingangswiderstand)

Maximale Betriebsfrequenz

Gehen Maximale Betriebsfrequenz = MESFET-Grenzfrequenz/2*sqrt(Abflusswiderstand/(Quellenwiderstand+Eingangswiderstand+Widerstand der Gate-Metallisierung))

Maximal zulässige Leistung

Gehen Maximal zulässige Leistung = 1/(Reaktanz*Transitzeit-Grenzfrequenz^2)*(Maximales elektrisches Feld*Maximale Sättigungsdriftgeschwindigkeit/(2*pi))^2

Maximale Leistungsverstärkung des Mikrowellentransistors

Gehen Maximale Leistungsverstärkung eines Mikrowellentransistors = (Transitzeit-Grenzfrequenz/Frequenz der Leistungsverstärkung)^2*Ausgangsimpedanz/Eingangsimpedanz

Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET

Gehen Transkonduktanz des MESFET = Ausgangsleitfähigkeit*(1-sqrt((Eingangsspannung-Grenzspannung)/Abschnürspannung))

MESFET-Grenzfrequenz

Gehen MESFET-Grenzfrequenz = Transkonduktanz des MESFET/(2*pi*Gate-Source-Kapazität)

Transitwinkel

Gehen Transitwinkel = Winkelfrequenz*Länge des Driftraums/Trägerdriftgeschwindigkeit

Maximale Schwingungsfrequenz

Gehen Maximale Schwingungsfrequenz = Sättigungsgeschwindigkeit/(2*pi*Kanallänge)

Rauschfaktor GaAs MESFET Formel

Lärmfaktor = 1+2*Winkelfrequenz*Gate-Source-Kapazität/Transkonduktanz des MESFET*sqrt((Quellenwiderstand-Gate-Widerstand)/Eingangswiderstand)
NF = 1+2*ω*C_gs/G_m*sqrt((R_s-R_gate)/R_i)

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