Facteur de bruit GaAs MESFET Calculatrice

✖La fréquence angulaire fait référence à la vitesse à laquelle une forme d'onde sinusoïdale oscille dans le contexte de circuits et de signaux électriques.ⓘ Fréquence angulaire [ω]			+10% -10%
✖La capacité de source de grille fait référence à la capacité entre les bornes de grille et de source d'un transistor à effet de champ (FET).ⓘ Capacité de la source de porte [C_gs]			+10% -10%
✖La transconductance du MESFET est un paramètre clé dans les MESFET, représentant la modification du courant de drain par rapport à la modification de la tension grille-source.ⓘ Transconductance du MESFET [G_m]			+10% -10%
✖La résistance de source fait référence à la résistance associée à la borne source du transistor.ⓘ Résistance à la source [R_s]			+10% -10%
✖La résistance de grille fait référence à la résistance associée à la borne de grille d'un transistor à effet de champ (FET).ⓘ Résistance de porte [R_gate]			+10% -10%
✖La résistance d'entrée fait référence à la résistance présentée à la borne d'entrée de l'appareil.ⓘ Résistance d'entrée [R_i]			+10% -10%

✖Le facteur de bruit est une mesure de la mesure dans laquelle un appareil dégrade le rapport signal/bruit (SNR) d'un signal lors de son passage.ⓘ Facteur de bruit GaAs MESFET [NF]

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Formule

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Facteur de bruit GaAs MESFET

Formule

`"NF" = 1+2*"ω"*"C"_{"gs"}/"G"_{"m"}*sqrt(("R"_{"s"}-"R"_{"gate"})/"R"_{"i"})`

Exemple

`"1.087179dB"=1+2*"53.25rad/s"*"56μF"/"0.063072S"*sqrt(("5Ω"-"1.6Ω")/"4Ω")`

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Facteur de bruit GaAs MESFET Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Facteur de bruit = 1+2*Fréquence angulaire*Capacité de la source de porte/Transconductance du MESFET*sqrt((Résistance à la source-Résistance de porte)/Résistance d'entrée)
NF = 1+2*ω*C_gs/G_m*sqrt((R_s-R_gate)/R_i)
Cette formule utilise 1 Les fonctions, 7 Variables

Fonctions utilisées

sqrt - Une fonction racine carrée est une fonction qui prend un nombre non négatif comme entrée et renvoie la racine carrée du nombre d'entrée donné., sqrt(Number)

Variables utilisées

Facteur de bruit - (Mesuré en Décibel) - Le facteur de bruit est une mesure de la mesure dans laquelle un appareil dégrade le rapport signal/bruit (SNR) d'un signal lors de son passage.
Fréquence angulaire - (Mesuré en Radian par seconde) - La fréquence angulaire fait référence à la vitesse à laquelle une forme d'onde sinusoïdale oscille dans le contexte de circuits et de signaux électriques.
Capacité de la source de porte - (Mesuré en Farad) - La capacité de source de grille fait référence à la capacité entre les bornes de grille et de source d'un transistor à effet de champ (FET).
Transconductance du MESFET - (Mesuré en Siemens) - La transconductance du MESFET est un paramètre clé dans les MESFET, représentant la modification du courant de drain par rapport à la modification de la tension grille-source.
Résistance à la source - (Mesuré en Ohm) - La résistance de source fait référence à la résistance associée à la borne source du transistor.
Résistance de porte - (Mesuré en Ohm) - La résistance de grille fait référence à la résistance associée à la borne de grille d'un transistor à effet de champ (FET).
Résistance d'entrée - (Mesuré en Ohm) - La résistance d'entrée fait référence à la résistance présentée à la borne d'entrée de l'appareil.

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Fréquence angulaire: 53.25 Radian par seconde --> 53.25 Radian par seconde Aucune conversion requise
Capacité de la source de porte: 56 microfarades --> 5.6E-05 Farad (Vérifiez la conversion ici)
Transconductance du MESFET: 0.063072 Siemens --> 0.063072 Siemens Aucune conversion requise
Résistance à la source: 5 Ohm --> 5 Ohm Aucune conversion requise
Résistance de porte: 1.6 Ohm --> 1.6 Ohm Aucune conversion requise
Résistance d'entrée: 4 Ohm --> 4 Ohm Aucune conversion requise

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

NF = 1+2*ω*C_gs/G_m*sqrt((R_s-R_gate)/R_i) --> 1+2*53.25*5.6E-05/0.063072*sqrt((5-1.6)/4)

Évaluer ... ...

NF = 1.08717872137128

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

1.08717872137128 Décibel --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

1.08717872137128 ≈ 1.087179 Décibel <-- Facteur de bruit

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Vérifié par Dipanjona Mallick

Institut du patrimoine de technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 10+ Amplificateurs à transistors Calculatrices

Gain de puissance du convertisseur abaisseur compte tenu du facteur de dégradation

Aller Gain de puissance du convertisseur abaisseur = Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)/(1+sqrt(1+(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)))^2

Gain du facteur de dégradation pour MESFET

Aller Gain du facteur de dégradation = Fréquence de sortie/Fréquence du signal*(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)/(1+sqrt(1+(Fréquence du signal/Fréquence de sortie*(Symbole de mérite)^2)))^2

Facteur de bruit GaAs MESFET

Aller Facteur de bruit = 1+2*Fréquence angulaire*Capacité de la source de porte/Transconductance du MESFET*sqrt((Résistance à la source-Résistance de porte)/Résistance d'entrée)

Fréquence de fonctionnement maximale

Aller Fréquence de fonctionnement maximale = Fréquence de coupure MESFET/2*sqrt(Résistance aux fuites/(Résistance à la source+Résistance d'entrée+Résistance de métallisation de porte))

Puissance maximale autorisée

Aller Puissance maximale autorisée = 1/(Réactance*Fréquence limite du temps de transit^2)*(Champ électrique maximal*Vitesse maximale de dérive de saturation/(2*pi))^2

Gain de puissance maximal du transistor micro-ondes

Aller Gain de puissance maximal d'un transistor micro-ondes = (Fréquence limite du temps de transit/Fréquence de gain de puissance)^2*Impédance de sortie/Impédance d'entrée

Transconductance dans la région de saturation dans MESFET

Aller Transconductance du MESFET = Conductance de sortie*(1-sqrt((Tension d'entrée-Tension de seuil)/Tension de pincement))

Angle de transit

Aller Angle de transit = Fréquence angulaire*Longueur de l'espace de dérive/Vitesse de dérive du transporteur

Fréquence de coupure MESFET

Aller Fréquence de coupure MESFET = Transconductance du MESFET/(2*pi*Capacité de la source de porte)

Fréquence maximale d'oscillation

Aller Fréquence maximale d'oscillation = Vitesse de saturation/(2*pi*Longueur du canal)

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