Fator de Ruído GaAs MESFET Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Fator de ruído = 1+2*Frequência angular*Capacitância da Fonte da Porta/Transcondutância do MESFET*sqrt((Resistência da Fonte-Resistência do portão)/Resistência de entrada)
NF = 1+2*ω*Cgs/Gm*sqrt((Rs-Rgate)/Ri)
Esta fórmula usa 1 Funções, 7 Variáveis
Funções usadas
sqrt - Uma função de raiz quadrada é uma função que recebe um número não negativo como entrada e retorna a raiz quadrada do número de entrada fornecido., sqrt(Number)
Variáveis Usadas
Fator de ruído - (Medido em Decibel) - Fator de ruído é uma medida de quanto um dispositivo degrada a relação sinal-ruído (SNR) de um sinal à medida que ele passa.
Frequência angular - (Medido em Radiano por Segundo) - Frequência angular refere-se à taxa na qual uma forma de onda senoidal oscila no contexto de circuitos e sinais elétricos.
Capacitância da Fonte da Porta - (Medido em Farad) - A capacitância da fonte da porta refere-se à capacitância entre os terminais da porta e da fonte de um transistor de efeito de campo (FET).
Transcondutância do MESFET - (Medido em Siemens) - A transcondutância do MESFET é um parâmetro chave nos MESFETs, representando a mudança na corrente de dreno em relação à mudança na tensão porta-fonte.
Resistência da Fonte - (Medido em Ohm) - A resistência da fonte refere-se à resistência associada ao terminal da fonte do transistor.
Resistência do portão - (Medido em Ohm) - Resistência de porta refere-se à resistência associada ao terminal de porta de um transistor de efeito de campo (FET).
Resistência de entrada - (Medido em Ohm) - Resistência de entrada refere-se à resistência apresentada ao terminal de entrada do dispositivo.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Frequência angular: 53.25 Radiano por Segundo --> 53.25 Radiano por Segundo Nenhuma conversão necessária
Capacitância da Fonte da Porta: 56 Microfarad --> 5.6E-05 Farad (Verifique a conversão ​aqui)
Transcondutância do MESFET: 0.063072 Siemens --> 0.063072 Siemens Nenhuma conversão necessária
Resistência da Fonte: 5 Ohm --> 5 Ohm Nenhuma conversão necessária
Resistência do portão: 1.6 Ohm --> 1.6 Ohm Nenhuma conversão necessária
Resistência de entrada: 4 Ohm --> 4 Ohm Nenhuma conversão necessária
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
NF = 1+2*ω*Cgs/Gm*sqrt((Rs-Rgate)/Ri) --> 1+2*53.25*5.6E-05/0.063072*sqrt((5-1.6)/4)
Avaliando ... ...
NF = 1.08717872137128
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
1.08717872137128 Decibel --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
1.08717872137128 1.087179 Decibel <-- Fator de ruído
(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

Créditos

Creator Image
Criado por banuprakash
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore
banuprakash criou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
Verifier Image
Verificado por Dipanjona Mallick
Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá
Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

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Ganho de potência do conversor descendente dado o Fator de Degradação
​ Vai Ganho de potência do conversor descendente = Frequência do sinal/Frequência de saída*(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)))^2
Ganhe fator de degradação para MESFET
​ Vai Ganhe fator de degradação = Frequência de saída/Frequência do sinal*(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)/(1+sqrt(1+(Frequência do sinal/Frequência de saída*(Figura de mérito)^2)))^2
Fator de Ruído GaAs MESFET
​ Vai Fator de ruído = 1+2*Frequência angular*Capacitância da Fonte da Porta/Transcondutância do MESFET*sqrt((Resistência da Fonte-Resistência do portão)/Resistência de entrada)
Frequência máxima de operação
​ Vai Frequência máxima de operação = Frequência de corte MESFET/2*sqrt(Resistência à drenagem/(Resistência da Fonte+Resistência de entrada+Resistência à Metalização de Portas))
Potência máxima permitida
​ Vai Potência máxima permitida = 1/(Reatância*Frequência de corte do tempo de trânsito^2)*(Campo Elétrico Máximo*Velocidade máxima de desvio de saturação/(2*pi))^2
Ganho máximo de potência do transistor de microondas
​ Vai Ganho máximo de potência de um transistor de micro-ondas = (Frequência de corte do tempo de trânsito/Frequência de ganho de potência)^2*Impedância de saída/Impedância de entrada
Transcondutância na região de saturação no MESFET
​ Vai Transcondutância do MESFET = Condutância de saída*(1-sqrt((Tensão de entrada-Tensão de limiar)/Tensão de pinçamento))
Ângulo de Trânsito
​ Vai Ângulo de Trânsito = Frequência angular*Comprimento do espaço de deriva/Velocidade de deriva do transportador
Frequência de corte MESFET
​ Vai Frequência de corte MESFET = Transcondutância do MESFET/(2*pi*Capacitância da Fonte da Porta)
Frequência Máxima de Oscilação
​ Vai Frequência Máxima de Oscilação = Velocidade de saturação/(2*pi*Comprimento do canal)

Fator de Ruído GaAs MESFET Fórmula

Fator de ruído = 1+2*Frequência angular*Capacitância da Fonte da Porta/Transcondutância do MESFET*sqrt((Resistência da Fonte-Resistência do portão)/Resistência de entrada)
NF = 1+2*ω*Cgs/Gm*sqrt((Rs-Rgate)/Ri)
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