Thermische evenwichtsconcentratie van minderheidsladingsdrager Rekenmachine

✖Intrinsieke dragerdichtheid is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.ⓘ Intrinsieke dragerdichtheid [n_i]			+10% -10%
✖De dopingconcentratie van base is het aantal onzuiverheden dat aan de base is toegevoegd.ⓘ Dopingconcentratie van base [N_B]			+10% -10%

✖Thermische evenwichtsconcentratie wordt gedefinieerd als de concentratie van dragers in een versterker.ⓘ Thermische evenwichtsconcentratie van minderheidsladingsdrager [n_po]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Thermische evenwichtsconcentratie van minderheidsladingsdrager

Formule

`"n"_{"po"} = (("n"_{"i"})^2)/"N"_{"B"}`

Voorbeeld

`"1.1E^18/m³"=(("4.5E^9/m³")^2)/"19/m³"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden BJT Formule Pdf PDF Image

Thermische evenwichtsconcentratie van minderheidsladingsdrager Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Thermische evenwichtsconcentratie = ((Intrinsieke dragerdichtheid)^2)/Dopingconcentratie van base
n_po = ((n_i)^2)/N_B
Deze formule gebruikt 3 Variabelen

Variabelen gebruikt

Thermische evenwichtsconcentratie - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Thermische evenwichtsconcentratie wordt gedefinieerd als de concentratie van dragers in een versterker.
Intrinsieke dragerdichtheid - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - Intrinsieke dragerdichtheid is het aantal elektronen in de geleidingsband of het aantal gaten in de valentieband in intrinsiek materiaal.
Dopingconcentratie van base - (Gemeten in 1 per kubieke meter) - De dopingconcentratie van base is het aantal onzuiverheden dat aan de base is toegevoegd.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Intrinsieke dragerdichtheid: 4500000000 1 per kubieke meter --> 4500000000 1 per kubieke meter Geen conversie vereist
Dopingconcentratie van base: 19 1 per kubieke meter --> 19 1 per kubieke meter Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

n_po = ((n_i)^2)/N_B --> ((4500000000)^2)/19

Evalueren ... ...

n_po = 1.06578947368421E+18

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.06578947368421E+18 1 per kubieke meter --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.06578947368421E+18 ≈ 1.1E+18 1 per kubieke meter <-- Thermische evenwichtsconcentratie

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » BJT » Analoge elektronica » Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model » Thermische evenwichtsconcentratie van minderheidsladingsdrager

Credits

Gemaakt door Payal Priya

Birsa Institute of Technology (BEETJE), Sindri

Payal Priya heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 600+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 1900+ rekenmachines!

< 10+ Interne capacitieve effecten en hoogfrequent model Rekenmachines

Collector-Base Junction Capaciteit

Gaan Collector-Base Junction Capaciteit = Collector-Base Junction Capaciteit bij 0 spanning/(1+(Omgekeerde voorspanning/Ingebouwde spanning))^Beoordelingscoëfficiënt

Overgangsfrequentie van BJT

Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit))

Concentratie van elektronen geïnjecteerd van emitter naar basis

Gaan Concentratie van e-geïnjecteerd van zender naar basis = Thermische evenwichtsconcentratie*e^(Basis-emitterspanning/Thermische spanning)

Unity-Gain-bandbreedte van BJT

Gaan Unity-Gain-bandbreedte = Transconductantie/(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit)

Klein-signaalverspreidingscapaciteit van BJT

Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*(Collector Stroom/Drempelspanning)

Thermische evenwichtsconcentratie van minderheidsladingsdrager

Gaan Thermische evenwichtsconcentratie = ((Intrinsieke dragerdichtheid)^2)/Dopingconcentratie van base

Opgeslagen elektronenlading in basis van BJT

Gaan Opgeslagen elektronenlading = Apparaat constant*Collector Stroom

Klein-signaalverspreidingscapaciteit

Gaan Emitter-basis capaciteit = Apparaat constant*Transconductantie

Overgangsfrequentie van BJT gegeven apparaatconstante

Gaan Overgangsfrequentie = 1/(2*pi*Apparaat constant)

Base-Emitter Junction Capaciteit

Gaan Base-Emitter Junction Capaciteit = 2*Emitter-basis capaciteit

< 20 BJT-circuit Rekenmachines

Basisstroom van PNP-transistor met behulp van verzadigingsstroom

Gaan Basisstroom = (Verzadigingsstroom/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter)*e^(Basis-emitterspanning/Thermische spanning)

Overgangsfrequentie van BJT

Gaan Overgangsfrequentie = Transconductantie/(2*pi*(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit))

Totaal gedissipeerd vermogen in BJT

Gaan Stroom = Collector-emitterspanning*Collector Stroom+Basis-emitterspanning*Basisstroom

Unity-Gain-bandbreedte van BJT

Gaan Unity-Gain-bandbreedte = Transconductantie/(Emitter-basis capaciteit+Collector-Base Junction Capaciteit)

Referentiestroom van BJT-spiegel

Gaan Referentiestroom = Collector Stroom+(2*Collector Stroom)/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter

Common-Base stroomversterking

Gaan Common-Base stroomversterking = Stroomversterking gemeenschappelijke emitter/(Stroomversterking gemeenschappelijke emitter+1)

Common Mode Rejection Ratio

Gaan Common Mode-afwijzingsratio = 20*log10(Differentiële modusversterking/Common Mode-versterking)

Uitgangsweerstand van BJT

Gaan Weerstand = (Voedingsspanning+Collector-emitterspanning)/Collector Stroom

Thermische evenwichtsconcentratie van minderheidsladingsdrager

Gaan Thermische evenwichtsconcentratie = ((Intrinsieke dragerdichtheid)^2)/Dopingconcentratie van base

Uitgangsspanning van BJT-versterker

Gaan Uitgangsspanning = Voedingsspanning-Afvoerstroom*Weerstand laden

Totaal geleverd vermogen in BJT

Gaan Stroom = Voedingsspanning*(Collector Stroom+Invoerstroom)

Basisstroom van PNP-transistor gegeven emitterstroom

Gaan Basisstroom = Zender Stroom/(Stroomversterking gemeenschappelijke emitter+1)

Basisstroom van PNP-transistor met behulp van collectorstroom

Gaan Basisstroom = Collector Stroom/Stroomversterking gemeenschappelijke emitter

Collector-emitterspanning bij verzadiging

Gaan Collector-emitterspanning = Basis-emitterspanning-Basiscollectorspanning

Collectorstroom met behulp van emitterstroom

Gaan Collector Stroom = Common-Base stroomversterking*Zender Stroom

Basisstroom van PNP-transistor met Common-Base Current Gain

Gaan Basisstroom = (1-Common-Base stroomversterking)*Zender Stroom

Intrinsieke winst van BJT

Gaan Intrinsieke winst = Vroege spanning/Thermische spanning

Transconductantie door kortsluiting

Gaan Transconductantie = Uitgangsstroom/Ingangsspanning

Collectorstroom van BJT

Gaan Collector Stroom = Zender Stroom-Basisstroom

Zenderstroom van BJT

Gaan Zender Stroom = Collector Stroom+Basisstroom

Thermische evenwichtsconcentratie van minderheidsladingsdrager Formule

Thermische evenwichtsconcentratie = ((Intrinsieke dragerdichtheid)^2)/Dopingconcentratie van base
n_po = ((n_i)^2)/N_B

Wat is de concentratie van thermische evenwichtsdragers?

Het aantal dragers in de geleidings- en valentieband zonder extern aangebrachte voorspanning wordt de evenwichtsdragerconcentratie genoemd. Voor meerderheidsdragers is de evenwichtsdragerconcentratie gelijk aan de intrinsieke dragerconcentratie plus het aantal vrije dragers dat wordt toegevoegd door de halfgeleider te doteren.

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!