Nul bias zijwandverbindingscapaciteit Rekenmachine

✖Dopingdichtheid van de zijwand verwijst naar de concentratie van doteringsatomen langs de zijwanden van de transistorstructuur.ⓘ Dopingdichtheid van de zijwand [N_A(sw)]			+10% -10%
✖Dopingconcentratie van donor verwijst naar de concentratie van donoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.ⓘ Dopingconcentratie van donor [N_D]			+10% -10%
✖Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen verwijst naar de verbinding die wordt gevormd langs de verticale of zijwandoppervlakken van de transistorstructuur.ⓘ Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen [Φ_osw]			+10% -10%

✖Zero Bias Sidewall Junction Potential is het ingebouwde potentieel in de zijwandovergang van bepaalde transistorstructuren.ⓘ Nul bias zijwandverbindingscapaciteit [C_j0sw]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOSFET-versterkers Formules Pdf PDF Image

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Zero Bias zijwandverbindingspotentieel = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Dopingdichtheid van de zijwand*Dopingconcentratie van donor)/(Dopingdichtheid van de zijwand+Dopingconcentratie van donor))*1/Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)
C_j0sw = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((N_A(sw)*N_D)/(N_A(sw)+N_D))*1/Φ_osw)
Deze formule gebruikt 2 Constanten, 1 Functies, 4 Variabelen

Gebruikte constanten

[Permitivity-silicon] - Permittiviteit van silicium Waarde genomen als 11.7
[Charge-e] - Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19

Functies die worden gebruikt

sqrt - Een vierkantswortelfunctie is een functie die een niet-negatief getal als invoer neemt en de vierkantswortel van het opgegeven invoergetal retourneert., sqrt(Number)

Variabelen gebruikt

Zero Bias zijwandverbindingspotentieel - (Gemeten in Farad) - Zero Bias Sidewall Junction Potential is het ingebouwde potentieel in de zijwandovergang van bepaalde transistorstructuren.
Dopingdichtheid van de zijwand - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Dopingdichtheid van de zijwand verwijst naar de concentratie van doteringsatomen langs de zijwanden van de transistorstructuur.
Dopingconcentratie van donor - (Gemeten in Elektronen per kubieke meter) - Dopingconcentratie van donor verwijst naar de concentratie van donoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.
Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen - (Gemeten in Volt) - Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen verwijst naar de verbinding die wordt gevormd langs de verticale of zijwandoppervlakken van de transistorstructuur.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Dopingdichtheid van de zijwand: 0.35 Elektronen per kubieke meter --> 0.35 Elektronen per kubieke meter Geen conversie vereist
Dopingconcentratie van donor: 3.01 Elektronen per kubieke centimeter --> 3010000 Elektronen per kubieke meter (Bekijk de conversie hier)
Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen: 3.2E-05 Volt --> 3.2E-05 Volt Geen conversie vereist

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

C_j0sw = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((N_A(sw)*N_D)/(N_A(sw)+N_D))*1/Φ_osw) --> sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((0.35*3010000)/(0.35+3010000))*1/3.2E-05)

Evalueren ... ...

C_j0sw = 1.01249324812588E-07

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

1.01249324812588E-07 Farad --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

1.01249324812588E-07 ≈ 1E-7 Farad <-- Zero Bias zijwandverbindingspotentieel

(Berekening voltooid in 00.004 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Versterkers » MOSFET-versterkers » Nul bias zijwandverbindingscapaciteit

Credits

Gemaakt door Banu Prakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banu Prakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Dipanjona Mallick

Erfgoedinstituut voor technologie (HITK), Calcutta

Dipanjona Mallick heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< MOSFET-versterkers Rekenmachines

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit

LaTeX Gaan Zero Bias zijwandverbindingspotentieel = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Dopingdichtheid van de zijwand*Dopingconcentratie van donor)/(Dopingdichtheid van de zijwand+Dopingconcentratie van donor))*1/Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen)

Zero Bias Junction-capaciteit

LaTeX Gaan Zero Bias Junction-capaciteit = sqrt((Permitiviteit van silicium*[Charge-e])/2*((Dopingconcentratie van acceptor*Dopingconcentratie van donor)/(Dopingconcentratie van acceptor+Dopingconcentratie van donor))*1/Ingebouwd verbindingspotentieel)

Nul bias zijwandverbindingscapaciteit Formule

LaTeX Gaan

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!