✖Dopingdichtheid van de zijwand verwijst naar de concentratie van doteringsatomen langs de zijwanden van de transistorstructuur.ⓘ Dopingdichtheid van de zijwand [NA(sw)] | | | +10% -10% |
✖Dopingconcentratie van donor verwijst naar de concentratie van donoratomen die opzettelijk aan een halfgeleidermateriaal zijn toegevoegd.ⓘ Dopingconcentratie van donor [ND] | | | +10% -10% |
✖Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen verwijst naar de verbinding die wordt gevormd langs de verticale of zijwandoppervlakken van de transistorstructuur.ⓘ Ingebouwd potentieel van zijwandverbindingen [Φosw] | | | +10% -10% |