Calculadora Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero

Potencial de unión de pared lateral de polarización cero = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Densidad de dopaje en los flancos*Concentración de dopaje del donante)/(Densidad de dopaje en los flancos+Concentración de dopaje del donante))*1/Potencial incorporado de uniones de paredes laterales)
C_j0sw = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((N_A(sw)*N_D)/(N_A(sw)+N_D))*1/Φ_osw)
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funciones, 4 Variables
[Permitivity-silicon] - Permitividad del silicio Valor tomado como 11.7
[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19sqrt - Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado., sqrt(Number)Potencial de unión de pared lateral de polarización cero - (Medido en Faradio) - El potencial de unión de pared lateral de polarización cero es el potencial incorporado en la unión de pared lateral de ciertas estructuras de transistores.
Densidad de dopaje en los flancos - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La densidad de dopaje de las paredes laterales se refiere a la concentración de átomos dopantes a lo largo de las paredes laterales de la estructura del transistor.
Concentración de dopaje del donante - (Medido en Electrones por metro cúbico) - La concentración de dopaje del donante se refiere a la concentración de átomos donadores agregados intencionalmente a un material semiconductor.
Potencial incorporado de uniones de paredes laterales - (Medido en Voltio) - El potencial incorporado de las uniones de paredes laterales se refiere a la unión formada a lo largo de las superficies verticales o de las paredes laterales de la estructura del transistor.

(Cálculo completado en 00.007 segundos)