Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu Kalkulator

Potencjał zerowego odchylenia ściany bocznej = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Gęstość domieszkowania ściany bocznej*Stężenie dopingu dawcy)/(Gęstość domieszkowania ściany bocznej+Stężenie dopingu dawcy))*1/Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych)
C_j0sw = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((N_A(sw)*N_D)/(N_A(sw)+N_D))*1/Φ_osw)
Ta formuła używa 2 Stałe, 1 Funkcje, 4 Zmienne
[Permitivity-silicon] - Przenikalność krzemu Wartość przyjęta jako 11.7
[Charge-e] - Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19sqrt - Funkcja pierwiastka kwadratowego to funkcja, która jako dane wejściowe przyjmuje liczbę nieujemną i zwraca pierwiastek kwadratowy z podanej liczby wejściowej., sqrt(Number)Potencjał zerowego odchylenia ściany bocznej - (Mierzone w Farad) - Potencjał złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu to potencjał wbudowany w złącze ściany bocznej niektórych struktur tranzystorowych.
Gęstość domieszkowania ściany bocznej - (Mierzone w Elektrony na metr sześcienny) - Gęstość domieszkowania ścian bocznych odnosi się do stężenia atomów domieszki wzdłuż ścian bocznych struktury tranzystora.
Stężenie dopingu dawcy - (Mierzone w Elektrony na metr sześcienny) - Dopingowe stężenie dawcy odnosi się do stężenia atomów dawcy celowo dodanych do materiału półprzewodnikowego.
Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych - (Mierzone w Wolt) - Wbudowany potencjał złączy ścian bocznych odnosi się do złączy utworzonych wzdłuż powierzchni pionowych lub ścian bocznych konstrukcji tranzystora.

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)