Złącze wbudowane napięcie VLSI Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Optymalizacja materiałów VLSI

Konstrukcja analogowa VLSI

✖Temperatura odzwierciedla, jak gorący lub zimny jest obiekt lub otoczenie.ⓘ Temperatura [T]			+10% -10%
✖Stężenie akceptora odnosi się do stężenia atomów domieszki akceptorowej w materiale półprzewodnikowym.ⓘ Stężenie akceptora [N_A]			+10% -10%
✖Stężenie donora odnosi się do stężenia atomów domieszki donora wprowadzonych do materiału półprzewodnikowego w celu zwiększenia liczby wolnych elektronów.ⓘ Stężenie dawcy [N_D]			+10% -10%
✖Stężenie wewnętrzne odnosi się do stężenia nośników ładunku (elektronów i dziur) we wewnętrznym półprzewodniku w równowadze termicznej.ⓘ Wewnętrzna koncentracja [N_i]			+10% -10%

✖Napięcie wbudowane złącza definiuje się jako napięcie występujące na złączu półprzewodnika w równowadze termicznej, gdzie nie jest przykładane żadne napięcie zewnętrzne.ⓘ Złącze wbudowane napięcie VLSI [Ø₀]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Złącze wbudowane napięcie VLSI

Formuła

`"Ø"_{"0"} = ("[BoltZ]"*"T"/"[Charge-e]")*ln("N"_{"A"}*"N"_{"D"}/("N"_{"i"})^2)`

Przykład

`"0.754632V"=("[BoltZ]"*"300K"/"[Charge-e]")*ln("1e+16/cm³"*"1e+17/cm³"/("1.45e+10/cm³")^2)`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika Formułę PDF PDF Image

Złącze wbudowane napięcie VLSI Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Złącze wbudowane w napięcie = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Stężenie akceptora*Stężenie dawcy/(Wewnętrzna koncentracja)^2)
Ø₀ = ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N_A*N_D/(N_i)^2)
Ta formuła używa 2 Stałe, 1 Funkcje, 5 Zmienne

Używane stałe

[Charge-e] - Ładunek elektronu Wartość przyjęta jako 1.60217662E-19
[BoltZ] - Stała Boltzmanna Wartość przyjęta jako 1.38064852E-23

Używane funkcje

ln - Logarytm naturalny, znany również jako logarytm o podstawie e, jest funkcją odwrotną do naturalnej funkcji wykładniczej., ln(Number)

Używane zmienne

Złącze wbudowane w napięcie - (Mierzone w Wolt) - Napięcie wbudowane złącza definiuje się jako napięcie występujące na złączu półprzewodnika w równowadze termicznej, gdzie nie jest przykładane żadne napięcie zewnętrzne.
Temperatura - (Mierzone w kelwin) - Temperatura odzwierciedla, jak gorący lub zimny jest obiekt lub otoczenie.
Stężenie akceptora - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie akceptora odnosi się do stężenia atomów domieszki akceptorowej w materiale półprzewodnikowym.
Stężenie dawcy - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie donora odnosi się do stężenia atomów domieszki donora wprowadzonych do materiału półprzewodnikowego w celu zwiększenia liczby wolnych elektronów.
Wewnętrzna koncentracja - (Mierzone w 1 na metr sześcienny) - Stężenie wewnętrzne odnosi się do stężenia nośników ładunku (elektronów i dziur) we wewnętrznym półprzewodniku w równowadze termicznej.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Temperatura: 300 kelwin --> 300 kelwin Nie jest wymagana konwersja
Stężenie akceptora: 1E+16 1 na centymetr sześcienny --> 1E+22 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)
Stężenie dawcy: 1E+17 1 na centymetr sześcienny --> 1E+23 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)
Wewnętrzna koncentracja: 14500000000 1 na centymetr sześcienny --> 1.45E+16 1 na metr sześcienny (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

Ø₀ = ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N_A*N_D/(N_i)^2) --> ([BoltZ]*300/[Charge-e])*ln(1E+22*1E+23/(1.45E+16)^2)

Ocenianie ... ...

Ø₀ = 0.75463200359389

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.75463200359389 Wolt --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.75463200359389 ≈ 0.754632 Wolt <-- Złącze wbudowane w napięcie

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Produkcja VLSI » Optymalizacja materiałów VLSI » Złącze wbudowane napięcie VLSI

Kredyty

Stworzone przez Priyanka Patel

Lalbhai Dalpatbhai College of Engineering (LDCE), Ahmadabad

Priyanka Patel utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< 25 Optymalizacja materiałów VLSI Kalkulatory

Gęstość ładunku w regionie wyczerpania zbiorczego VLSI

Iść Gęstość ładunku w obszarze wyczerpania zbiorczego = -(1-((Boczny zasięg obszaru wyczerpania ze źródłem+Boczny zasięg obszaru wyczerpania z drenażem)/(2*Długość kanału)))*sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Stężenie akceptora*abs(2*Potencjał powierzchni))

Współczynnik efektu ciała

Iść Współczynnik efektu ciała = modulus((Próg napięcia-Napięcie progowe DIBL)/(sqrt(Potencjał powierzchni+(Różnica potencjałów ciała źródłowego))-sqrt(Potencjał powierzchni)))

Głębokość wyczerpania złącza PN ze źródłem VLSI

Iść Głębokość wyczerpania złącza Pn ze źródłem = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Złącze wbudowane w napięcie)/([Charge-e]*Stężenie akceptora))

Złącze wbudowane napięcie VLSI

Iść Złącze wbudowane w napięcie = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Stężenie akceptora*Stężenie dawcy/(Wewnętrzna koncentracja)^2)

Całkowita pojemność pasożytnicza źródła

Iść Źródło pojemności pasożytniczej = (Pojemność pomiędzy złączem ciała i źródła*Obszar dyfuzji źródła)+(Pojemność pomiędzy połączeniem korpusu i ścianą boczną*Obwód ściany bocznej źródła dyfuzji)

Prąd nasycenia krótkiego kanału VLSI

Iść Prąd nasycenia krótkiego kanału = Szerokość kanału*Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu*Pojemność tlenkowa na jednostkę powierzchni*Napięcie źródła drenażu nasycenia

Prąd złącza

Iść Prąd złącza = (Moc statyczna/Podstawowe napięcie kolektora)-(Prąd podprogowy+Aktualna rywalizacja+Prąd bramki)

Potencjał powierzchniowy

Iść Potencjał powierzchni = 2*Różnica potencjałów ciała źródłowego*ln(Stężenie akceptora/Wewnętrzna koncentracja)

Współczynnik DIBL

Iść Współczynnik DIBL = (Napięcie progowe DIBL-Próg napięcia)/Drenaż do potencjału źródłowego

Napięcie progowe, gdy źródło ma potencjał ciała

Iść Napięcie progowe DIBL = Współczynnik DIBL*Drenaż do potencjału źródłowego+Próg napięcia

Nachylenie podprogowe

Iść Nachylenie podprogu = Różnica potencjałów ciała źródłowego*Współczynnik DIBL*ln(10)

Długość bramki przy użyciu pojemności tlenku bramki

Iść Długość bramy = Pojemność bramki/(Pojemność warstwy tlenku bramki*Szerokość bramy)

Pojemność tlenkowa bramki

Iść Pojemność warstwy tlenku bramki = Pojemność bramki/(Szerokość bramy*Długość bramy)

Pojemność tlenkowa po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Pojemność tlenkowa po pełnym skalowaniu = Pojemność tlenkowa na jednostkę powierzchni*Współczynnik skalowania

Pojemność bramki

Iść Pojemność bramki = Opłata za kanał/(Napięcie bramki do kanału-Próg napięcia)

Opłata za kanał

Iść Opłata za kanał = Pojemność bramki*(Napięcie bramki do kanału-Próg napięcia)

Próg napięcia

Iść Próg napięcia = Napięcie bramki do kanału-(Opłata za kanał/Pojemność bramki)

Grubość tlenku bramki po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Grubość tlenku bramki po pełnym skalowaniu = Grubość tlenku bramki/Współczynnik skalowania

Głębokość połączenia po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Głębokość połączenia po pełnym skalowaniu = Głębokość połączenia/Współczynnik skalowania

Krytyczne napięcie

Iść Napięcie krytyczne = Krytyczne pole elektryczne*Pole elektryczne na długości kanału

Szerokość kanału po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Szerokość kanału po pełnym skalowaniu = Szerokość kanału/Współczynnik skalowania

Wewnętrzna pojemność bramki

Iść Pojemność nakładania się bramki MOS = Pojemność bramki MOS*Szerokość przejścia

Długość kanału po pełnym skalowaniu VLSI

Iść Długość kanału po pełnym skalowaniu = Długość kanału/Współczynnik skalowania

Mobilność w Mosfecie

Iść Mobilność w MOSFET-ie = K. Premier/Pojemność warstwy tlenku bramki

K-Prime

Iść K. Premier = Mobilność w MOSFET-ie*Pojemność warstwy tlenku bramki

Złącze wbudowane napięcie VLSI Formułę

Złącze wbudowane w napięcie = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Stężenie akceptora*Stężenie dawcy/(Wewnętrzna koncentracja)^2)
Ø₀ = ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N_A*N_D/(N_i)^2)

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!