Calculatrice A à Z
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⤿
Optimisation des matériaux VLSI
Conception VLSI analogique
✖
La température reflète la chaleur ou le froid d’un objet ou d’un environnement.
ⓘ
Température [T]
Celsius
Délisle
Fahrenheit
Kelvin
Newton
Rankine
Reaumur
Romer
Triple point d'eau
+10%
-10%
✖
La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.
ⓘ
Concentration d'accepteur [N
A
]
1 par centimètre cube
1 par mètre cube
par litre
par millilitre
+10%
-10%
✖
La concentration du donneur fait référence à la concentration d'atomes dopants donneurs introduits dans un matériau semi-conducteur pour augmenter le nombre d'électrons libres.
ⓘ
Concentration des donneurs [N
D
]
1 par centimètre cube
1 par mètre cube
par litre
par millilitre
+10%
-10%
✖
La concentration intrinsèque fait référence à la concentration de porteurs de charge (électrons et trous) dans un semi-conducteur intrinsèque à l'équilibre thermique.
ⓘ
Concentration intrinsèque [N
i
]
1 par centimètre cube
1 par mètre cube
par litre
par millilitre
+10%
-10%
✖
La tension intégrée de jonction est définie comme la tension qui existe aux bornes d’une jonction semi-conductrice en équilibre thermique, où aucune tension externe n’est appliquée.
ⓘ
Jonction Tension intégrée VLSI [Ø
0
]
Abvolt
Attovolt
centivolt
Décivolt
Dékavolt
EMU Du potentiel électrique
ESU du potentiel électrique
Femtovolt
gigavolt
Hectovolt
Kilovolt
Mégavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Pétavolt
Picovolt
Tension de Planck
Statvolt
Téravolt
Volt
Watt / Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
⎘ Copie
Pas
👎
Formule
✖
Jonction Tension intégrée VLSI
Formule
`"Ø"_{"0"} = ("[BoltZ]"*"T"/"[Charge-e]")*ln("N"_{"A"}*"N"_{"D"}/("N"_{"i"})^2)`
Exemple
`"0.754632V"=("[BoltZ]"*"300K"/"[Charge-e]")*ln("1e+16/cm³"*"1e+17/cm³"/("1.45e+10/cm³")^2)`
Calculatrice
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Télécharger Électronique Formule PDF
Jonction Tension intégrée VLSI Solution
ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul
Formule utilisée
Tension intégrée de jonction
= (
[BoltZ]
*
Température
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Concentration d'accepteur
*
Concentration des donneurs
/(
Concentration intrinsèque
)^2)
Ø
0
= (
[BoltZ]
*
T
/
[Charge-e]
)*
ln
(
N
A
*
N
D
/(
N
i
)^2)
Cette formule utilise
2
Constantes
,
1
Les fonctions
,
5
Variables
Constantes utilisées
[Charge-e]
- Charge d'électron Valeur prise comme 1.60217662E-19
[BoltZ]
- Constante de Boltzmann Valeur prise comme 1.38064852E-23
Fonctions utilisées
ln
- Le logarithme népérien, également appelé logarithme en base e, est la fonction inverse de la fonction exponentielle naturelle., ln(Number)
Variables utilisées
Tension intégrée de jonction
-
(Mesuré en Volt)
- La tension intégrée de jonction est définie comme la tension qui existe aux bornes d’une jonction semi-conductrice en équilibre thermique, où aucune tension externe n’est appliquée.
Température
-
(Mesuré en Kelvin)
- La température reflète la chaleur ou le froid d’un objet ou d’un environnement.
Concentration d'accepteur
-
(Mesuré en 1 par mètre cube)
- La concentration d'accepteur fait référence à la concentration d'atomes de dopant accepteur dans un matériau semi-conducteur.
Concentration des donneurs
-
(Mesuré en 1 par mètre cube)
- La concentration du donneur fait référence à la concentration d'atomes dopants donneurs introduits dans un matériau semi-conducteur pour augmenter le nombre d'électrons libres.
Concentration intrinsèque
-
(Mesuré en 1 par mètre cube)
- La concentration intrinsèque fait référence à la concentration de porteurs de charge (électrons et trous) dans un semi-conducteur intrinsèque à l'équilibre thermique.
ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base
Température:
300 Kelvin --> 300 Kelvin Aucune conversion requise
Concentration d'accepteur:
1E+16 1 par centimètre cube --> 1E+22 1 par mètre cube
(Vérifiez la conversion
ici
)
Concentration des donneurs:
1E+17 1 par centimètre cube --> 1E+23 1 par mètre cube
(Vérifiez la conversion
ici
)
Concentration intrinsèque:
14500000000 1 par centimètre cube --> 1.45E+16 1 par mètre cube
(Vérifiez la conversion
ici
)
ÉTAPE 2: Évaluer la formule
Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule
Ø
0
= ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N
A
*N
D
/(N
i
)^2) -->
(
[BoltZ]
*300/
[Charge-e]
)*
ln
(1E+22*1E+23/(1.45E+16)^2)
Évaluer ... ...
Ø
0
= 0.75463200359389
ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie
0.75463200359389 Volt --> Aucune conversion requise
RÉPONSE FINALE
0.75463200359389
≈
0.754632 Volt
<--
Tension intégrée de jonction
(Calcul effectué en 00.004 secondes)
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Jonction Tension intégrée VLSI
Crédits
Créé par
Priyanka Patel
Collège d'ingénierie Lalbhai Dalpatbhai
(PEMD)
,
Ahmedabad
Priyanka Patel a créé cette calculatrice et 25+ autres calculatrices!
Vérifié par
Santhosh Yadav
Collège d'ingénierie Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!
<
25 Optimisation des matériaux VLSI Calculatrices
Densité de charge de la région d'épuisement en vrac VLSI
Aller
Densité de charge de la région d'épuisement global
= -(1-((
Étendue latérale de la région d'épuisement avec source
+
Étendue latérale de la région d'épuisement avec drain
)/(2*
Longueur du canal
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Concentration d'accepteur
*
abs
(2*
Potentiel des surfaces
))
Coefficient d'effet corporel
Aller
Coefficient d'effet corporel
=
modulus
((
Tension de seuil
-
Tension de seuil DIBL
)/(
sqrt
(
Potentiel des surfaces
+(
Différence potentielle du corps source
))-
sqrt
(
Potentiel des surfaces
)))
Profondeur d'appauvrissement de la jonction PN avec source VLSI
Aller
Profondeur d'appauvrissement de la jonction Pn avec source
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Tension intégrée de jonction
)/(
[Charge-e]
*
Concentration d'accepteur
))
Jonction Tension intégrée VLSI
Aller
Tension intégrée de jonction
= (
[BoltZ]
*
Température
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Concentration d'accepteur
*
Concentration des donneurs
/(
Concentration intrinsèque
)^2)
Capacité parasitaire totale de la source
Aller
Capacité parasite de la source
= (
Capacité entre la jonction du corps et la source
*
Zone de diffusion de la source
)+(
Capacité entre la jonction du corps et la paroi latérale
*
Périmètre de paroi latérale de diffusion de la source
)
Courant de saturation des canaux courts VLSI
Aller
Courant de saturation des canaux courts
=
Largeur de canal
*
Vitesse de dérive des électrons de saturation
*
Capacité d'oxyde par unité de surface
*
Tension de source de drain de saturation
Courant de jonction
Aller
Courant de jonction
= (
Puissance statique
/
Tension du collecteur de base
)-(
Courant sous-seuil
+
Conflit actuel
+
Courant de porte
)
Potentiel de surface
Aller
Potentiel des surfaces
= 2*
Différence potentielle du corps source
*
ln
(
Concentration d'accepteur
/
Concentration intrinsèque
)
Longueur de porte en utilisant la capacité d'oxyde de porte
Aller
Longueur de la porte
=
Capacité de porte
/(
Capacité de la couche d'oxyde de grille
*
Largeur du portail
)
Capacité d'oxyde de porte
Aller
Capacité de la couche d'oxyde de grille
=
Capacité de porte
/(
Largeur du portail
*
Longueur de la porte
)
Coefficient DIBL
Aller
Coefficient DIBL
= (
Tension de seuil DIBL
-
Tension de seuil
)/
Potentiel de drainage vers la source
Tension de seuil lorsque la source est au potentiel du corps
Aller
Tension de seuil DIBL
=
Coefficient DIBL
*
Potentiel de drainage vers la source
+
Tension de seuil
Pente sous-seuil
Aller
Pente sous-seuil
=
Différence potentielle du corps source
*
Coefficient DIBL
*
ln
(10)
Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller
Capacité d'oxyde après mise à l'échelle complète
=
Capacité d'oxyde par unité de surface
*
Facteur d'échelle
Épaisseur d'oxyde de grille après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller
Épaisseur d'oxyde de porte après mise à l'échelle complète
=
Épaisseur d'oxyde de porte
/
Facteur d'échelle
Capacité de porte
Aller
Capacité de porte
=
Frais de canal
/(
Tension porte à canal
-
Tension de seuil
)
Tension de seuil
Aller
Tension de seuil
=
Tension porte à canal
-(
Frais de canal
/
Capacité de porte
)
Charge de canal
Aller
Frais de canal
=
Capacité de porte
*(
Tension porte à canal
-
Tension de seuil
)
Profondeur de jonction après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller
Profondeur de jonction après mise à l'échelle complète
=
Profondeur de jonction
/
Facteur d'échelle
Tension critique
Aller
Tension critique
=
Champ électrique critique
*
Champ électrique sur toute la longueur du canal
Longueur du canal après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller
Longueur du canal après mise à l'échelle complète
=
Longueur du canal
/
Facteur d'échelle
Capacité de porte intrinsèque
Aller
Capacité de chevauchement de porte MOS
=
Capacité de la porte MOS
*
Largeur de transition
Largeur de canal après mise à l'échelle complète du VLSI
Aller
Largeur du canal après mise à l'échelle complète
=
Largeur de canal
/
Facteur d'échelle
Mobilité à Mosfet
Aller
Mobilité dans MOSFET
=
K Premier
/
Capacité de la couche d'oxyde de grille
K-Prime
Aller
K Premier
=
Mobilité dans MOSFET
*
Capacité de la couche d'oxyde de grille
Jonction Tension intégrée VLSI Formule
Tension intégrée de jonction
= (
[BoltZ]
*
Température
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Concentration d'accepteur
*
Concentration des donneurs
/(
Concentration intrinsèque
)^2)
Ø
0
= (
[BoltZ]
*
T
/
[Charge-e]
)*
ln
(
N
A
*
N
D
/(
N
i
)^2)
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