Calculadora A a Z
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Otimização de materiais VLSI
Projeto VLSI analógico
✖
A temperatura reflete o quão quente ou frio é um objeto ou ambiente.
ⓘ
Temperatura [T]
Celsius
Delisle
Fahrenheit
Kelvin
Newton
Rankine
Reaumur
Romer
ponto triplo da água
+10%
-10%
✖
Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.
ⓘ
Concentração do aceitante [N
A
]
1 por centímetro cúbico
1 por metro cúbico
por litro
por mililitro
+10%
-10%
✖
A concentração doadora refere-se à concentração de átomos dopantes doadores introduzidos em um material semicondutor para aumentar o número de elétrons livres.
ⓘ
Concentração de doadores [N
D
]
1 por centímetro cúbico
1 por metro cúbico
por litro
por mililitro
+10%
-10%
✖
Concentração Intrínseca refere-se à concentração de portadores de carga (elétrons e lacunas) em um semicondutor intrínseco em equilíbrio térmico.
ⓘ
Concentração Intrínseca [N
i
]
1 por centímetro cúbico
1 por metro cúbico
por litro
por mililitro
+10%
-10%
✖
A tensão incorporada na junção é definida como a tensão que existe através de uma junção semicondutora em equilíbrio térmico, onde nenhuma tensão externa é aplicada.
ⓘ
Tensão integrada de junção VLSI [Ø
0
]
Abvolt
Attovolt
Centivot
Decivolt
Decavolt
EMU de potencial elétrico
ESU de potencial elétrico
Femtovolt
Gigavolt
Hectovolt
Quilovolt
Megavolt
Microvolt
Milivolt
Nanovalt
Petavolt
Picovolt
Planck Voltage
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt/Ampère
Yoctovolt
Zeptovolt
⎘ Cópia De
Degraus
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Fórmula
✖
Tensão integrada de junção VLSI
Fórmula
`"Ø"_{"0"} = ("[BoltZ]"*"T"/"[Charge-e]")*ln("N"_{"A"}*"N"_{"D"}/("N"_{"i"})^2)`
Exemplo
`"0.754632V"=("[BoltZ]"*"300K"/"[Charge-e]")*ln("1e+16/cm³"*"1e+17/cm³"/("1.45e+10/cm³")^2)`
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Tensão integrada de junção VLSI Solução
ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo
Fórmula Usada
Tensão interna de junção
= (
[BoltZ]
*
Temperatura
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Concentração do aceitante
*
Concentração de doadores
/(
Concentração Intrínseca
)^2)
Ø
0
= (
[BoltZ]
*
T
/
[Charge-e]
)*
ln
(
N
A
*
N
D
/(
N
i
)^2)
Esta fórmula usa
2
Constantes
,
1
Funções
,
5
Variáveis
Constantes Usadas
[Charge-e]
- Carga do elétron Valor considerado como 1.60217662E-19
[BoltZ]
- Constante de Boltzmann Valor considerado como 1.38064852E-23
Funções usadas
ln
- O logaritmo natural, também conhecido como logaritmo de base e, é a função inversa da função exponencial natural., ln(Number)
Variáveis Usadas
Tensão interna de junção
-
(Medido em Volt)
- A tensão incorporada na junção é definida como a tensão que existe através de uma junção semicondutora em equilíbrio térmico, onde nenhuma tensão externa é aplicada.
Temperatura
-
(Medido em Kelvin)
- A temperatura reflete o quão quente ou frio é um objeto ou ambiente.
Concentração do aceitante
-
(Medido em 1 por metro cúbico)
- Concentração do aceitador refere-se à concentração de átomos dopantes aceitadores em um material semicondutor.
Concentração de doadores
-
(Medido em 1 por metro cúbico)
- A concentração doadora refere-se à concentração de átomos dopantes doadores introduzidos em um material semicondutor para aumentar o número de elétrons livres.
Concentração Intrínseca
-
(Medido em 1 por metro cúbico)
- Concentração Intrínseca refere-se à concentração de portadores de carga (elétrons e lacunas) em um semicondutor intrínseco em equilíbrio térmico.
ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base
Temperatura:
300 Kelvin --> 300 Kelvin Nenhuma conversão necessária
Concentração do aceitante:
1E+16 1 por centímetro cúbico --> 1E+22 1 por metro cúbico
(Verifique a conversão
aqui
)
Concentração de doadores:
1E+17 1 por centímetro cúbico --> 1E+23 1 por metro cúbico
(Verifique a conversão
aqui
)
Concentração Intrínseca:
14500000000 1 por centímetro cúbico --> 1.45E+16 1 por metro cúbico
(Verifique a conversão
aqui
)
ETAPA 2: Avalie a Fórmula
Substituindo valores de entrada na fórmula
Ø
0
= ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N
A
*N
D
/(N
i
)^2) -->
(
[BoltZ]
*300/
[Charge-e]
)*
ln
(1E+22*1E+23/(1.45E+16)^2)
Avaliando ... ...
Ø
0
= 0.75463200359389
PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída
0.75463200359389 Volt --> Nenhuma conversão necessária
RESPOSTA FINAL
0.75463200359389
≈
0.754632 Volt
<--
Tensão interna de junção
(Cálculo concluído em 00.020 segundos)
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Otimização de materiais VLSI
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Tensão integrada de junção VLSI
Créditos
Criado por
Priyanka Patel
Faculdade de Engenharia Lalbhai Dalpatbhai
(LDCE)
,
Ahmedabad
Priyanka Patel criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!
Verificado por
Santosh Yadav
Faculdade de Engenharia Dayananda Sagar
(DSCE)
,
Banglore
Santosh Yadav verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!
<
25 Otimização de materiais VLSI Calculadoras
Densidade de carga da região de esgotamento em massa VLSI
Vai
Densidade de carga da região de esgotamento em massa
= -(1-((
Extensão lateral da região de esgotamento com fonte
+
Extensão Lateral da Região de Esgotamento com Dreno
)/(2*
Comprimento do canal
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Concentração do aceitante
*
abs
(2*
Potencial de Superfície
))
Coeficiente de Efeito Corporal
Vai
Coeficiente de Efeito Corporal
=
modulus
((
Tensão de limiar
-
Tensão Limite DIBL
)/(
sqrt
(
Potencial de Superfície
+(
Diferença potencial do corpo de origem
))-
sqrt
(
Potencial de Superfície
)))
Tensão integrada de junção VLSI
Vai
Tensão interna de junção
= (
[BoltZ]
*
Temperatura
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Concentração do aceitante
*
Concentração de doadores
/(
Concentração Intrínseca
)^2)
Profundidade de esgotamento da junção PN com fonte VLSI
Vai
Profundidade de esgotamento da junção Pn com fonte
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Tensão interna de junção
)/(
[Charge-e]
*
Concentração do aceitante
))
Capacitância Parasítica da Fonte Total
Vai
Fonte de capacitância parasita
= (
Capacitância entre Junção do Corpo e Fonte
*
Área de Difusão de Fonte
)+(
Capacitância entre a junção do corpo e a parede lateral
*
Perímetro da parede lateral de difusão da fonte
)
Corrente de saturação de canal curto VLSI
Vai
Corrente de saturação de canal curto
=
Largura de banda
*
Velocidade de deriva de elétrons de saturação
*
Capacitância de Óxido por Unidade de Área
*
Tensão da fonte de drenagem de saturação
Corrente de junção
Vai
Corrente de Junção
= (
Potência Estática
/
Tensão do Coletor Base
)-(
Corrente Sublimiar
+
Corrente de contenção
+
Corrente do portão
)
Potencial de Superfície
Vai
Potencial de Superfície
= 2*
Diferença potencial do corpo de origem
*
ln
(
Concentração do aceitante
/
Concentração Intrínseca
)
Comprimento do portão usando capacitância de óxido de portão
Vai
Comprimento do portão
=
Capacitância do portão
/(
Capacitância da camada de óxido de porta
*
Largura do portão
)
Capacitância de Óxido de Porta
Vai
Capacitância da camada de óxido de porta
=
Capacitância do portão
/(
Largura do portão
*
Comprimento do portão
)
Capacitância da porta
Vai
Capacitância do portão
=
Taxa de canal
/(
Tensão do portão para o canal
-
Tensão de limiar
)
Coeficiente DIBL
Vai
Coeficiente DIBL
= (
Tensão Limite DIBL
-
Tensão de limiar
)/
Drenar para Potencial de Fonte
Tensão de limiar
Vai
Tensão de limiar
=
Tensão do portão para o canal
-(
Taxa de canal
/
Capacitância do portão
)
Carga do canal
Vai
Taxa de canal
=
Capacitância do portão
*(
Tensão do portão para o canal
-
Tensão de limiar
)
Tensão Limiar quando a Fonte está no Potencial Corporal
Vai
Tensão Limite DIBL
=
Coeficiente DIBL
*
Drenar para Potencial de Fonte
+
Tensão de limiar
Sublimiar Inclinação
Vai
Inclinação Sublimiar
=
Diferença potencial do corpo de origem
*
Coeficiente DIBL
*
ln
(10)
Capacitância de Óxido após Full Scaling VLSI
Vai
Capacitância de óxido após escala completa
=
Capacitância de Óxido por Unidade de Área
*
Fator de escala
Espessura de óxido de porta após escala completa VLSI
Vai
Espessura do óxido de porta após escala completa
=
Espessura do Óxido de Porta
/
Fator de escala
Capacitância de porta intrínseca
Vai
Capacitância de sobreposição de porta MOS
=
Capacitância da Porta MOS
*
Largura da transição
Tensão Crítica
Vai
Tensão Crítica
=
Campo Elétrico Crítico
*
Campo elétrico ao longo do comprimento do canal
Profundidade da junção após Full Scaling VLSI
Vai
Profundidade da junção após escala completa
=
Profundidade da Junção
/
Fator de escala
Comprimento do canal após Full Scaling VLSI
Vai
Comprimento do canal após escala completa
=
Comprimento do canal
/
Fator de escala
Largura do canal após Full Scaling VLSI
Vai
Largura do canal após escala completa
=
Largura de banda
/
Fator de escala
Mobilidade em Mosfet
Vai
Mobilidade em MOSFET
=
K Prime
/
Capacitância da camada de óxido de porta
K-Prime
Vai
K Prime
=
Mobilidade em MOSFET
*
Capacitância da camada de óxido de porta
Tensão integrada de junção VLSI Fórmula
Tensão interna de junção
= (
[BoltZ]
*
Temperatura
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Concentração do aceitante
*
Concentração de doadores
/(
Concentração Intrínseca
)^2)
Ø
0
= (
[BoltZ]
*
T
/
[Charge-e]
)*
ln
(
N
A
*
N
D
/(
N
i
)^2)
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