Калькулятор от А до Я
🔍
Скачать PDF
Химия
Инженерное дело
финансовый
Здоровье
математика
физика
Соединение Встроенное напряжение СБИС Калькулятор
Инженерное дело
Детская площадка
Здоровье
математика
физика
финансовый
Химия
↳
Электроника
Гражданская
Материаловедение
Механический
Технология производства
Химическая инженерия
Электрические
Электроника и приборы
⤿
Изготовление СБИС
EDC
Аналоговая связь
Аналоговая электроника
Антенна
Беспроводная связь
Волоконно-оптическая передача
Встроенная система
Интегральные схемы (ИС)
Конструкция оптического волокна
Линия передачи и антенна
Оптоэлектронные устройства
Проектирование и применение КМОП
Радиолокационная система
РФ Микроэлектроника
Сигнал и системы
Силовая электроника
Система контроля
Системы коммутации телекоммуникаций
Спутниковая связь
Твердотельные устройства
Телевизионная инженерия
Теория информации и кодирование
Теория СВЧ
Теория электромагнитного поля
Усилители
Цифровая обработка изображений
Цифровая связь
⤿
Оптимизация материалов СБИС
Аналоговая СБИС
✖
Температура отражает, насколько горячим или холодным является объект или окружающая среда.
ⓘ
Температура [T]
Цельсия
Делиль
Фаренгейт
Кельвин
Ньютон
Ранкин
температура по реомюру
Ромер
Тройной точки воды
+10%
-10%
✖
Концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцепторной примеси в полупроводниковом материале.
ⓘ
Концентрация акцептора [N
A
]
1 на кубический сантиметр
1 на кубический метр
за литр
на миллилитр
+10%
-10%
✖
Концентрация доноров относится к концентрации атомов донорной примеси, введенных в полупроводниковый материал для увеличения количества свободных электронов.
ⓘ
Концентрация доноров [N
D
]
1 на кубический сантиметр
1 на кубический метр
за литр
на миллилитр
+10%
-10%
✖
Собственная концентрация относится к концентрации носителей заряда (электронов и дырок) в собственном полупроводнике при тепловом равновесии.
ⓘ
Внутренняя концентрация [N
i
]
1 на кубический сантиметр
1 на кубический метр
за литр
на миллилитр
+10%
-10%
✖
Встроенное напряжение перехода определяется как напряжение, которое существует на полупроводниковом переходе в тепловом равновесии, когда внешнее напряжение не приложено.
ⓘ
Соединение Встроенное напряжение СБИС [Ø
0
]
Abvolt
Аттовольт
сантивольт
Децивольт
Декавольт
EMU электрического потенциала
ESU электрического потенциала
Фемтовольт
Гигавольт
Гектовольт
киловольт
Мегавольт
микровольт
милливольт
Нановольт
петавольт
пиковольт
Планка напряжения
Statvolt
Теравольт
вольт
Ватт / Ампер
Йоктовольт
Цептовольт
⎘ копия
Шаги
👎
Формула
✖
Соединение Встроенное напряжение СБИС
Формула
`"Ø"_{"0"} = ("[BoltZ]"*"T"/"[Charge-e]")*ln("N"_{"A"}*"N"_{"D"}/("N"_{"i"})^2)`
Пример
`"0.754632V"=("[BoltZ]"*"300K"/"[Charge-e]")*ln("1e+16/cm³"*"1e+17/cm³"/("1.45e+10/cm³")^2)`
Калькулятор
LaTeX
сбросить
👍
Скачать Электроника формула PDF
Соединение Встроенное напряжение СБИС Решение
ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Встроенное напряжение соединения
= (
[BoltZ]
*
Температура
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Концентрация акцептора
*
Концентрация доноров
/(
Внутренняя концентрация
)^2)
Ø
0
= (
[BoltZ]
*
T
/
[Charge-e]
)*
ln
(
N
A
*
N
D
/(
N
i
)^2)
В этой формуле используются
2
Константы
,
1
Функции
,
5
Переменные
Используемые константы
[Charge-e]
- Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
[BoltZ]
- постоянная Больцмана Значение, принятое как 1.38064852E-23
Используемые функции
ln
- Натуральный логарифм, также известный как логарифм по основанию e, является обратной функцией натуральной показательной функции., ln(Number)
Используемые переменные
Встроенное напряжение соединения
-
(Измеряется в вольт)
- Встроенное напряжение перехода определяется как напряжение, которое существует на полупроводниковом переходе в тепловом равновесии, когда внешнее напряжение не приложено.
Температура
-
(Измеряется в Кельвин)
- Температура отражает, насколько горячим или холодным является объект или окружающая среда.
Концентрация акцептора
-
(Измеряется в 1 на кубический метр)
- Концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцепторной примеси в полупроводниковом материале.
Концентрация доноров
-
(Измеряется в 1 на кубический метр)
- Концентрация доноров относится к концентрации атомов донорной примеси, введенных в полупроводниковый материал для увеличения количества свободных электронов.
Внутренняя концентрация
-
(Измеряется в 1 на кубический метр)
- Собственная концентрация относится к концентрации носителей заряда (электронов и дырок) в собственном полупроводнике при тепловом равновесии.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Температура:
300 Кельвин --> 300 Кельвин Конверсия не требуется
Концентрация акцептора:
1E+16 1 на кубический сантиметр --> 1E+22 1 на кубический метр
(Проверьте преобразование
здесь
)
Концентрация доноров:
1E+17 1 на кубический сантиметр --> 1E+23 1 на кубический метр
(Проверьте преобразование
здесь
)
Внутренняя концентрация:
14500000000 1 на кубический сантиметр --> 1.45E+16 1 на кубический метр
(Проверьте преобразование
здесь
)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Ø
0
= ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N
A
*N
D
/(N
i
)^2) -->
(
[BoltZ]
*300/
[Charge-e]
)*
ln
(1E+22*1E+23/(1.45E+16)^2)
Оценка ... ...
Ø
0
= 0.75463200359389
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.75463200359389 вольт --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.75463200359389
≈
0.754632 вольт
<--
Встроенное напряжение соединения
(Расчет завершен через 00.005 секунд)
Вы здесь
-
Дом
»
Инженерное дело
»
Электроника
»
Изготовление СБИС
»
Оптимизация материалов СБИС
»
Соединение Встроенное напряжение СБИС
Кредиты
Сделано
Приянка Патель
Инженерный колледж Лалбхай Далпатбхай
(ЛДЦЭ)
,
Ахмедабад
Приянка Патель создал этот калькулятор и еще 25+!
Проверено
Сантош Ядав
Инженерный колледж Даянанды Сагара
(ДСКЭ)
,
Банглор
Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!
<
25 Оптимизация материалов СБИС Калькуляторы
Плотность заряда области массового истощения СБИС
Идти
Плотность заряда области массового истощения
= -(1-((
Боковая протяженность области истощения с источником
+
Боковая протяженность области истощения с дренажом
)/(2*
Длина канала
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Концентрация акцептора
*
abs
(2*
Поверхностный потенциал
))
Коэффициент эффекта тела
Идти
Коэффициент эффекта тела
=
modulus
((
Пороговое напряжение
-
Пороговое напряжение DIBL
)/(
sqrt
(
Поверхностный потенциал
+(
Разница в потенциале исходного тела
))-
sqrt
(
Поверхностный потенциал
)))
Соединение Встроенное напряжение СБИС
Идти
Встроенное напряжение соединения
= (
[BoltZ]
*
Температура
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Концентрация акцептора
*
Концентрация доноров
/(
Внутренняя концентрация
)^2)
Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС
Идти
Глубина истощения Pn-перехода с источником
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Встроенное напряжение соединения
)/(
[Charge-e]
*
Концентрация акцептора
))
Общая паразитная емкость источника
Идти
Паразитная емкость источника
= (
Емкость между соединением тела и источника
*
Область диффузии источника
)+(
Емкость между соединением корпуса и боковой стенкой
*
Периметр боковой стенки диффузии источника
)
Ток насыщения короткого канала СБИС
Идти
Ток насыщения короткого канала
=
ширина канала
*
Скорость дрейфа электронов насыщения
*
Оксидная емкость на единицу площади
*
Напряжение источника насыщения, стока
Переходный ток
Идти
Ток перехода
= (
Статическая мощность
/
Базовое напряжение коллектора
)-(
Подпороговый ток
+
Текущий конфликт
+
Ток затвора
)
Поверхностный потенциал
Идти
Поверхностный потенциал
= 2*
Разница в потенциале исходного тела
*
ln
(
Концентрация акцептора
/
Внутренняя концентрация
)
DIBL Коэффициент
Идти
Коэффициент DIBL
= (
Пороговое напряжение DIBL
-
Пороговое напряжение
)/
Сток в источник потенциала
Пороговое напряжение, когда источник соответствует потенциалу тела
Идти
Пороговое напряжение DIBL
=
Коэффициент DIBL
*
Сток в источник потенциала
+
Пороговое напряжение
Оксидная емкость после полного масштабирования СБИС
Идти
Оксидная емкость после полного масштабирования
=
Оксидная емкость на единицу площади
*
Коэффициент масштабирования
Пороговое напряжение
Идти
Пороговое напряжение
=
Ворота к напряжению канала
-(
Плата за канал
/
Емкость затвора
)
Емкость затвора
Идти
Емкость затвора
=
Плата за канал
/(
Ворота к напряжению канала
-
Пороговое напряжение
)
Плата за канал
Идти
Плата за канал
=
Емкость затвора
*(
Ворота к напряжению канала
-
Пороговое напряжение
)
Подпороговый наклон
Идти
Подпороговый наклон
=
Разница в потенциале исходного тела
*
Коэффициент DIBL
*
ln
(10)
Длина затвора с использованием оксидной емкости затвора
Идти
Длина ворот
=
Емкость затвора
/(
Емкость оксидного слоя затвора
*
Ширина ворот
)
Оксидная емкость затвора
Идти
Емкость оксидного слоя затвора
=
Емкость затвора
/(
Ширина ворот
*
Длина ворот
)
Толщина оксида затвора после полного масштабирования СБИС
Идти
Толщина оксида затвора после полного масштабирования
=
Толщина оксида ворот
/
Коэффициент масштабирования
Глубина соединения после полного масштабирования СБИС
Идти
Глубина соединения после полного масштабирования
=
Глубина соединения
/
Коэффициент масштабирования
Критическое напряжение
Идти
Критическое напряжение
=
Критическое электрическое поле
*
Электрическое поле по длине канала
Ширина канала после полного масштабирования СБИС
Идти
Ширина канала после полного масштабирования
=
ширина канала
/
Коэффициент масштабирования
Длина канала после полного масштабирования СБИС
Идти
Длина канала после полного масштабирования
=
Длина канала
/
Коэффициент масштабирования
Внутренняя емкость затвора
Идти
Емкость перекрытия МОП-затвора
=
Емкость МОП-ворота
*
Ширина перехода
Мобильность в Mosfet
Идти
Мобильность в MOSFET
=
К Прайм
/
Емкость оксидного слоя затвора
K-Prime
Идти
К Прайм
=
Мобильность в MOSFET
*
Емкость оксидного слоя затвора
Соединение Встроенное напряжение СБИС формула
Встроенное напряжение соединения
= (
[BoltZ]
*
Температура
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Концентрация акцептора
*
Концентрация доноров
/(
Внутренняя концентрация
)^2)
Ø
0
= (
[BoltZ]
*
T
/
[Charge-e]
)*
ln
(
N
A
*
N
D
/(
N
i
)^2)
Дом
БЕСПЛАТНО PDF-файлы
🔍
Поиск
Категории
доля
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!