Calcolatrice da A a Z
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Ottimizzazione dei materiali VLSI
Progettazione VLSI analogica
✖
La temperatura riflette quanto è caldo o freddo un oggetto o un ambiente.
ⓘ
Temperatura [T]
Centigrado
Delisle
Fahrenheit
Kelvin
Newton
Rankine
Reaumur
Romero
punto triplo dell'acqua
+10%
-10%
✖
La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.
ⓘ
Concentrazione dell'accettore [N
A
]
1 per centimetro cubo
1 per metro cubo
per litro
per millilitro
+10%
-10%
✖
La concentrazione del donatore si riferisce alla concentrazione di atomi droganti donatori introdotti in un materiale semiconduttore per aumentare il numero di elettroni liberi.
ⓘ
Concentrazione dei donatori [N
D
]
1 per centimetro cubo
1 per metro cubo
per litro
per millilitro
+10%
-10%
✖
La concentrazione intrinseca si riferisce alla concentrazione di portatori di carica (elettroni e lacune) in un semiconduttore intrinseco all'equilibrio termico.
ⓘ
Concentrazione intrinseca [N
i
]
1 per centimetro cubo
1 per metro cubo
per litro
per millilitro
+10%
-10%
✖
La tensione incorporata nella giunzione è definita come la tensione che esiste attraverso una giunzione del semiconduttore in equilibrio termico, dove non viene applicata alcuna tensione esterna.
ⓘ
Tensione incorporata di giunzione VLSI [Ø
0
]
Abvolt
Attovolt
Centivolt
Decivolo
Decavolt
EMU di potenziale elettrico
ESU di potenziale elettrico
Femtovolt
Gigavolt
Ettovolt
kilovolt
Megavolt
Microvolt
Millvolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck di tensione
statvolt
Teravot
Volt
Watt/Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
⎘ Copia
Passi
👎
Formula
✖
Tensione incorporata di giunzione VLSI
Formula
`"Ø"_{"0"} = ("[BoltZ]"*"T"/"[Charge-e]")*ln("N"_{"A"}*"N"_{"D"}/("N"_{"i"})^2)`
Esempio
`"0.754632V"=("[BoltZ]"*"300K"/"[Charge-e]")*ln("1e+16/cm³"*"1e+17/cm³"/("1.45e+10/cm³")^2)`
Calcolatrice
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Scaricamento Elettronica Formula PDF
Tensione incorporata di giunzione VLSI Soluzione
FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Tensione incorporata di giunzione
= (
[BoltZ]
*
Temperatura
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Concentrazione dell'accettore
*
Concentrazione dei donatori
/(
Concentrazione intrinseca
)^2)
Ø
0
= (
[BoltZ]
*
T
/
[Charge-e]
)*
ln
(
N
A
*
N
D
/(
N
i
)^2)
Questa formula utilizza
2
Costanti
,
1
Funzioni
,
5
Variabili
Costanti utilizzate
[Charge-e]
- Carica dell'elettrone Valore preso come 1.60217662E-19
[BoltZ]
- Costante di Boltzmann Valore preso come 1.38064852E-23
Funzioni utilizzate
ln
- Il logaritmo naturale, detto anche logaritmo in base e, è la funzione inversa della funzione esponenziale naturale., ln(Number)
Variabili utilizzate
Tensione incorporata di giunzione
-
(Misurato in Volt)
- La tensione incorporata nella giunzione è definita come la tensione che esiste attraverso una giunzione del semiconduttore in equilibrio termico, dove non viene applicata alcuna tensione esterna.
Temperatura
-
(Misurato in Kelvin)
- La temperatura riflette quanto è caldo o freddo un oggetto o un ambiente.
Concentrazione dell'accettore
-
(Misurato in 1 per metro cubo)
- La concentrazione dell'accettore si riferisce alla concentrazione degli atomi droganti dell'accettore in un materiale semiconduttore.
Concentrazione dei donatori
-
(Misurato in 1 per metro cubo)
- La concentrazione del donatore si riferisce alla concentrazione di atomi droganti donatori introdotti in un materiale semiconduttore per aumentare il numero di elettroni liberi.
Concentrazione intrinseca
-
(Misurato in 1 per metro cubo)
- La concentrazione intrinseca si riferisce alla concentrazione di portatori di carica (elettroni e lacune) in un semiconduttore intrinseco all'equilibrio termico.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Temperatura:
300 Kelvin --> 300 Kelvin Nessuna conversione richiesta
Concentrazione dell'accettore:
1E+16 1 per centimetro cubo --> 1E+22 1 per metro cubo
(Controlla la conversione
qui
)
Concentrazione dei donatori:
1E+17 1 per centimetro cubo --> 1E+23 1 per metro cubo
(Controlla la conversione
qui
)
Concentrazione intrinseca:
14500000000 1 per centimetro cubo --> 1.45E+16 1 per metro cubo
(Controlla la conversione
qui
)
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Ø
0
= ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N
A
*N
D
/(N
i
)^2) -->
(
[BoltZ]
*300/
[Charge-e]
)*
ln
(1E+22*1E+23/(1.45E+16)^2)
Valutare ... ...
Ø
0
= 0.75463200359389
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.75463200359389 Volt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.75463200359389
≈
0.754632 Volt
<--
Tensione incorporata di giunzione
(Calcolo completato in 00.004 secondi)
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Tensione incorporata di giunzione VLSI
Titoli di coda
Creato da
Priyanka Patel
Facoltà di ingegneria Lalbhai Dalpatbhai
(LDCE)
,
Ahmedabad
Priyanka Patel ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!
Verificato da
Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
<
25 Ottimizzazione dei materiali VLSI Calcolatrici
Densità di carica della regione di esaurimento di massa VLSI
Partire
Densità di carica della regione di esaurimento di massa
= -(1-((
Estensione laterale della regione di esaurimento con la sorgente
+
Estensione laterale della regione di esaurimento con drenaggio
)/(2*
Lunghezza del canale
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Concentrazione dell'accettore
*
abs
(2*
Potenziale di superficie
))
Coefficiente di effetto corporeo
Partire
Coefficiente di effetto corporeo
=
modulus
((
Soglia di voltaggio
-
Tensione di soglia DIBL
)/(
sqrt
(
Potenziale di superficie
+(
Differenza di potenziale del corpo sorgente
))-
sqrt
(
Potenziale di superficie
)))
Profondità di esaurimento della giunzione PN con sorgente VLSI
Partire
Profondità di svuotamento della giunzione Pn con sorgente
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Tensione incorporata di giunzione
)/(
[Charge-e]
*
Concentrazione dell'accettore
))
Tensione incorporata di giunzione VLSI
Partire
Tensione incorporata di giunzione
= (
[BoltZ]
*
Temperatura
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Concentrazione dell'accettore
*
Concentrazione dei donatori
/(
Concentrazione intrinseca
)^2)
Capacità parassita della sorgente totale
Partire
Capacità parassita della sorgente
= (
Capacità tra giunzione del corpo e sorgente
*
Area di diffusione della sorgente
)+(
Capacità tra la giunzione del corpo e la parete laterale
*
Perimetro della parete laterale della diffusione della sorgente
)
Corrente di saturazione del canale corto VLSI
Partire
Corrente di saturazione del canale corto
=
Larghezza del canale
*
Velocità di deriva degli elettroni in saturazione
*
Capacità di ossido per unità di area
*
Tensione della sorgente di drenaggio di saturazione
Corrente di giunzione
Partire
Corrente di giunzione
= (
Potenza statica
/
Tensione del collettore di base
)-(
Corrente sottosoglia
+
Corrente di contesa
+
Corrente del cancello
)
Potenziale di superficie
Partire
Potenziale di superficie
= 2*
Differenza di potenziale del corpo sorgente
*
ln
(
Concentrazione dell'accettore
/
Concentrazione intrinseca
)
Lunghezza del gate utilizzando la capacità dell'ossido di gate
Partire
Lunghezza del cancello
=
Capacità del cancello
/(
Capacità dello strato di ossido di gate
*
Larghezza del cancello
)
Capacità dell'ossido di gate
Partire
Capacità dello strato di ossido di gate
=
Capacità del cancello
/(
Larghezza del cancello
*
Lunghezza del cancello
)
Coefficiente DIBL
Partire
Coefficiente DIBL
= (
Tensione di soglia DIBL
-
Soglia di voltaggio
)/
Drenare al potenziale di origine
Tensione di soglia quando la sorgente è al potenziale corporeo
Partire
Tensione di soglia DIBL
=
Coefficiente DIBL
*
Drenare al potenziale di origine
+
Soglia di voltaggio
Pendenza sottosoglia
Partire
Pendenza sottosoglia
=
Differenza di potenziale del corpo sorgente
*
Coefficiente DIBL
*
ln
(10)
Soglia di voltaggio
Partire
Soglia di voltaggio
=
Voltaggio da gate a canale
-(
Carica del canale
/
Capacità del cancello
)
Capacità del gate
Partire
Capacità del cancello
=
Carica del canale
/(
Voltaggio da gate a canale
-
Soglia di voltaggio
)
Channel Charge
Partire
Carica del canale
=
Capacità del cancello
*(
Voltaggio da gate a canale
-
Soglia di voltaggio
)
Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo VLSI
Partire
Capacità dell'ossido dopo il ridimensionamento completo
=
Capacità di ossido per unità di area
*
Fattore di scala
Profondità di giunzione dopo il ridimensionamento completo VLSI
Partire
Profondità della giunzione dopo il ridimensionamento completo
=
Profondità di giunzione
/
Fattore di scala
Spessore dell'ossido di gate dopo il ridimensionamento completo VLSI
Partire
Spessore dell'ossido di gate dopo la scalatura completa
=
Spessore dell'ossido di gate
/
Fattore di scala
Lunghezza del canale dopo il ridimensionamento completo VLSI
Partire
Lunghezza del canale dopo il ridimensionamento completo
=
Lunghezza del canale
/
Fattore di scala
Larghezza del canale dopo il ridimensionamento completo VLSI
Partire
Larghezza del canale dopo il ridimensionamento completo
=
Larghezza del canale
/
Fattore di scala
Tensione critica
Partire
Tensione critica
=
Campo elettrico critico
*
Campo elettrico attraverso la lunghezza del canale
Capacità intrinseca di gate
Partire
Capacità di sovrapposizione del gate MOS
=
Capacità del gate MOS
*
Larghezza di transizione
Mobilità in Mosfet
Partire
Mobilità nei MOSFET
=
K Primo
/
Capacità dello strato di ossido di gate
K-Prime
Partire
K Primo
=
Mobilità nei MOSFET
*
Capacità dello strato di ossido di gate
Tensione incorporata di giunzione VLSI Formula
Tensione incorporata di giunzione
= (
[BoltZ]
*
Temperatura
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Concentrazione dell'accettore
*
Concentrazione dei donatori
/(
Concentrazione intrinseca
)^2)
Ø
0
= (
[BoltZ]
*
T
/
[Charge-e]
)*
ln
(
N
A
*
N
D
/(
N
i
)^2)
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