MCD de tres números

Calculadora Voltaje incorporado de unión VLSI

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Optimización de materiales VLSI Diseño VLSI analógico

✖La temperatura refleja qué tan caliente o frío es un objeto o ambiente.ⓘ Temperatura [T]			+10% -10%
✖La concentración del aceptor se refiere a la concentración de átomos dopantes aceptores en un material semiconductor.ⓘ Concentración de aceptor [N_A]			+10% -10%
✖La concentración de donante se refiere a la concentración de átomos dopantes donantes introducidos en un material semiconductor para aumentar el número de electrones libres.ⓘ Concentración de donantes [N_D]			+10% -10%
✖La concentración intrínseca se refiere a la concentración de portadores de carga (electrones y huecos) en un semiconductor intrínseco en equilibrio térmico.ⓘ Concentración intrínseca [N_i]			+10% -10%

✖El voltaje incorporado en la unión se define como el voltaje que existe a través de una unión semiconductora en equilibrio térmico, donde no se aplica voltaje externo.ⓘ Voltaje incorporado de unión VLSI [Ø₀]

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Voltaje incorporado de unión VLSI Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Voltaje incorporado de unión = ([BoltZ]*Temperatura/[Charge-e])*ln(Concentración de aceptor*Concentración de donantes/(Concentración intrínseca)^2)
Ø₀ = ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N_A*N_D/(N_i)^2)
Esta fórmula usa 2 Constantes, 1 Funciones, 5 Variables

Constantes utilizadas

[Charge-e] - carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19
[BoltZ] - constante de Boltzmann Valor tomado como 1.38064852E-23

Funciones utilizadas

ln - El logaritmo natural, también conocido como logaritmo en base e, es la función inversa de la función exponencial natural., ln(Number)

Variables utilizadas

Voltaje incorporado de unión - (Medido en Voltio) - El voltaje incorporado en la unión se define como el voltaje que existe a través de una unión semiconductora en equilibrio térmico, donde no se aplica voltaje externo.
Temperatura - (Medido en Kelvin) - La temperatura refleja qué tan caliente o frío es un objeto o ambiente.
Concentración de aceptor - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración del aceptor se refiere a la concentración de átomos dopantes aceptores en un material semiconductor.
Concentración de donantes - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración de donante se refiere a la concentración de átomos dopantes donantes introducidos en un material semiconductor para aumentar el número de electrones libres.
Concentración intrínseca - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración intrínseca se refiere a la concentración de portadores de carga (electrones y huecos) en un semiconductor intrínseco en equilibrio térmico.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Temperatura: 300 Kelvin --> 300 Kelvin No se requiere conversión
Concentración de aceptor: 1E+16 1 por centímetro cúbico --> 1E+22 1 por metro cúbico (Verifique la conversión aquí)
Concentración de donantes: 1E+17 1 por centímetro cúbico --> 1E+23 1 por metro cúbico (Verifique la conversión aquí)
Concentración intrínseca: 14500000000 1 por centímetro cúbico --> 1.45E+16 1 por metro cúbico (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

Ø₀ = ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N_A*N_D/(N_i)^2) --> ([BoltZ]*300/[Charge-e])*ln(1E+22*1E+23/(1.45E+16)^2)

Evaluar ... ...

Ø₀ = 0.75463200359389

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.75463200359389 Voltio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.75463200359389 ≈ 0.754632 Voltio <-- Voltaje incorporado de unión

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Priyanka Patel

Facultad de ingeniería Lalbhai Dalpatbhai (LDCE), Ahmedabad

¡Priyanka Patel ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

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Coeficiente de efecto corporal

LaTeX Vamos Coeficiente de efecto corporal = modulus((Voltaje umbral-Tensión umbral DIBL)/(sqrt(Potencial de superficie+(Diferencia de potencial del cuerpo fuente))-sqrt(Potencial de superficie)))

Coeficiente DIBL

LaTeX Vamos Coeficiente DIBL = (Tensión umbral DIBL-Voltaje umbral)/Drenar a la fuente potencial

Carga de canal

LaTeX Vamos Cargo del canal = Capacitancia de puerta*(Voltaje de puerta a canal-Voltaje umbral)

Voltaje crítico

LaTeX Vamos Voltaje crítico = Campo eléctrico crítico*Campo eléctrico a lo largo del canal