Calculadora A a Z
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Calculadora Voltaje incorporado de unión VLSI
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Optimización de materiales VLSI
Diseño VLSI analógico
✖
La temperatura refleja qué tan caliente o frío es un objeto o ambiente.
ⓘ
Temperatura [T]
Celsius
Delisle
Fahrenheit
Kelvin
newton
Ranking
Reaumur
Romero
Triple punto de agua
+10%
-10%
✖
La concentración del aceptor se refiere a la concentración de átomos dopantes aceptores en un material semiconductor.
ⓘ
Concentración de aceptor [N
A
]
1 por centímetro cúbico
1 por metro cúbico
por litro
por mililitro
+10%
-10%
✖
La concentración de donante se refiere a la concentración de átomos dopantes donantes introducidos en un material semiconductor para aumentar el número de electrones libres.
ⓘ
Concentración de donantes [N
D
]
1 por centímetro cúbico
1 por metro cúbico
por litro
por mililitro
+10%
-10%
✖
La concentración intrínseca se refiere a la concentración de portadores de carga (electrones y huecos) en un semiconductor intrínseco en equilibrio térmico.
ⓘ
Concentración intrínseca [N
i
]
1 por centímetro cúbico
1 por metro cúbico
por litro
por mililitro
+10%
-10%
✖
El voltaje incorporado en la unión se define como el voltaje que existe a través de una unión semiconductora en equilibrio térmico, donde no se aplica voltaje externo.
ⓘ
Voltaje incorporado de unión VLSI [Ø
0
]
Abvoltio
attovoltio
Centivoltios
decivoltio
Decavoltio
EMU de potencial eléctrico
ESU de potencial eléctrico
Femtovoltio
gigavoltio
hectovoltio
Kilovoltio
Megavoltio
Microvoltio
milivoltio
nanovoltios
petavoltio
Picovoltio
Voltaje de Planck
Statvoltio
Teravoltios
Voltio
Vatio/Amperio
Yoctovoltio
Zeptovolt
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Pasos
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Fórmula
✖
Voltaje incorporado de unión VLSI
Fórmula
`"Ø"_{"0"} = ("[BoltZ]"*"T"/"[Charge-e]")*ln("N"_{"A"}*"N"_{"D"}/("N"_{"i"})^2)`
Ejemplo
`"0.754632V"=("[BoltZ]"*"300K"/"[Charge-e]")*ln("1e+16/cm³"*"1e+17/cm³"/("1.45e+10/cm³")^2)`
Calculadora
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Descargar Electrónica Fórmula PDF
Voltaje incorporado de unión VLSI Solución
PASO 0: Resumen del cálculo previo
Fórmula utilizada
Voltaje incorporado de unión
= (
[BoltZ]
*
Temperatura
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Concentración de aceptor
*
Concentración de donantes
/(
Concentración intrínseca
)^2)
Ø
0
= (
[BoltZ]
*
T
/
[Charge-e]
)*
ln
(
N
A
*
N
D
/(
N
i
)^2)
Esta fórmula usa
2
Constantes
,
1
Funciones
,
5
Variables
Constantes utilizadas
[Charge-e]
- carga de electrones Valor tomado como 1.60217662E-19
[BoltZ]
- constante de Boltzmann Valor tomado como 1.38064852E-23
Funciones utilizadas
ln
- El logaritmo natural, también conocido como logaritmo en base e, es la función inversa de la función exponencial natural., ln(Number)
Variables utilizadas
Voltaje incorporado de unión
-
(Medido en Voltio)
- El voltaje incorporado en la unión se define como el voltaje que existe a través de una unión semiconductora en equilibrio térmico, donde no se aplica voltaje externo.
Temperatura
-
(Medido en Kelvin)
- La temperatura refleja qué tan caliente o frío es un objeto o ambiente.
Concentración de aceptor
-
(Medido en 1 por metro cúbico)
- La concentración del aceptor se refiere a la concentración de átomos dopantes aceptores en un material semiconductor.
Concentración de donantes
-
(Medido en 1 por metro cúbico)
- La concentración de donante se refiere a la concentración de átomos dopantes donantes introducidos en un material semiconductor para aumentar el número de electrones libres.
Concentración intrínseca
-
(Medido en 1 por metro cúbico)
- La concentración intrínseca se refiere a la concentración de portadores de carga (electrones y huecos) en un semiconductor intrínseco en equilibrio térmico.
PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base
Temperatura:
300 Kelvin --> 300 Kelvin No se requiere conversión
Concentración de aceptor:
1E+16 1 por centímetro cúbico --> 1E+22 1 por metro cúbico
(Verifique la conversión
aquí
)
Concentración de donantes:
1E+17 1 por centímetro cúbico --> 1E+23 1 por metro cúbico
(Verifique la conversión
aquí
)
Concentración intrínseca:
14500000000 1 por centímetro cúbico --> 1.45E+16 1 por metro cúbico
(Verifique la conversión
aquí
)
PASO 2: Evaluar la fórmula
Sustituir valores de entrada en una fórmula
Ø
0
= ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N
A
*N
D
/(N
i
)^2) -->
(
[BoltZ]
*300/
[Charge-e]
)*
ln
(1E+22*1E+23/(1.45E+16)^2)
Evaluar ... ...
Ø
0
= 0.75463200359389
PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida
0.75463200359389 Voltio --> No se requiere conversión
RESPUESTA FINAL
0.75463200359389
≈
0.754632 Voltio
<--
Voltaje incorporado de unión
(Cálculo completado en 00.004 segundos)
Aquí estás
-
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Optimización de materiales VLSI
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Voltaje incorporado de unión VLSI
Créditos
Creado por
Priyanka Patel
Facultad de ingeniería Lalbhai Dalpatbhai
(LDCE)
,
Ahmedabad
¡Priyanka Patel ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!
Verificada por
Santhosh Yadav
Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar
(DSCE)
,
banglore
¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!
<
25 Optimización de materiales VLSI Calculadoras
Región de agotamiento masivo Densidad de carga VLSI
Vamos
Densidad de carga de la región de agotamiento masivo
= -(1-((
Extensión lateral de la región de agotamiento con fuente
+
Extensión lateral de la región de agotamiento con drenaje
)/(2*
Longitud del canal
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Concentración de aceptor
*
abs
(2*
Potencial de superficie
))
Coeficiente de efecto corporal
Vamos
Coeficiente de efecto corporal
=
modulus
((
Voltaje umbral
-
Tensión umbral DIBL
)/(
sqrt
(
Potencial de superficie
+(
Diferencia de potencial del cuerpo fuente
))-
sqrt
(
Potencial de superficie
)))
Voltaje incorporado de unión VLSI
Vamos
Voltaje incorporado de unión
= (
[BoltZ]
*
Temperatura
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Concentración de aceptor
*
Concentración de donantes
/(
Concentración intrínseca
)^2)
Profundidad de agotamiento de la unión PN con fuente VLSI
Vamos
Profundidad de agotamiento de la unión Pn con fuente
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Voltaje incorporado de unión
)/(
[Charge-e]
*
Concentración de aceptor
))
Capacitancia parasitaria total de la fuente
Vamos
Capacitancia parásita de fuente
= (
Capacitancia entre la unión del cuerpo y la fuente.
*
Área de difusión de fuentes
)+(
Capacitancia entre la unión del cuerpo y la pared lateral.
*
Perímetro de difusión de la fuente en la pared lateral
)
Corriente de saturación de canal corto VLSI
Vamos
Corriente de saturación de canal corto
=
Ancho de banda
*
Velocidad de deriva de electrones de saturación
*
Capacitancia de óxido por unidad de área
*
Voltaje de fuente de drenaje de saturación
Corriente de unión
Vamos
Corriente de unión
= (
Energía estática
/
Voltaje base del colector
)-(
Corriente subumbral
+
Contención actual
+
Corriente de puerta
)
Potencial de superficie
Vamos
Potencial de superficie
= 2*
Diferencia de potencial del cuerpo fuente
*
ln
(
Concentración de aceptor
/
Concentración intrínseca
)
Longitud de puerta usando la capacitancia de óxido de puerta
Vamos
Longitud de la puerta
=
Capacitancia de puerta
/(
Capacitancia de la capa de óxido de puerta
*
Ancho de la puerta
)
Capacitancia de óxido de puerta
Vamos
Capacitancia de la capa de óxido de puerta
=
Capacitancia de puerta
/(
Ancho de la puerta
*
Longitud de la puerta
)
Pendiente subumbral
Vamos
Pendiente subumbral
=
Diferencia de potencial del cuerpo fuente
*
Coeficiente DIBL
*
ln
(10)
Coeficiente DIBL
Vamos
Coeficiente DIBL
= (
Tensión umbral DIBL
-
Voltaje umbral
)/
Drenar a la fuente potencial
Capacitancia de la puerta
Vamos
Capacitancia de puerta
=
Cargo del canal
/(
Voltaje de puerta a canal
-
Voltaje umbral
)
Voltaje de umbral
Vamos
Voltaje umbral
=
Voltaje de puerta a canal
-(
Cargo del canal
/
Capacitancia de puerta
)
Carga de canal
Vamos
Cargo del canal
=
Capacitancia de puerta
*(
Voltaje de puerta a canal
-
Voltaje umbral
)
Voltaje de umbral cuando la fuente está en el potencial del cuerpo
Vamos
Tensión umbral DIBL
=
Coeficiente DIBL
*
Drenar a la fuente potencial
+
Voltaje umbral
Capacitancia de óxido después de VLSI de escala completa
Vamos
Capacitancia de óxido después del escalado completo
=
Capacitancia de óxido por unidad de área
*
Factor de escala
Espesor del óxido de compuerta después del VLSI de escala completa
Vamos
Espesor del óxido de puerta después del escalado completo
=
Espesor del óxido de la puerta
/
Factor de escala
Capacitancia de puerta intrínseca
Vamos
Capacitancia de superposición de puerta MOS
=
Capacitancia de puerta MOS
*
Ancho de transición
Profundidad de unión después de VLSI de escala completa
Vamos
Profundidad de unión después de la escala completa
=
Profundidad de unión
/
Factor de escala
Longitud del canal después del VLSI de escala completa
Vamos
Longitud del canal después de la escala completa
=
Longitud del canal
/
Factor de escala
Ancho del canal después del VLSI de escala completa
Vamos
Ancho del canal después de la escala completa
=
Ancho de banda
/
Factor de escala
Voltaje crítico
Vamos
Voltaje crítico
=
Campo eléctrico crítico
*
Campo eléctrico a lo largo del canal
Movilidad en Mosfet
Vamos
Movilidad en MOSFET
=
k primer
/
Capacitancia de la capa de óxido de puerta
K-Prime
Vamos
k primer
=
Movilidad en MOSFET
*
Capacitancia de la capa de óxido de puerta
Voltaje incorporado de unión VLSI Fórmula
Voltaje incorporado de unión
= (
[BoltZ]
*
Temperatura
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Concentración de aceptor
*
Concentración de donantes
/(
Concentración intrínseca
)^2)
Ø
0
= (
[BoltZ]
*
T
/
[Charge-e]
)*
ln
(
N
A
*
N
D
/(
N
i
)^2)
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