Rekenmachines A tot Z
🔍
Downloaden PDF
Chemie
Engineering
Financieel
Gezondheid
Wiskunde
Fysica
Verbinding Ingebouwde spanning VLSI Rekenmachine
Engineering
Chemie
Financieel
Fysica
Gezondheid
Speelplaats
Wiskunde
↳
Elektronica
Chemische technologie
Civiel
Elektrisch
Elektronica en instrumentatie
Materiaal kunde
Mechanisch
Productie Engineering
⤿
VLSI-fabricage
Analoge communicatie
Analoge elektronica
Antenne
CMOS-ontwerp en toepassingen
Controle systeem
Digitale beeldverwerking
Digitale communicatie
Draadloze communicatie
EDC
Elektromagnetische veldtheorie
Geïntegreerde schakelingen (IC)
Glasvezeltransmissie
Informatietheorie en codering
Ingebouwd systeem
Magnetron theorie
Ontwerp van optische vezels
Opto-elektronica-apparaten
Radarsysteem
RF-micro-elektronica
Satellietcommunicatie
Schakelsystemen voor telecommunicatie
Signaal en systemen
Solid State-apparaten
Televisie techniek
Transmissielijn en antenne
Vermogenselektronica
Versterkers
⤿
VLSI-materiaaloptimalisatie
Analoog VLSI-ontwerp
✖
Temperatuur weerspiegelt hoe warm of koud een object of omgeving is.
ⓘ
Temperatuur [T]
Celsius
Delisle
Fahrenheit
Kelvin
Newton
Rankine
Reaumur
Romer
drievoudig punt van water
+10%
-10%
✖
Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.
ⓘ
Acceptorconcentratie [N
A
]
1 per kubieke centimeter
1 per kubieke meter
per liter
per milliliter
+10%
-10%
✖
Donorconcentratie verwijst naar de concentratie van donordoteringsatomen die in een halfgeleidermateriaal worden geïntroduceerd om het aantal vrije elektronen te vergroten.
ⓘ
Donorconcentratie [N
D
]
1 per kubieke centimeter
1 per kubieke meter
per liter
per milliliter
+10%
-10%
✖
Intrinsieke concentratie verwijst naar de concentratie van ladingsdragers (elektronen en gaten) in een intrinsieke halfgeleider bij thermisch evenwicht.
ⓘ
Intrinsieke concentratie [N
i
]
1 per kubieke centimeter
1 per kubieke meter
per liter
per milliliter
+10%
-10%
✖
De ingebouwde junctiespanning wordt gedefinieerd als de spanning die bestaat over een halfgeleiderjunctie in thermisch evenwicht, waarbij geen externe spanning wordt toegepast.
ⓘ
Verbinding Ingebouwde spanning VLSI [Ø
0
]
abvolt
Attovolt
centivolt
decivolt
Dekavolt
EMU van elektrische spanning
ESU van elektrische spanning
Femtovolt
Gigavolt
Hectovolt
Kilovolt
Megavolt
Microvolt
millivolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck Voltage
Statvolt
Teravolt
Volt
Watt/Ampère
Yoctovolt
Zeptovolt
⎘ Kopiëren
Stappen
👎
Formule
✖
Verbinding Ingebouwde spanning VLSI
Formule
`"Ø"_{"0"} = ("[BoltZ]"*"T"/"[Charge-e]")*ln("N"_{"A"}*"N"_{"D"}/("N"_{"i"})^2)`
Voorbeeld
`"0.754632V"=("[BoltZ]"*"300K"/"[Charge-e]")*ln("1e+16/cm³"*"1e+17/cm³"/("1.45e+10/cm³")^2)`
Rekenmachine
LaTeX
Reset
👍
Downloaden Elektronica Formule Pdf
Verbinding Ingebouwde spanning VLSI Oplossing
STAP 0: Samenvatting voorberekening
Formule gebruikt
Junction Ingebouwde spanning
= (
[BoltZ]
*
Temperatuur
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Acceptorconcentratie
*
Donorconcentratie
/(
Intrinsieke concentratie
)^2)
Ø
0
= (
[BoltZ]
*
T
/
[Charge-e]
)*
ln
(
N
A
*
N
D
/(
N
i
)^2)
Deze formule gebruikt
2
Constanten
,
1
Functies
,
5
Variabelen
Gebruikte constanten
[Charge-e]
- Lading van elektron Waarde genomen als 1.60217662E-19
[BoltZ]
- Boltzmann-constante Waarde genomen als 1.38064852E-23
Functies die worden gebruikt
ln
- De natuurlijke logaritme, ook bekend als de logaritme met grondtal e, is de inverse functie van de natuurlijke exponentiële functie., ln(Number)
Variabelen gebruikt
Junction Ingebouwde spanning
-
(Gemeten in Volt)
- De ingebouwde junctiespanning wordt gedefinieerd als de spanning die bestaat over een halfgeleiderjunctie in thermisch evenwicht, waarbij geen externe spanning wordt toegepast.
Temperatuur
-
(Gemeten in Kelvin)
- Temperatuur weerspiegelt hoe warm of koud een object of omgeving is.
Acceptorconcentratie
-
(Gemeten in 1 per kubieke meter)
- Acceptorconcentratie verwijst naar de concentratie van acceptor-doteringsatomen in een halfgeleidermateriaal.
Donorconcentratie
-
(Gemeten in 1 per kubieke meter)
- Donorconcentratie verwijst naar de concentratie van donordoteringsatomen die in een halfgeleidermateriaal worden geïntroduceerd om het aantal vrije elektronen te vergroten.
Intrinsieke concentratie
-
(Gemeten in 1 per kubieke meter)
- Intrinsieke concentratie verwijst naar de concentratie van ladingsdragers (elektronen en gaten) in een intrinsieke halfgeleider bij thermisch evenwicht.
STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid
Temperatuur:
300 Kelvin --> 300 Kelvin Geen conversie vereist
Acceptorconcentratie:
1E+16 1 per kubieke centimeter --> 1E+22 1 per kubieke meter
(Bekijk de conversie
hier
)
Donorconcentratie:
1E+17 1 per kubieke centimeter --> 1E+23 1 per kubieke meter
(Bekijk de conversie
hier
)
Intrinsieke concentratie:
14500000000 1 per kubieke centimeter --> 1.45E+16 1 per kubieke meter
(Bekijk de conversie
hier
)
STAP 2: Evalueer de formule
Invoerwaarden in formule vervangen
Ø
0
= ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N
A
*N
D
/(N
i
)^2) -->
(
[BoltZ]
*300/
[Charge-e]
)*
ln
(1E+22*1E+23/(1.45E+16)^2)
Evalueren ... ...
Ø
0
= 0.75463200359389
STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer
0.75463200359389 Volt --> Geen conversie vereist
DEFINITIEVE ANTWOORD
0.75463200359389
≈
0.754632 Volt
<--
Junction Ingebouwde spanning
(Berekening voltooid in 00.004 seconden)
Je bevindt je hier
-
Huis
»
Engineering
»
Elektronica
»
VLSI-fabricage
»
VLSI-materiaaloptimalisatie
»
Verbinding Ingebouwde spanning VLSI
Credits
Gemaakt door
Prijanka Patel
Lalbhai Dalpatbhai College voor techniek
(LDCE)
,
Ahmedabad
Prijanka Patel heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!
Geverifieërd door
Santhosh Yadav
Dayananda Sagar College of Engineering
(DSCE)
,
Banglore
Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!
<
25 VLSI-materiaaloptimalisatie Rekenmachines
Bulkuitputtingsregio Ladingsdichtheid VLSI
Gaan
Ladingsdichtheid van het bulkuitputtingsgebied
= -(1-((
Laterale omvang van het uitputtingsgebied met bron
+
Laterale omvang van het uitputtingsgebied met afvoer
)/(2*
Kanaallengte
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Acceptorconcentratie
*
abs
(2*
Oppervlaktepotentieel
))
Lichaamseffectcoëfficiënt
Gaan
Lichaamseffectcoëfficiënt
=
modulus
((
Drempelspanning
-
Drempelspanning DIBL
)/(
sqrt
(
Oppervlaktepotentieel
+(
Bron Lichaamspotentieelverschil
))-
sqrt
(
Oppervlaktepotentieel
)))
Verbinding Ingebouwde spanning VLSI
Gaan
Junction Ingebouwde spanning
= (
[BoltZ]
*
Temperatuur
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Acceptorconcentratie
*
Donorconcentratie
/(
Intrinsieke concentratie
)^2)
PN-verbindingsdepletiediepte met bron VLSI
Gaan
Pn-verbindingsdepletiediepte met bron
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Junction Ingebouwde spanning
)/(
[Charge-e]
*
Acceptorconcentratie
))
Totale bronparasitaire capaciteit
Gaan
Bron Parasitaire capaciteit
= (
Capaciteit tussen kruising van lichaam en bron
*
Gebied van bronverspreiding
)+(
Capaciteit tussen verbinding van lichaam en zijwand
*
Zijwandomtrek van brondiffusie
)
Korte kanaalverzadigingsstroom VLSI
Gaan
Korte kanaalverzadigingsstroom
=
Kanaalbreedte
*
Verzadiging Elektronendriftsnelheid
*
Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid
*
Verzadigingsafvoer Bronspanning
Junction Current
Gaan
Verbindingsstroom
= (
Statische kracht
/
Basiscollectorspanning
)-(
Subdrempelstroom
+
Betwisting actueel
+
Poortstroom
)
Oppervlakte Potentieel
Gaan
Oppervlaktepotentieel
= 2*
Bron Lichaamspotentieelverschil
*
ln
(
Acceptorconcentratie
/
Intrinsieke concentratie
)
DIBL-coëfficiënt
Gaan
DIBL-coëfficiënt
= (
Drempelspanning DIBL
-
Drempelspanning
)/
Afvoer naar bronpotentieel
Drempelspanning wanneer de bron zich op het lichaamspotentieel bevindt
Gaan
Drempelspanning DIBL
=
DIBL-coëfficiënt
*
Afvoer naar bronpotentieel
+
Drempelspanning
Subdrempel Helling
Gaan
Helling onder de drempel
=
Bron Lichaamspotentieelverschil
*
DIBL-coëfficiënt
*
ln
(10)
Poortlengte met behulp van Gate Oxide-capaciteit
Gaan
Poortlengte
=
Poortcapaciteit
/(
Capaciteit van Gate Oxide Layer
*
Poortbreedte
)
Gate-oxidecapaciteit
Gaan
Capaciteit van Gate Oxide Layer
=
Poortcapaciteit
/(
Poortbreedte
*
Poortlengte
)
Poortcapaciteit
Gaan
Poortcapaciteit
=
Kanaalkosten
/(
Poort naar kanaalspanning
-
Drempelspanning
)
Drempelspanning
Gaan
Drempelspanning
=
Poort naar kanaalspanning
-(
Kanaalkosten
/
Poortcapaciteit
)
Kanaallading
Gaan
Kanaalkosten
=
Poortcapaciteit
*(
Poort naar kanaalspanning
-
Drempelspanning
)
Oxidecapaciteit na volledige schaling VLSI
Gaan
Oxidecapaciteit na volledige schaling
=
Oxidecapaciteit per oppervlakte-eenheid
*
Schaalfactor
Kritieke spanning
Gaan
Kritische spanning
=
Kritisch elektrisch veld
*
Elektrisch veld over de kanaallengte
Verbindingsdiepte na volledige schaling VLSI
Gaan
Verbindingsdiepte na volledige schaling
=
Verbindingsdiepte
/
Schaalfactor
Intrinsieke poortcapaciteit
Gaan
MOS-poortoverlappingscapaciteit
=
MOS-poortcapaciteit
*
Overgangsbreedte
Gate-oxidedikte na volledige schaling VLSI
Gaan
Gate-oxidedikte na volledige schaling
=
Poortoxidedikte
/
Schaalfactor
Kanaalbreedte na volledige schaling VLSI
Gaan
Kanaalbreedte na volledige schaling
=
Kanaalbreedte
/
Schaalfactor
Kanaallengte na volledige schaling VLSI
Gaan
Kanaallengte na volledige schaling
=
Kanaallengte
/
Schaalfactor
Mobiliteit in Mosfet
Gaan
Mobiliteit in MOSFET
=
K Prime
/
Capaciteit van Gate Oxide Layer
K-Prime
Gaan
K Prime
=
Mobiliteit in MOSFET
*
Capaciteit van Gate Oxide Layer
Verbinding Ingebouwde spanning VLSI Formule
Junction Ingebouwde spanning
= (
[BoltZ]
*
Temperatuur
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Acceptorconcentratie
*
Donorconcentratie
/(
Intrinsieke concentratie
)^2)
Ø
0
= (
[BoltZ]
*
T
/
[Charge-e]
)*
ln
(
N
A
*
N
D
/(
N
i
)^2)
Huis
VRIJ PDF's
🔍
Zoeken
Categorieën
Delen
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!