Prąd drenu obszaru omowego FET Kalkulator

✖Przewodność kanału FET jest miarą tego, jak dobrze kanał FET przewodzi prąd. Decyduje o tym ruchliwość nośników ładunku w kanale.ⓘ Przewodność kanału FET [G_o(fet)]			+10% -10%
✖Napięcie źródła drenu FET to napięcie pomiędzy drenem a zaciskiem źródła FET.ⓘ Napięcie źródła drenu FET [V_ds(fet)]			+10% -10%
✖Potencjał powierzchniowy FET działa w oparciu o potencjał powierzchniowy kanału półprzewodnikowego, kontrolując przepływ prądu przez napięcie bramki bez generowania warstw inwersyjnych.ⓘ Potencjał powierzchniowy FET [Ψ_0(fet)]			+10% -10%
✖Napięcie Pinch OFF to napięcie, przy którym kanał tranzystora polowego (FET) staje się tak wąski, że skutecznie się zamyka, uniemożliwiając dalszy przepływ prądu.ⓘ Wyłącz napięcie [V_off(fet)]			+10% -10%

✖Prąd drenu FET to prąd przepływający przez złącze drenu FET.ⓘ Prąd drenu obszaru omowego FET [I_d(fet)]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Prąd drenu obszaru omowego FET

Formuła

`"I"_{"d(fet)"} = "G"_{"o(fet)"}*("V"_{"ds(fet)"}+3/2*(("Ψ"_{"0(fet)"}+"V"_{"ds(fet)"}-"V"_{"ds(fet)"})^(3/2)-("Ψ"_{"0(fet)"}+"V"_{"ds(fet)"})^(3/2))/(("Ψ"_{"0(fet)"}+"V"_{"off(fet)"})^(1/2)))`

Przykład

`"0.000309A"="0.00167S"*("0.2V"+3/2*(("0.01859V"+"0.2V"-"0.2V")^(3/2)-("0.01859V"+"0.2V")^(3/2))/(("0.01859V"+"100.66V")^(1/2)))`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Elektronika mocy Formułę PDF PDF Image

Prąd drenu obszaru omowego FET Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Pobór prądu FET = Przewodność kanału FET*(Napięcie źródła drenu FET+3/2*((Potencjał powierzchniowy FET+Napięcie źródła drenu FET-Napięcie źródła drenu FET)^(3/2)-(Potencjał powierzchniowy FET+Napięcie źródła drenu FET)^(3/2))/((Potencjał powierzchniowy FET+Wyłącz napięcie)^(1/2)))
I_d(fet) = G_o(fet)*(V_ds(fet)+3/2*((Ψ_0(fet)+V_ds(fet)-V_ds(fet))^(3/2)-(Ψ_0(fet)+V_ds(fet))^(3/2))/((Ψ_0(fet)+V_off(fet))^(1/2)))
Ta formuła używa 5 Zmienne

Używane zmienne

Pobór prądu FET - (Mierzone w Amper) - Prąd drenu FET to prąd przepływający przez złącze drenu FET.
Przewodność kanału FET - (Mierzone w Siemens) - Przewodność kanału FET jest miarą tego, jak dobrze kanał FET przewodzi prąd. Decyduje o tym ruchliwość nośników ładunku w kanale.
Napięcie źródła drenu FET - (Mierzone w Wolt) - Napięcie źródła drenu FET to napięcie pomiędzy drenem a zaciskiem źródła FET.
Potencjał powierzchniowy FET - (Mierzone w Wolt) - Potencjał powierzchniowy FET działa w oparciu o potencjał powierzchniowy kanału półprzewodnikowego, kontrolując przepływ prądu przez napięcie bramki bez generowania warstw inwersyjnych.
Wyłącz napięcie - (Mierzone w Wolt) - Napięcie Pinch OFF to napięcie, przy którym kanał tranzystora polowego (FET) staje się tak wąski, że skutecznie się zamyka, uniemożliwiając dalszy przepływ prądu.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Przewodność kanału FET: 0.00167 Siemens --> 0.00167 Siemens Nie jest wymagana konwersja
Napięcie źródła drenu FET: 0.2 Wolt --> 0.2 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Potencjał powierzchniowy FET: 0.01859 Wolt --> 0.01859 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Wyłącz napięcie: 100.66 Wolt --> 100.66 Wolt Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

I_d(fet) = G_o(fet)*(V_ds(fet)+3/2*((Ψ_0(fet)+V_ds(fet)-V_ds(fet))^(3/2)-(Ψ_0(fet)+V_ds(fet))^(3/2))/((Ψ_0(fet)+V_off(fet))^(1/2))) --> 0.00167*(0.2+3/2*((0.01859+0.2-0.2)^(3/2)-(0.01859+0.2)^(3/2))/((0.01859+100.66)^(1/2)))

Ocenianie ... ...

I_d(fet) = 0.000309118432491184

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.000309118432491184 Amper --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.000309118432491184 ≈ 0.000309 Amper <-- Pobór prądu FET

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektryczny » Elektronika mocy » Zaawansowane urządzenia tranzystorowe » FET » Prąd drenu obszaru omowego FET

Kredyty

Stworzone przez Mohamed Fazil W

Instytut Technologii Acharya (KĘPA), Bengaluru

Mohamed Fazil W utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Parminder Singh

Uniwersytet Chandigarh (CU), Pendżab

Parminder Singh zweryfikował ten kalkulator i 500+ więcej kalkulatorów!

< 8 FET Kalkulatory

Prąd drenu obszaru omowego FET

Iść Pobór prądu FET = Przewodność kanału FET*(Napięcie źródła drenu FET+3/2*((Potencjał powierzchniowy FET+Napięcie źródła drenu FET-Napięcie źródła drenu FET)^(3/2)-(Potencjał powierzchniowy FET+Napięcie źródła drenu FET)^(3/2))/((Potencjał powierzchniowy FET+Wyłącz napięcie)^(1/2)))

Napięcie źródła drenu FET

Iść Napięcie źródła drenu FET = Napięcie zasilania na drenie FET-Pobór prądu FET*(Rezystancja drenażu FET+Odporność na źródło FET)

Transkonduktancja FET

Iść Transkonduktancja do przodu FET = (2*Zerowy prąd drenu)/Wyłącz napięcie*(1-Napięcie źródła drenu FET/Wyłącz napięcie)

Pojemność źródła bramki FET

Iść Pojemność źródła bramki FET = Czas wyłączenia pojemności źródła bramki FET/(1-(Napięcie źródła drenu FET/Potencjał powierzchniowy FET))^(1/3)

Pojemność drenu bramki FET

Iść Pojemność drenu bramki FET = Czas wyłączenia pojemności drenu bramki FET/(1-Bramka do napięcia drenu FET/Potencjał powierzchniowy FET)^(1/3)

Prąd drenu FET

Iść Pobór prądu FET = Zerowy prąd drenu*(1-Napięcie źródła drenu FET/Napięcie odcięcia FET)^2

Odetnij napięcie FET

Iść Wyłącz napięcie = Ściśnij WYŁ. Napięcie źródła drenażu FET-Napięcie źródła drenu FET

Wzmocnienie napięcia FET

Iść Wzmocnienie napięcia FET = -Transkonduktancja do przodu FET*Rezystancja drenażu FET

Prąd drenu obszaru omowego FET Formułę

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!