Ohmscher Bereich Drainstrom des FET Taschenrechner

✖Die Kanalleitfähigkeit ist das Maß dafür, wie gut der Kanal eines FET Strom leitet. Sie wird durch die Mobilität der Ladungsträger im Kanal bestimmt.ⓘ Kanalleitfähigkeit [G_o]			+10% -10%
✖Die Drain-Source-Spannung steuert den Stromfluss durch den JFET. Je höher die Drain-Source-Spannung ist, desto mehr Strom fließt durch den JFET.ⓘ Drain-Source-Spannung [V_ds]			+10% -10%
✖Psi (ψ) ist das Oberflächenpotential eines FET. Es handelt sich um die Potentialdifferenz zwischen der Halbleiteroberfläche und dem massiven Halbleiter.ⓘ Psi [Ψ₀]			+10% -10%
✖Die Verstärkung zur Source-Spannung eines JFET ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Spannung zur Änderung der Source-Spannung.ⓘ Verstärkung zur Quellenspannung [V_(g-s)]			+10% -10%
✖Die Pinch-Off-Spannung ist die Spannung, bei der der Kanal eines Feldeffekttransistors (FET) so schmal wird, dass er effektiv schließt und so jeden weiteren Stromfluss verhindert.ⓘ Pinch-Off-Spannung [V_off]			+10% -10%

✖Der Drain-Strom ist der Strom, der durch die Drain-Verbindung von MOSFET und IGBT fließt.ⓘ Ohmscher Bereich Drainstrom des FET [I_d]

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Formel

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Ohmscher Bereich Drainstrom des FET

Formel

`"I"_{"d"} = "G"_{"o"}*("V"_{"ds"}+3/2*(("Ψ"_{"0"}+"V"_{"(g-s)"}-"V"_{"ds"})^(3/2)-("Ψ"_{"0"}+"V"_{"(g-s)"})^(3/2))/(("Ψ"_{"0"}+"V"_{"off"})^(1/2)))`

Beispiel

`"3.8E^-5A"="0.00167S"*("0.2V"+3/2*(("0.01859kPa"+"0.0039V"-"0.2V")^(3/2)-("0.01859kPa"+"0.0039V")^(3/2))/(("0.01859kPa"+"100.66V")^(1/2)))`

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Ohmscher Bereich Drainstrom des FET Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Stromverbrauch = Kanalleitfähigkeit*(Drain-Source-Spannung+3/2*((Psi+Verstärkung zur Quellenspannung-Drain-Source-Spannung)^(3/2)-(Psi+Verstärkung zur Quellenspannung)^(3/2))/((Psi+Pinch-Off-Spannung)^(1/2)))
I_d = G_o*(V_ds+3/2*((Ψ₀+V_(g-s)-V_ds)^(3/2)-(Ψ₀+V_(g-s))^(3/2))/((Ψ₀+V_off)^(1/2)))
Diese formel verwendet 6 Variablen

Verwendete Variablen

Stromverbrauch - (Gemessen in Ampere) - Der Drain-Strom ist der Strom, der durch die Drain-Verbindung von MOSFET und IGBT fließt.
Kanalleitfähigkeit - (Gemessen in Siemens) - Die Kanalleitfähigkeit ist das Maß dafür, wie gut der Kanal eines FET Strom leitet. Sie wird durch die Mobilität der Ladungsträger im Kanal bestimmt.
Drain-Source-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Drain-Source-Spannung steuert den Stromfluss durch den JFET. Je höher die Drain-Source-Spannung ist, desto mehr Strom fließt durch den JFET.
Psi - (Gemessen in Pascal) - Psi (ψ) ist das Oberflächenpotential eines FET. Es handelt sich um die Potentialdifferenz zwischen der Halbleiteroberfläche und dem massiven Halbleiter.
Verstärkung zur Quellenspannung - (Gemessen in Volt) - Die Verstärkung zur Source-Spannung eines JFET ist das Verhältnis der Änderung der Drain-Spannung zur Änderung der Source-Spannung.
Pinch-Off-Spannung - (Gemessen in Volt) - Die Pinch-Off-Spannung ist die Spannung, bei der der Kanal eines Feldeffekttransistors (FET) so schmal wird, dass er effektiv schließt und so jeden weiteren Stromfluss verhindert.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Kanalleitfähigkeit: 0.00167 Siemens --> 0.00167 Siemens Keine Konvertierung erforderlich
Drain-Source-Spannung: 0.2 Volt --> 0.2 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Psi: 0.01859 Kilopascal --> 18.59 Pascal (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Verstärkung zur Quellenspannung: 0.0039 Volt --> 0.0039 Volt Keine Konvertierung erforderlich
Pinch-Off-Spannung: 100.66 Volt --> 100.66 Volt Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

I_d = G_o*(V_ds+3/2*((Ψ₀+V_(g-s)-V_ds)^(3/2)-(Ψ₀+V_(g-s))^(3/2))/((Ψ₀+V_off)^(1/2))) --> 0.00167*(0.2+3/2*((18.59+0.0039-0.2)^(3/2)-(18.59+0.0039)^(3/2))/((18.59+100.66)^(1/2)))

Auswerten ... ...

I_d = 3.80532912657331E-05

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

3.80532912657331E-05 Ampere --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

3.80532912657331E-05 ≈ 3.8E-5 Ampere <-- Stromverbrauch

(Berechnung in 00.020 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Mohamed Fazil V

Acharya-Institut für Technologie (AIT), Bengaluru

Mohamed Fazil V hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

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Ohmscher Bereich Drainstrom des FET

Gehen Stromverbrauch = Kanalleitfähigkeit*(Drain-Source-Spannung+3/2*((Psi+Verstärkung zur Quellenspannung-Drain-Source-Spannung)^(3/2)-(Psi+Verstärkung zur Quellenspannung)^(3/2))/((Psi+Pinch-Off-Spannung)^(1/2)))

Transkonduktanz von FET

Gehen Vorwärtstranskonduktanz = (2*Drainstrom mit Nullvorspannung)/Pinch-Off-Spannung*(1-Verstärkung zur Quellenspannung/Pinch-Off-Spannung)

Drain-Source-Spannung des FET

Gehen Drain-Source-Spannung = Versorgungsspannung am Drain-Stromverbrauch*(Abflusswiderstand+Quellenwiderstand)

Drainstrom des FET

Gehen Stromverbrauch = Drainstrom mit Nullvorspannung*(1-Verstärkung zur Quellenspannung/Cuttoff-Verstärkung zur Quellenspannung)^2

Gate-Source-Kapazität des FET

Gehen Gate-Source-Kapazität = Ausschaltzeit der Gate-Quellenkapazität/(1-(Verstärkung zur Quellenspannung/Psi))^(1/3)

Gate-Substratkapazität des FET

Gehen Gate-Substratkapazität = Ausschaltzeit der Gate-Substratkapazität/(1-(Gate-Substratspannung/Psi))^(1/2)

Gate-Drain-Kapazität des FET

Gehen Gate-to-Drain-Kapazität = Ausschaltzeit der Gate-Abflusskapazität/(1-Gate-zu-Drain-Spannung/Psi)^(1/3)

Abschnürspannung des FET

Gehen Pinch-Off-Spannung = Abklemmen der Drain-Source-Spannung-Verstärkung zur Quellenspannung

Spannungsverstärkung des FET

Gehen Spannungsverstärkung = -Vorwärtstranskonduktanz*Abflusswiderstand

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