Ток стока омической области полевого транзистора Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Ток стока полевого транзистора = Проводимость канала FET*(Напряжение источника стока FET+3/2*((Поверхностный потенциал FET+Напряжение источника стока FET-Напряжение источника стока FET)^(3/2)-(Поверхностный потенциал FET+Напряжение источника стока FET)^(3/2))/((Поверхностный потенциал FET+Напряжение отключения напряжения)^(1/2)))
Id(fet) = Go(fet)*(Vds(fet)+3/2*((Ψ0(fet)+Vds(fet)-Vds(fet))^(3/2)-(Ψ0(fet)+Vds(fet))^(3/2))/((Ψ0(fet)+Voff(fet))^(1/2)))
В этой формуле используются 5 Переменные
Используемые переменные
Ток стока полевого транзистора - (Измеряется в Ампер) - Ток стока полевого транзистора — это ток, который протекает через стоковый переход полевого транзистора.
Проводимость канала FET - (Измеряется в Сименс) - Проводимость канала FET — это мера того, насколько хорошо канал FET проводит ток. Она определяется подвижностью носителей заряда в канале.
Напряжение источника стока FET - (Измеряется в вольт) - Напряжение источника стока FET — это напряжение между стоком и выводом истока полевого транзистора.
Поверхностный потенциал FET - (Измеряется в вольт) - Полевой транзистор с поверхностным потенциалом работает на основе поверхностного потенциала полупроводникового канала, управляя потоком тока через напряжение затвора без создания инверсионных слоев.
Напряжение отключения напряжения - (Измеряется в вольт) - Напряжение Pinch OFF – это напряжение, при котором канал полевого транзистора (FET) становится настолько узким, что он эффективно закрывается, предотвращая дальнейшее протекание тока.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Проводимость канала FET: 0.00167 Сименс --> 0.00167 Сименс Конверсия не требуется
Напряжение источника стока FET: 0.2 вольт --> 0.2 вольт Конверсия не требуется
Поверхностный потенциал FET: 0.01859 вольт --> 0.01859 вольт Конверсия не требуется
Напряжение отключения напряжения: 100.66 вольт --> 100.66 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Id(fet) = Go(fet)*(Vds(fet)+3/2*((Ψ0(fet)+Vds(fet)-Vds(fet))^(3/2)-(Ψ0(fet)+Vds(fet))^(3/2))/((Ψ0(fet)+Voff(fet))^(1/2))) --> 0.00167*(0.2+3/2*((0.01859+0.2-0.2)^(3/2)-(0.01859+0.2)^(3/2))/((0.01859+100.66)^(1/2)))
Оценка ... ...
Id(fet) = 0.000309118432491184
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.000309118432491184 Ампер --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.000309118432491184 0.000309 Ампер <-- Ток стока полевого транзистора
(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Кредиты

Creator Image
Технологический институт Ачарья (АИТ), Бангалор
Мохамед Фазиль V создал этот калькулятор и еще 50+!
Verifier Image
Проверено Парминдер Сингх
Чандигархский университет (ТС), Пенджаб
Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

8 полевой транзистор Калькуляторы

Ток стока омической области полевого транзистора
​ Идти Ток стока полевого транзистора = Проводимость канала FET*(Напряжение источника стока FET+3/2*((Поверхностный потенциал FET+Напряжение источника стока FET-Напряжение источника стока FET)^(3/2)-(Поверхностный потенциал FET+Напряжение источника стока FET)^(3/2))/((Поверхностный потенциал FET+Напряжение отключения напряжения)^(1/2)))
Крутизна полевого транзистора
​ Идти Полевой транзистор прямой крутизны = (2*Ток стока нулевого смещения)/Напряжение отключения напряжения*(1-Напряжение источника стока FET/Напряжение отключения напряжения)
Напряжение источника стока полевого транзистора
​ Идти Напряжение источника стока FET = Напряжение питания на стоковом полевом транзисторе-Ток стока полевого транзистора*(Сопротивление стока FET+Исходное сопротивление FET)
Емкость затвора-стока полевого транзистора
​ Идти Емкость затвора-стока FET = Емкость стока затвора Время выключения FET/(1-Полевой транзистор с напряжением от затвора до стока/Поверхностный потенциал FET)^(1/3)
Емкость источника затвора полевого транзистора
​ Идти Емкость источника затвора FET = Емкость источника затвора Время выключения FET/(1-(Напряжение источника стока FET/Поверхностный потенциал FET))^(1/3)
Ток стока полевого транзистора
​ Идти Ток стока полевого транзистора = Ток стока нулевого смещения*(1-Напряжение источника стока FET/Напряжение отсечки FET)^2
Отключение напряжения полевого транзистора
​ Идти Напряжение отключения напряжения = Pinch OFF Напряжение источника стока FET-Напряжение источника стока FET
Коэффициент усиления полевого транзистора
​ Идти Усиление напряжения полевого транзистора = -Полевой транзистор прямой крутизны*Сопротивление стока FET

Ток стока омической области полевого транзистора формула

Ток стока полевого транзистора = Проводимость канала FET*(Напряжение источника стока FET+3/2*((Поверхностный потенциал FET+Напряжение источника стока FET-Напряжение источника стока FET)^(3/2)-(Поверхностный потенциал FET+Напряжение источника стока FET)^(3/2))/((Поверхностный потенциал FET+Напряжение отключения напряжения)^(1/2)))
Id(fet) = Go(fet)*(Vds(fet)+3/2*((Ψ0(fet)+Vds(fet)-Vds(fet))^(3/2)-(Ψ0(fet)+Vds(fet))^(3/2))/((Ψ0(fet)+Voff(fet))^(1/2)))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!