Corrente di drenaggio della regione ohmica del FET Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Assorbimento della corrente FET = FET conduttanza del canale*(FET di tensione della sorgente di drenaggio+3/2*((FET potenziale di superficie+FET di tensione della sorgente di drenaggio-FET di tensione della sorgente di drenaggio)^(3/2)-(FET potenziale di superficie+FET di tensione della sorgente di drenaggio)^(3/2))/((FET potenziale di superficie+Tensione di spegnimento)^(1/2)))
Id(fet) = Go(fet)*(Vds(fet)+3/2*((Ψ0(fet)+Vds(fet)-Vds(fet))^(3/2)-(Ψ0(fet)+Vds(fet))^(3/2))/((Ψ0(fet)+Voff(fet))^(1/2)))
Questa formula utilizza 5 Variabili
Variabili utilizzate
Assorbimento della corrente FET - (Misurato in Ampere) - Drain Current FET è la corrente che scorre attraverso la giunzione di drain del FET.
FET conduttanza del canale - (Misurato in Siemens) - La conduttanza del canale FET è la misura di quanto bene il canale di un FET conduce la corrente. È determinato dalla mobilità dei portatori di carica nel canale.
FET di tensione della sorgente di drenaggio - (Misurato in Volt) - La tensione di drain source FET è la tensione tra il drain e il terminale source di un FET.
FET potenziale di superficie - (Misurato in Volt) - Il FET a potenziale superficiale funziona in base al potenziale superficiale del canale del semiconduttore, controllando il flusso di corrente attraverso una tensione di gate senza generare strati di inversione.
Tensione di spegnimento - (Misurato in Volt) - La tensione Pinch OFF è la tensione alla quale il canale di un transistor ad effetto di campo (FET) diventa così stretto da chiudersi effettivamente, impedendo qualsiasi ulteriore flusso di corrente.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
FET conduttanza del canale: 0.00167 Siemens --> 0.00167 Siemens Nessuna conversione richiesta
FET di tensione della sorgente di drenaggio: 0.2 Volt --> 0.2 Volt Nessuna conversione richiesta
FET potenziale di superficie: 0.01859 Volt --> 0.01859 Volt Nessuna conversione richiesta
Tensione di spegnimento: 100.66 Volt --> 100.66 Volt Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
Id(fet) = Go(fet)*(Vds(fet)+3/2*((Ψ0(fet)+Vds(fet)-Vds(fet))^(3/2)-(Ψ0(fet)+Vds(fet))^(3/2))/((Ψ0(fet)+Voff(fet))^(1/2))) --> 0.00167*(0.2+3/2*((0.01859+0.2-0.2)^(3/2)-(0.01859+0.2)^(3/2))/((0.01859+100.66)^(1/2)))
Valutare ... ...
Id(fet) = 0.000309118432491184
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
0.000309118432491184 Ampere --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
0.000309118432491184 0.000309 Ampere <-- Assorbimento della corrente FET
(Calcolo completato in 00.004 secondi)

Titoli di coda

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Creato da Mohamed Fazil V
Istituto di tecnologia Acharya (AIT), Bangalore
Mohamed Fazil V ha creato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
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Verificato da Parminder Singh
Università di Chandigarh (CU), Punjab
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8 FET Calcolatrici

Corrente di drenaggio della regione ohmica del FET
​ Partire Assorbimento della corrente FET = FET conduttanza del canale*(FET di tensione della sorgente di drenaggio+3/2*((FET potenziale di superficie+FET di tensione della sorgente di drenaggio-FET di tensione della sorgente di drenaggio)^(3/2)-(FET potenziale di superficie+FET di tensione della sorgente di drenaggio)^(3/2))/((FET potenziale di superficie+Tensione di spegnimento)^(1/2)))
Scarica la tensione della sorgente del FET
​ Partire FET di tensione della sorgente di drenaggio = Tensione di alimentazione al FET di drenaggio-Assorbimento della corrente FET*(FET di resistenza al drenaggio+FET di resistenza della sorgente)
Transconduttanza del FET
​ Partire FET a transconduttanza diretta = (2*Corrente di drenaggio polarizzata zero)/Tensione di spegnimento*(1-FET di tensione della sorgente di drenaggio/Tensione di spegnimento)
Capacità della sorgente di gate del FET
​ Partire FET di capacità della sorgente di gate = Capacità sorgente gate Tempo di disattivazione FET/(1-(FET di tensione della sorgente di drenaggio/FET potenziale di superficie))^(1/3)
Capacità di drenaggio del gate del FET
​ Partire Capacità di drenaggio del gate FET = Capacità di drenaggio del gate Tempo di disattivazione FET/(1-FET di tensione da gate a drain/FET potenziale di superficie)^(1/3)
Corrente di drenaggio del FET
​ Partire Assorbimento della corrente FET = Corrente di drenaggio polarizzata zero*(1-FET di tensione della sorgente di drenaggio/FET di tensione di interruzione)^2
Ridurre la tensione del FET
​ Partire Tensione di spegnimento = FET di tensione della sorgente di drenaggio Pinch OFF-FET di tensione della sorgente di drenaggio
Guadagno di tensione del FET
​ Partire FET guadagno di tensione = -FET a transconduttanza diretta*FET di resistenza al drenaggio

Corrente di drenaggio della regione ohmica del FET Formula

Assorbimento della corrente FET = FET conduttanza del canale*(FET di tensione della sorgente di drenaggio+3/2*((FET potenziale di superficie+FET di tensione della sorgente di drenaggio-FET di tensione della sorgente di drenaggio)^(3/2)-(FET potenziale di superficie+FET di tensione della sorgente di drenaggio)^(3/2))/((FET potenziale di superficie+Tensione di spegnimento)^(1/2)))
Id(fet) = Go(fet)*(Vds(fet)+3/2*((Ψ0(fet)+Vds(fet)-Vds(fet))^(3/2)-(Ψ0(fet)+Vds(fet))^(3/2))/((Ψ0(fet)+Voff(fet))^(1/2)))
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