Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido Calculadora

✖A mobilidade do elétron é definida como a magnitude da velocidade média de deriva por unidade de campo elétrico.ⓘ Mobilidade do Elétron [μ_e]			+10% -10%
✖capacitância de óxido é a capacitância do capacitor de placa paralela por área de porta unitária.ⓘ Capacitância de Óxido [C_ox]			+10% -10%
✖Largura do Canal é a dimensão do canal do MOSFET.ⓘ Largura do canal [W_c]			+10% -10%
✖O comprimento do canal, L, que é a distância entre as duas junções -p.ⓘ Comprimento do canal [L]			+10% -10%
✖A tensão através do óxido é devida à carga na interface óxido-semicondutor e o terceiro termo é devido à densidade de carga no óxido.ⓘ Tensão através do óxido [V_ox]			+10% -10%
✖A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.ⓘ Tensão de limiar [V_t]			+10% -10%
✖A tensão de saturação entre o dreno e a fonte em um transistor é uma tensão do coletor e do emissor necessária para a saturação.ⓘ Tensão de saturação entre dreno e fonte [V_ds]			+10% -10%

✖Corrente de saída é a corrente que o amplificador consome da fonte do sinal.ⓘ Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido [i_o]

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Fórmula

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Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido

Fórmula

`"i"_{"o"} = ("μ"_{"e"}*"C"_{"ox"}*("W"_{"c"}/"L")*("V"_{"ox"}-"V"_{"t"}))*"V"_{"ds"}`

Exemplo

`"14.63474mA"=("0.012m²/V*s"*"0.001F/m²"*("10.15μm"/"3.25μm")*("3.775V"-"2V"))*"220V"`

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Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Corrente de saída = (Mobilidade do Elétron*Capacitância de Óxido*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar))*Tensão de saturação entre dreno e fonte
i_o = (μ_e*C_ox*(W_c/L)*(V_ox-V_t))*V_ds
Esta fórmula usa 8 Variáveis

Variáveis Usadas

Corrente de saída - (Medido em Ampere) - Corrente de saída é a corrente que o amplificador consome da fonte do sinal.
Mobilidade do Elétron - (Medido em Metro quadrado por volt por segundo) - A mobilidade do elétron é definida como a magnitude da velocidade média de deriva por unidade de campo elétrico.
Capacitância de Óxido - (Medido em Farad por metro quadrado) - capacitância de óxido é a capacitância do capacitor de placa paralela por área de porta unitária.
Largura do canal - (Medido em Metro) - Largura do Canal é a dimensão do canal do MOSFET.
Comprimento do canal - (Medido em Metro) - O comprimento do canal, L, que é a distância entre as duas junções -p.
Tensão através do óxido - (Medido em Volt) - A tensão através do óxido é devida à carga na interface óxido-semicondutor e o terceiro termo é devido à densidade de carga no óxido.
Tensão de limiar - (Medido em Volt) - A tensão limite do transistor é a porta mínima para a tensão da fonte necessária para criar um caminho condutor entre os terminais da fonte e do dreno.
Tensão de saturação entre dreno e fonte - (Medido em Volt) - A tensão de saturação entre o dreno e a fonte em um transistor é uma tensão do coletor e do emissor necessária para a saturação.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Mobilidade do Elétron: 0.012 Metro quadrado por volt por segundo --> 0.012 Metro quadrado por volt por segundo Nenhuma conversão necessária
Capacitância de Óxido: 0.001 Farad por metro quadrado --> 0.001 Farad por metro quadrado Nenhuma conversão necessária
Largura do canal: 10.15 Micrômetro --> 1.015E-05 Metro (Verifique a conversão aqui)
Comprimento do canal: 3.25 Micrômetro --> 3.25E-06 Metro (Verifique a conversão aqui)
Tensão através do óxido: 3.775 Volt --> 3.775 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de limiar: 2 Volt --> 2 Volt Nenhuma conversão necessária
Tensão de saturação entre dreno e fonte: 220 Volt --> 220 Volt Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

i_o = (μ_e*C_ox*(W_c/L)*(V_ox-V_t))*V_ds --> (0.012*0.001*(1.015E-05/3.25E-06)*(3.775-2))*220

Avaliando ... ...

i_o = 0.0146347384615385

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.0146347384615385 Ampere -->14.6347384615385 Miliamperes (Verifique a conversão aqui)

RESPOSTA FINAL

14.6347384615385 ≈ 14.63474 Miliamperes <-- Corrente de saída

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Payal Priya

Birsa Institute of Technology (MORDEU), Sindri

Payal Priya criou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

Verificado por Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod verificou esta calculadora e mais 1900+ calculadoras!

< 18 Características do amplificador transistorizado Calculadoras

Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido

Vai Corrente de saída = (Mobilidade do Elétron*Capacitância de Óxido*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar))*Tensão de saturação entre dreno e fonte

Tensão efetiva geral da transcondutância MOSFET

Vai Tensão Efetiva = sqrt(2*Corrente de drenagem de saturação/(Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)))

Tensão de entrada fornecida Tensão de sinal

Vai Tensão do Componente Fundamental = (Resistência de entrada finita/(Resistência de entrada finita+Resistência do sinal))*Tensão de sinal pequeno

Terminal de drenagem de entrada de corrente do MOSFET na saturação

Vai Corrente de drenagem de saturação = 1/2*Parâmetro de Transcondutância do Processo*(Largura do canal/Comprimento do canal)*(Tensão Efetiva)^2

Parâmetro de transcondutância do transistor MOS

Vai Parâmetro de Transcondutância = Corrente de drenagem/((Tensão através do óxido-Tensão de limiar)*Tensão entre Gate e Fonte)

Corrente de drenagem instantânea usando tensão entre o dreno e a fonte

Vai Corrente de drenagem = Parâmetro de Transcondutância*(Tensão através do óxido-Tensão de limiar)*Tensão entre Gate e Fonte

Corrente de drenagem do transistor

Vai Corrente de drenagem = (Tensão do Componente Fundamental+Tensão de drenagem instantânea total)/Resistência à drenagem

Tensão de dreno instantânea total

Vai Tensão de drenagem instantânea total = Tensão do Componente Fundamental-Resistência à drenagem*Corrente de drenagem

Tensão de entrada no transistor

Vai Tensão do Componente Fundamental = Resistência à drenagem*Corrente de drenagem-Tensão de drenagem instantânea total

Transcondutância de Amplificadores Transistores

Vai Transcondutância Primária MOSFET = (2*Corrente de drenagem)/(Tensão através do óxido-Tensão de limiar)

Corrente de sinal no emissor dado sinal de entrada

Vai Corrente de sinal no emissor = Tensão do Componente Fundamental/Resistência do emissor

Resistência de entrada do amplificador de coletor comum

Vai Resistência de entrada = Tensão do Componente Fundamental/Corrente Básica

Transcondutância usando a corrente do coletor do amplificador de transistor

Vai Transcondutância Primária MOSFET = Corrente do coletor/Tensão de limiar

Entrada do amplificador do amplificador transistor

Vai Entrada do amplificador = Resistência de entrada*Corrente de entrada

Resistência de saída do circuito de portão comum dada a tensão de teste

Vai Resistência de saída finita = Tensão de teste/Corrente de teste

Corrente de teste do amplificador transistorizado

Vai Corrente de teste = Tensão de teste/Resistência de entrada

Resistência de entrada do circuito de porta comum

Vai Resistência de entrada = Tensão de teste/Corrente de teste

Ganho de corrente DC do amplificador

Vai Ganho de corrente CC = Corrente do coletor/Corrente Básica

Corrente que flui através do canal induzido no transistor dada a tensão de óxido Fórmula

Explique o funcionamento do transistor NMOS.

Um transistor NMOS com a tensão na fonte de gás> tensão limite e com uma pequena tensão aplicada entre o dreno e a fonte. O dispositivo atua como uma resistência cujo valor é determinado pela tensão na fonte de gás. Especificamente, a condutância do canal é proporcional à tensão na fonte de gás - tensão de limiar e, portanto, Id é proporcional à tensão (tensão na fonte de gás - tensão de limiar) entre o dreno e a fonte.

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