Resistência da Camada Difusa Calculadora

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Fabricação de CI bipolar

Fabricação de IC MOS

Gatilho Schmitt

✖A condutividade ôhmica é a medida da capacidade do material de passar o fluxo de corrente elétrica. A condutividade elétrica difere de um material para outro.ⓘ Condutividade Ohmica [σ]			+10% -10%
✖O comprimento da camada difusa é a distância medida de uma extremidade à outra do lado mais longo ou mais longo de um objeto.ⓘ Comprimento da camada difusa [L]			+10% -10%
✖Largura da camada difusa é a distância horizontal medida de um lado a outro de um tipo de mídia específico.ⓘ Largura da camada difusa [W]			+10% -10%
✖A espessura da camada é frequentemente usada na fabricação de peças fundidas para garantir que a estrutura da parede seja projetada com a quantidade certa de material.ⓘ Espessura da Camada [t]			+10% -10%

✖Resistência é a propriedade de um material que restringe o fluxo de corrente elétrica.ⓘ Resistência da Camada Difusa [R]

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Fórmula

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Resistência da Camada Difusa

Fórmula

`"R" = (1/"σ")*("L"/("W"*"t"))`

Exemplo

`"0.731636Ω"=(1/"0.085mho/cm")*("25cm"/("4cm"*"100.5cm"))`

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Resistência da Camada Difusa Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Resistência = (1/Condutividade Ohmica)*(Comprimento da camada difusa/(Largura da camada difusa*Espessura da Camada))
R = (1/σ)*(L/(W*t))
Esta fórmula usa 5 Variáveis

Variáveis Usadas

Resistência - (Medido em Ohm) - Resistência é a propriedade de um material que restringe o fluxo de corrente elétrica.
Condutividade Ohmica - (Medido em Siemens/Metro) - A condutividade ôhmica é a medida da capacidade do material de passar o fluxo de corrente elétrica. A condutividade elétrica difere de um material para outro.
Comprimento da camada difusa - (Medido em Metro) - O comprimento da camada difusa é a distância medida de uma extremidade à outra do lado mais longo ou mais longo de um objeto.
Largura da camada difusa - (Medido em Metro) - Largura da camada difusa é a distância horizontal medida de um lado a outro de um tipo de mídia específico.
Espessura da Camada - (Medido em Metro) - A espessura da camada é frequentemente usada na fabricação de peças fundidas para garantir que a estrutura da parede seja projetada com a quantidade certa de material.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Condutividade Ohmica: 0.085 Mho/Centímetro --> 8.5 Siemens/Metro (Verifique a conversão aqui)
Comprimento da camada difusa: 25 Centímetro --> 0.25 Metro (Verifique a conversão aqui)
Largura da camada difusa: 4 Centímetro --> 0.04 Metro (Verifique a conversão aqui)
Espessura da Camada: 100.5 Centímetro --> 1.005 Metro (Verifique a conversão aqui)

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

R = (1/σ)*(L/(W*t)) --> (1/8.5)*(0.25/(0.04*1.005))

Avaliando ... ...

R = 0.731635937957272

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

0.731635937957272 Ohm --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

0.731635937957272 ≈ 0.731636 Ohm <-- Resistência

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Raul Gupta

Universidade de Chandigarh (UC), Mohali, Punjab

Raul Gupta criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!

Verificado por Parminder Singh

Universidade de Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh verificou esta calculadora e mais 600+ calculadoras!

< 19 Fabricação de CI bipolar Calculadoras

Resistência do Paralelepípedo Retangular

Vai Resistência = ((Resistividade*Espessura da Camada)/(Largura da camada difusa*Comprimento da camada difusa))*(ln(Largura do retângulo inferior/Comprimento do retângulo inferior)/(Largura do retângulo inferior-Comprimento do retângulo inferior))

Átomos de Impureza por Unidade de Área

Vai Impureza total = Difusão Eficaz*(Área de junção da base do emissor*((Cobrar*Concentração Intrínseca^2)/Corrente do coletor)*exp(Emissor de base de tensão/Tensão Térmica))

Condutividade do Tipo N

Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N+Dopagem de furos Mobilidade de silício*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo N))

Condutividade do tipo P

Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*(Concentração Intrínseca^2/Concentração de equilíbrio do tipo P)+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de equilíbrio do tipo P)

Condutividade ôhmica da impureza

Vai Condutividade Ohmica = Cobrar*(Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de Elétrons+Dopagem de furos Mobilidade de silício*Concentração de Buraco)

Capacitância da fonte da porta dada a capacitância de sobreposição

Vai Capacitância da Fonte da Porta = (2/3*Largura do transistor*Comprimento do transistor*Capacitância de Óxido)+(Largura do transistor*Capacitância de sobreposição)

Corrente de Coletor do Transistor PNP

Vai Corrente do coletor = (Cobrar*Área de junção da base do emissor*Concentração de equilíbrio do tipo N*Constante de difusão para PNP)/Largura básica

Corrente de saturação no transistor

Vai Corrente de saturação = (Cobrar*Área de junção da base do emissor*Difusão Eficaz*Concentração Intrínseca^2)/Impureza total

Consumo de energia de carga capacitiva dada a tensão de alimentação

Vai Consumo de energia de carga capacitiva = Capacitância de Carga*Tensão de alimentação^2*Frequência do sinal de saída*Número total de comutação de saídas

Resistência da Folha da Camada

Vai Resistência da folha = 1/(Cobrar*Mobilidade de Silício com Dopagem Eletrônica*Concentração de equilíbrio do tipo N*Espessura da Camada)

Resistência da Camada Difusa

Vai Resistência = (1/Condutividade Ohmica)*(Comprimento da camada difusa/(Largura da camada difusa*Espessura da Camada))

Buraco de densidade atual

Vai Densidade atual do furo = Cobrar*Constante de difusão para PNP*(Concentração de Equilíbrio do Buraco/Largura básica)

Impureza com Concentração Intrínseca

Vai Concentração Intrínseca = sqrt((Concentração de Elétrons*Concentração de Buraco)/Impureza de temperatura)

Eficiência de injeção de emissor

Vai Eficiência de injeção de emissor = Corrente do Emissor/(Corrente do emissor devido aos elétrons+Corrente do Emissor devido a Buracos)

Tensão de ruptura do emissor coletor

Vai Tensão de ruptura do emissor do coletor = Tensão de ruptura da base do coletor/(Ganho atual do BJT)^(1/Número raiz)

Corrente fluindo no diodo Zener

Vai Corrente de Diodo = (Tensão de referência de entrada-Tensão de saída estável)/Resistência Zener

Eficiência de injeção de emissor dadas constantes de dopagem

Vai Eficiência de injeção de emissor = Doping no lado N/(Doping no lado N+Doping no lado P)

Fator de conversão de tensão em frequência em CIs

Vai Fator de conversão de tensão em frequência em CIs = Frequência do sinal de saída/Tensão de entrada

Fator de transporte base dada a largura base

Vai Fator de Transporte Básico = 1-(1/2*(Largura Física/Comprimento de difusão eletrônica)^2)

Resistência da Camada Difusa Fórmula

Resistência = (1/Condutividade Ohmica)*(Comprimento da camada difusa/(Largura da camada difusa*Espessura da Camada))
R = (1/σ)*(L/(W*t))

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