Widerstand der diffundierten Schicht Taschenrechner

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✖Die Ohmsche Leitfähigkeit ist das Maß für die Fähigkeit des Materials, elektrischen Strom fließen zu lassen. Die elektrische Leitfähigkeit ist von Material zu Material unterschiedlich.ⓘ Ohmsche Leitfähigkeit [σ]			+10% -10%
✖Die Länge der diffusen Schicht ist der gemessene Abstand von einem Ende zum anderen der längeren oder längsten Seite eines Objekts.ⓘ Länge der diffusen Schicht [L]			+10% -10%
✖Die Breite der diffusen Schicht ist der horizontale Abstand, der von einer Seite zur anderen eines bestimmten Medientyps gemessen wird.ⓘ Breite der diffusen Schicht [W]			+10% -10%
✖Die Schichtdicke wird häufig bei der Herstellung von Gussteilen verwendet, um sicherzustellen, dass die Wandstruktur mit genau der richtigen Materialmenge entworfen wird.ⓘ Dicke der Schicht [t]			+10% -10%

✖Widerstand ist die Eigenschaft eines Materials, die den Fluss elektrischen Stroms begrenzt.ⓘ Widerstand der diffundierten Schicht [R]

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Formel

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Widerstand der diffundierten Schicht

Formel

`"R" = (1/"σ")*("L"/("W"*"t"))`

Beispiel

`"0.731636Ω"=(1/"0.085mho/cm")*("25cm"/("4cm"*"100.5cm"))`

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Widerstand der diffundierten Schicht Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Widerstand = (1/Ohmsche Leitfähigkeit)*(Länge der diffusen Schicht/(Breite der diffusen Schicht*Dicke der Schicht))
R = (1/σ)*(L/(W*t))
Diese formel verwendet 5 Variablen

Verwendete Variablen

Widerstand - (Gemessen in Ohm) - Widerstand ist die Eigenschaft eines Materials, die den Fluss elektrischen Stroms begrenzt.
Ohmsche Leitfähigkeit - (Gemessen in Siemens / Meter) - Die Ohmsche Leitfähigkeit ist das Maß für die Fähigkeit des Materials, elektrischen Strom fließen zu lassen. Die elektrische Leitfähigkeit ist von Material zu Material unterschiedlich.
Länge der diffusen Schicht - (Gemessen in Meter) - Die Länge der diffusen Schicht ist der gemessene Abstand von einem Ende zum anderen der längeren oder längsten Seite eines Objekts.
Breite der diffusen Schicht - (Gemessen in Meter) - Die Breite der diffusen Schicht ist der horizontale Abstand, der von einer Seite zur anderen eines bestimmten Medientyps gemessen wird.
Dicke der Schicht - (Gemessen in Meter) - Die Schichtdicke wird häufig bei der Herstellung von Gussteilen verwendet, um sicherzustellen, dass die Wandstruktur mit genau der richtigen Materialmenge entworfen wird.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Ohmsche Leitfähigkeit: 0.085 Mho / Zentimeter --> 8.5 Siemens / Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Länge der diffusen Schicht: 25 Zentimeter --> 0.25 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Breite der diffusen Schicht: 4 Zentimeter --> 0.04 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)
Dicke der Schicht: 100.5 Zentimeter --> 1.005 Meter (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

R = (1/σ)*(L/(W*t)) --> (1/8.5)*(0.25/(0.04*1.005))

Auswerten ... ...

R = 0.731635937957272

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.731635937957272 Ohm --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.731635937957272 ≈ 0.731636 Ohm <-- Widerstand

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Rahul Gupta

Chandigarh-Universität (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta hat diesen Rechner und 25+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Parminder Singh

Chandigarh-Universität (KU), Punjab

Parminder Singh hat diesen Rechner und 600+ weitere Rechner verifiziert!

< 19 Bipolare IC-Herstellung Taschenrechner

Widerstand eines rechteckigen Parallelepipeds

Gehen Widerstand = ((Widerstand*Dicke der Schicht)/(Breite der diffusen Schicht*Länge der diffusen Schicht))*(ln(Breite des unteren Rechtecks/Länge des unteren Rechtecks)/(Breite des unteren Rechtecks-Länge des unteren Rechtecks))

Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit

Gehen Totale Unreinheit = Effektive Verbreitung*(Emitterbasis-Verbindungsbereich*((Aufladung*Intrinsische Konzentration^2)/Kollektorstrom)*exp(Spannungsbasisemitter/Thermische Spannung))

Leitfähigkeit vom N-Typ

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs+Lochdotierung der Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des N-Typs))

Leitfähigkeit vom P-Typ

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*(Intrinsische Konzentration^2/Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)+Lochdotierung der Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des P-Typs)

Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen

Gehen Ohmsche Leitfähigkeit = Aufladung*(Elektronendotierte Siliziummobilität*Elektronenkonzentration+Lochdotierung der Siliziummobilität*Lochkonzentration)

Kollektorstrom des PNP-Transistors

Gehen Kollektorstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Diffusionskonstante für PNP)/Basisbreite

Sättigungsstrom im Transistor

Gehen Sättigungsstrom = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Effektive Verbreitung*Intrinsische Konzentration^2)/Totale Unreinheit

Gate-Source-Kapazität bei gegebener Überlappungskapazität

Gehen Gate-Source-Kapazität = (2/3*Breite des Transistors*Transistorlänge*Oxidkapazität)+(Breite des Transistors*Überlappungskapazität)

Stromverbrauch der kapazitiven Last bei gegebener Versorgungsspannung

Gehen Stromverbrauch kapazitiver Last = Lastkapazität*Versorgungsspannung^2*Ausgangssignalfrequenz*Gesamtzahl der schaltbaren Ausgänge

Schichtwiderstand der Schicht

Gehen Schichtwiderstand = 1/(Aufladung*Elektronendotierte Siliziummobilität*Gleichgewichtskonzentration des N-Typs*Dicke der Schicht)

Widerstand der diffundierten Schicht

Gehen Widerstand = (1/Ohmsche Leitfähigkeit)*(Länge der diffusen Schicht/(Breite der diffusen Schicht*Dicke der Schicht))

Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration

Gehen Intrinsische Konzentration = sqrt((Elektronenkonzentration*Lochkonzentration)/Temperaturverunreinigung)

Aktuelle Dichteloch

Gehen Lochstromdichte = Aufladung*Diffusionskonstante für PNP*(Lochgleichgewichtskonzentration/Basisbreite)

Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters

Gehen Kollektor-Emitter-Breakout-Spannung = Kollektor-Basis-Break-Spannung/(Aktueller Gewinn von BJT)^(1/Stammnummer)

Emitter-Injektionseffizienz bei gegebenen Dotierungskonstanten

Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Dotierung auf der N-Seite/(Dotierung auf der N-Seite+Dotierung auf der P-Seite)

Emitter-Injektionseffizienz

Gehen Emitter-Einspritzeffizienz = Emitterstrom/(Emitterstrom durch Elektronen+Emitterstrom durch Löcher)

Strom fließt in der Zenerdiode

Gehen Diodenstrom = (Eingangsreferenzspannung-Stabile Ausgangsspannung)/Zener-Widerstand

Spannungs-Frequenz-Umwandlungsfaktor in ICs

Gehen Umrechnungsfaktor von Spannung zu Frequenz in ICs = Ausgangssignalfrequenz/Eingangsspannung

Basistransportfaktor bei gegebener Basisbreite

Gehen Basis-Transportfaktor = 1-(1/2*(Physische Breite/Elektronendiffusionslänge)^2)

Widerstand der diffundierten Schicht Formel

Widerstand = (1/Ohmsche Leitfähigkeit)*(Länge der diffusen Schicht/(Breite der diffusen Schicht*Dicke der Schicht))
R = (1/σ)*(L/(W*t))

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