Weerstand van verspreide laag Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

Bipolaire IC-fabricage

MOS IC-fabricage

Schmitt trigger

✖Ohmse geleidbaarheid is de maatstaf voor het vermogen van het materiaal om de stroom van elektrische stroom door te laten. De elektrische geleidbaarheid verschilt van materiaal tot materiaal.ⓘ Ohmse geleidbaarheid [σ]			+10% -10%
✖Lengte van verspreide laag is de gemeten afstand van het ene uiteinde naar het andere van de langere of langste zijde van een object.ⓘ Lengte van de verspreide laag [L]			+10% -10%
✖De breedte van de verspreide laag is de horizontale afstand gemeten van links naar rechts van een specifiek mediatype.ⓘ Breedte van verspreide laag [W]			+10% -10%
✖Laagdikte wordt vaak gebruikt voor het vervaardigen van gegoten onderdelen om ervoor te zorgen dat de wandconstructie wordt ontworpen met precies de juiste hoeveelheid materiaal.ⓘ Dikte van de laag [t]			+10% -10%

✖Weerstand is de eigenschap van een materiaal dat de stroom van elektrische stroom beperkt.ⓘ Weerstand van verspreide laag [R]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Weerstand van verspreide laag

Formule

`"R" = (1/"σ")*("L"/("W"*"t"))`

Voorbeeld

`"0.731636Ω"=(1/"0.085mho/cm")*("25cm"/("4cm"*"100.5cm"))`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden Elektronica Formule Pdf PDF Image

Weerstand van verspreide laag Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Weerstand = (1/Ohmse geleidbaarheid)*(Lengte van de verspreide laag/(Breedte van verspreide laag*Dikte van de laag))
R = (1/σ)*(L/(W*t))
Deze formule gebruikt 5 Variabelen

Variabelen gebruikt

Weerstand - (Gemeten in Ohm) - Weerstand is de eigenschap van een materiaal dat de stroom van elektrische stroom beperkt.
Ohmse geleidbaarheid - (Gemeten in Siemens/Meter) - Ohmse geleidbaarheid is de maatstaf voor het vermogen van het materiaal om de stroom van elektrische stroom door te laten. De elektrische geleidbaarheid verschilt van materiaal tot materiaal.
Lengte van de verspreide laag - (Gemeten in Meter) - Lengte van verspreide laag is de gemeten afstand van het ene uiteinde naar het andere van de langere of langste zijde van een object.
Breedte van verspreide laag - (Gemeten in Meter) - De breedte van de verspreide laag is de horizontale afstand gemeten van links naar rechts van een specifiek mediatype.
Dikte van de laag - (Gemeten in Meter) - Laagdikte wordt vaak gebruikt voor het vervaardigen van gegoten onderdelen om ervoor te zorgen dat de wandconstructie wordt ontworpen met precies de juiste hoeveelheid materiaal.

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Ohmse geleidbaarheid: 0.085 Mho/Centimeter --> 8.5 Siemens/Meter (Bekijk de conversie hier)
Lengte van de verspreide laag: 25 Centimeter --> 0.25 Meter (Bekijk de conversie hier)
Breedte van verspreide laag: 4 Centimeter --> 0.04 Meter (Bekijk de conversie hier)
Dikte van de laag: 100.5 Centimeter --> 1.005 Meter (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

R = (1/σ)*(L/(W*t)) --> (1/8.5)*(0.25/(0.04*1.005))

Evalueren ... ...

R = 0.731635937957272

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.731635937957272 Ohm --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.731635937957272 ≈ 0.731636 Ohm <-- Weerstand

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » Bipolaire IC-fabricage » Weerstand van verspreide laag

Credits

Gemaakt door Rahul Gupta

Chandigarh Universiteit (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 25+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Parminder Singh

Universiteit van Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 600+ rekenmachines!

< 19 Bipolaire IC-fabricage Rekenmachines

Weerstand van rechthoekig parallellepipedum

Gaan Weerstand = ((Weerstand*Dikte van de laag)/(Breedte van verspreide laag*Lengte van de verspreide laag))*(ln(Breedte van de onderste rechthoek/Lengte van de onderste rechthoek)/(Breedte van de onderste rechthoek-Lengte van de onderste rechthoek))

Onzuiverheidsatomen per oppervlakte-eenheid

Gaan Totale onzuiverheid = Effectieve verspreiding*(Zenderbasisverbindingsgebied*((Aanval*Intrinsieke concentratie^2)/Collectorstroom)*exp(Spanningsbasis-emitter/Thermische spanning))

Geleidbaarheid van P-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van het P-type)+Hole Doping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van het P-type)

Geleidbaarheid van N-type

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type+Hole Doping Siliciummobiliteit*(Intrinsieke concentratie^2/Evenwichtsconcentratie van N-type))

Ohmse geleidbaarheid van onzuiverheid

Gaan Ohmse geleidbaarheid = Aanval*(Elektronendoping Siliciummobiliteit*Elektronenconcentratie+Hole Doping Siliciummobiliteit*Gatenconcentratie)

Collectorstroom van PNP-transistor

Gaan Collectorstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Evenwichtsconcentratie van N-type*Diffusieconstante voor PNP)/Basisbreedte

Verzadigingsstroom in transistor

Gaan Verzadigingsstroom = (Aanval*Zenderbasisverbindingsgebied*Effectieve verspreiding*Intrinsieke concentratie^2)/Totale onzuiverheid

Poortbroncapaciteit Gegeven overlapcapaciteit

Gaan Gate-broncapaciteit = (2/3*Transistorbreedte*Lengte van de transistor*Oxidecapaciteit)+(Transistorbreedte*Overlapcapaciteit)

Stroomverbruik capacitieve belasting gegeven voedingsspanning

Gaan Stroomverbruik capacitieve belasting = Belastingscapaciteit*Voedingsspanning^2*Uitgangssignaalfrequentie*Totaal aantal uitgangen schakelen

Weerstand van verspreide laag

Gaan Weerstand = (1/Ohmse geleidbaarheid)*(Lengte van de verspreide laag/(Breedte van verspreide laag*Dikte van de laag))

Velweerstand van laag

Gaan Bladweerstand = 1/(Aanval*Elektronendoping Siliciummobiliteit*Evenwichtsconcentratie van N-type*Dikte van de laag)

Onzuiverheid met intrinsieke concentratie

Gaan Intrinsieke concentratie = sqrt((Elektronenconcentratie*Gatenconcentratie)/Temperatuuronzuiverheid)

Gat met huidige dichtheid

Gaan Gatenstroomdichtheid = Aanval*Diffusieconstante voor PNP*(Gatenevenwichtsconcentratie/Basisbreedte)

Doorbraakspanning van collector-emitter

Gaan Collector-emitter doorbraakspanning = Collectorbasis doorbraakspanning/(Huidige winst van BJT)^(1/Wortelnummer)

Efficiëntie van de emitterinjectie

Gaan Efficiëntie van de emitterinjectie = Zenderstroom/(Emitterstroom door elektronen+Emitterstroom door gaten)

Efficiëntie van de emitterinjectie gegeven dopingconstanten

Gaan Efficiëntie van de emitterinjectie = Doping aan de N-kant/(Doping aan de N-kant+Doping aan de P-kant)

Stroom vloeit in zenerdiode

Gaan Diodestroom = (Ingangsreferentiespanning-Stabiele uitgangsspanning)/Zener-weerstand

Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's

Gaan Conversiefactor spanning naar frequentie in IC's = Uitgangssignaalfrequentie/Ingangsspanning

Basistransportfactor gegeven basisbreedte

Gaan Basistransportfactor = 1-(1/2*(Fysieke breedte/Lengte van elektronendiffusie)^2)

Weerstand van verspreide laag Formule

Weerstand = (1/Ohmse geleidbaarheid)*(Lengte van de verspreide laag/(Breedte van verspreide laag*Dikte van de laag))
R = (1/σ)*(L/(W*t))

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!