Сопротивление диффузного слоя Калькулятор

✖Омическая проводимость — это мера способности материала пропускать поток электрического тока. Электропроводность варьируется от одного материала к другому.ⓘ Омическая проводимость [σ]			+10% -10%
✖Длина рассеянного слоя — это измеренное расстояние от одного конца до другого более длинной или самой длинной стороны объекта.ⓘ Длина диффузного слоя [L]			+10% -10%
✖Ширина рассеянного слоя — это горизонтальное расстояние, измеренное из стороны в сторону определенного типа носителя.ⓘ Ширина диффузного слоя [W]			+10% -10%
✖Толщина слоя часто используется при изготовлении литых деталей, чтобы гарантировать, что конструкция стены спроектирована с использованием нужного количества материала.ⓘ Толщина слоя [t]			+10% -10%

✖Сопротивление – это свойство материала, ограничивающее поток электрического тока.ⓘ Сопротивление диффузного слоя [R]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Сопротивление диффузного слоя

Формула

`"R" = (1/"σ")*("L"/("W"*"t"))`

Пример

`"0.731636Ω"=(1/"0.085mho/cm")*("25cm"/("4cm"*"100.5cm"))`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Электроника формула PDF PDF Image

Сопротивление диффузного слоя Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Сопротивление = (1/Омическая проводимость)*(Длина диффузного слоя/(Ширина диффузного слоя*Толщина слоя))
R = (1/σ)*(L/(W*t))
В этой формуле используются 5 Переменные

Используемые переменные

Сопротивление - (Измеряется в ом) - Сопротивление – это свойство материала, ограничивающее поток электрического тока.
Омическая проводимость - (Измеряется в Сименс/ метр) - Омическая проводимость — это мера способности материала пропускать поток электрического тока. Электропроводность варьируется от одного материала к другому.
Длина диффузного слоя - (Измеряется в метр) - Длина рассеянного слоя — это измеренное расстояние от одного конца до другого более длинной или самой длинной стороны объекта.
Ширина диффузного слоя - (Измеряется в метр) - Ширина рассеянного слоя — это горизонтальное расстояние, измеренное из стороны в сторону определенного типа носителя.
Толщина слоя - (Измеряется в метр) - Толщина слоя часто используется при изготовлении литых деталей, чтобы гарантировать, что конструкция стены спроектирована с использованием нужного количества материала.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Омическая проводимость: 0.085 мо/ Сантиметр --> 8.5 Сименс/ метр (Проверьте преобразование здесь)
Длина диффузного слоя: 25 сантиметр --> 0.25 метр (Проверьте преобразование здесь)
Ширина диффузного слоя: 4 сантиметр --> 0.04 метр (Проверьте преобразование здесь)
Толщина слоя: 100.5 сантиметр --> 1.005 метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

R = (1/σ)*(L/(W*t)) --> (1/8.5)*(0.25/(0.04*1.005))

Оценка ... ...

R = 0.731635937957272

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.731635937957272 ом --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.731635937957272 ≈ 0.731636 ом <-- Сопротивление

(Расчет завершен через 00.019 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление биполярных ИС » Сопротивление диффузного слоя

Кредиты

Сделано Рахул Гупта

Чандигархский университет (КУ), Мохали, Пенджаб

Рахул Гупта создал этот калькулятор и еще 25+!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

< 19 Изготовление биполярных ИС Калькуляторы

Сопротивление прямоугольного параллелепипеда

Идти Сопротивление = ((Удельное сопротивление*Толщина слоя)/(Ширина диффузного слоя*Длина диффузного слоя))*(ln(Ширина нижнего прямоугольника/Длина нижнего прямоугольника)/(Ширина нижнего прямоугольника-Длина нижнего прямоугольника))

Атомы примеси на единицу площади

Идти Общая примесь = Эффективное распространение*(Зона базового соединения эмиттера*((Заряжать*Внутренняя концентрация^2)/Коллекторный ток)*exp(Базовый эмиттер напряжения/Тепловое напряжение))

Проводимость N-типа

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа+Подвижность кремния, легированного дырками*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация N-типа))

Проводимость P-типа

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация P-типа)+Подвижность кремния, легированного дырками*Равновесная концентрация P-типа)

Омическая проводимость примесей

Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Электронная концентрация+Подвижность кремния, легированного дырками*Концентрация дырок)

Коллекторный ток PNP-транзистора

Идти Коллекторный ток = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Равновесная концентрация N-типа*Константа диффузии для PNP)/Базовая ширина

Ток насыщения в транзисторе

Идти Ток насыщения = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Эффективное распространение*Внутренняя концентрация^2)/Общая примесь

Емкость источника затвора с учетом емкости перекрытия

Идти Емкость источника затвора = (2/3*Ширина транзистора*Длина транзистора*Оксидная емкость)+(Ширина транзистора*Емкость перекрытия)

Потребляемая мощность емкостной нагрузки при заданном напряжении питания

Идти Потребляемая мощность емкостной нагрузки = Емкость нагрузки*Напряжение питания^2*Частота выходного сигнала*Общее количество переключаемых выходов

Листовое сопротивление слоя

Идти Листовое сопротивление = 1/(Заряжать*Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа*Толщина слоя)

Плотность тока Отверстие

Идти Плотность тока отверстия = Заряжать*Константа диффузии для PNP*(Равновесная концентрация дырок/Базовая ширина)

Сопротивление диффузного слоя

Идти Сопротивление = (1/Омическая проводимость)*(Длина диффузного слоя/(Ширина диффузного слоя*Толщина слоя))

Примеси с собственной концентрацией

Идти Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)

Эффективность впрыска эмиттера

Идти Эффективность ввода эмиттера = Ток эмиттера/(Эмиттерный ток, обусловленный электронами+Ток эмиттера из-за отверстий)

Напряжение пробоя коллектора-эмиттера

Идти Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)

Эффективность впрыска эмиттера с учетом констант легирования

Идти Эффективность ввода эмиттера = Допинг на N-стороне/(Допинг на N-стороне+Допинг на стороне P)

Ток, текущий в стабилитроне

Идти Ток диода = (Входное опорное напряжение-Стабильное выходное напряжение)/Сопротивление Зенера

Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах

Идти Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах = Частота выходного сигнала/Входное напряжение

Базовый транспортный коэффициент с учетом базовой ширины

Идти Базовый транспортный фактор = 1-(1/2*(Физическая ширина/Диффузионная длина электронов)^2)

Сопротивление диффузного слоя формула

Сопротивление = (1/Омическая проводимость)*(Длина диффузного слоя/(Ширина диффузного слоя*Толщина слоя))
R = (1/σ)*(L/(W*t))

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!