Resistenza dello strato diffuso calcolatrice

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Fabbricazione di circuiti integrati bipolari

Fabbricazione di circuiti integrati MOS

Trigger di Schmitt

✖La conduttività ohmica è la misura della capacità del materiale di far passare il flusso di corrente elettrica. La conduttività elettrica differisce da un materiale all'altro.ⓘ Conduttività ohmica [σ]			+10% -10%
✖La lunghezza dello strato diffuso è la distanza misurata da un'estremità all'altra del lato più lungo o più lungo di un oggetto.ⓘ Lunghezza dello strato diffuso [L]			+10% -10%
✖La larghezza dello strato diffuso è la distanza orizzontale misurata da un lato all'altro di un tipo di supporto specifico.ⓘ Larghezza dello strato diffuso [W]			+10% -10%
✖Lo spessore dello strato viene spesso utilizzato per la produzione di parti fuse per garantire che la struttura della parete sia progettata con la giusta quantità di materiale.ⓘ Spessore dello strato [t]			+10% -10%

✖La resistenza è la proprietà di un materiale che limita il flusso di corrente elettrica.ⓘ Resistenza dello strato diffuso [R]

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Formula

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Resistenza dello strato diffuso

Formula

`"R" = (1/"σ")*("L"/("W"*"t"))`

Esempio

`"0.731636Ω"=(1/"0.085mho/cm")*("25cm"/("4cm"*"100.5cm"))`

Calcolatrice

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Resistenza dello strato diffuso Soluzione

FASE 0: Riepilogo pre-calcolo

Formula utilizzata

Resistenza = (1/Conduttività ohmica)*(Lunghezza dello strato diffuso/(Larghezza dello strato diffuso*Spessore dello strato))
R = (1/σ)*(L/(W*t))
Questa formula utilizza 5 Variabili

Variabili utilizzate

Resistenza - (Misurato in Ohm) - La resistenza è la proprietà di un materiale che limita il flusso di corrente elettrica.
Conduttività ohmica - (Misurato in Siemens/Metro) - La conduttività ohmica è la misura della capacità del materiale di far passare il flusso di corrente elettrica. La conduttività elettrica differisce da un materiale all'altro.
Lunghezza dello strato diffuso - (Misurato in metro) - La lunghezza dello strato diffuso è la distanza misurata da un'estremità all'altra del lato più lungo o più lungo di un oggetto.
Larghezza dello strato diffuso - (Misurato in metro) - La larghezza dello strato diffuso è la distanza orizzontale misurata da un lato all'altro di un tipo di supporto specifico.
Spessore dello strato - (Misurato in metro) - Lo spessore dello strato viene spesso utilizzato per la produzione di parti fuse per garantire che la struttura della parete sia progettata con la giusta quantità di materiale.

PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base

Conduttività ohmica: 0.085 Mho/Centimetro --> 8.5 Siemens/Metro (Controlla la conversione qui)
Lunghezza dello strato diffuso: 25 Centimetro --> 0.25 metro (Controlla la conversione qui)
Larghezza dello strato diffuso: 4 Centimetro --> 0.04 metro (Controlla la conversione qui)
Spessore dello strato: 100.5 Centimetro --> 1.005 metro (Controlla la conversione qui)

FASE 2: valutare la formula

Sostituzione dei valori di input nella formula

R = (1/σ)*(L/(W*t)) --> (1/8.5)*(0.25/(0.04*1.005))

Valutare ... ...

R = 0.731635937957272

PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output

0.731635937957272 Ohm --> Nessuna conversione richiesta

RISPOSTA FINALE

0.731635937957272 ≈ 0.731636 Ohm <-- Resistenza

(Calcolo completato in 00.004 secondi)

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Titoli di coda

Creato da Rahul Gupta

Università di Chandigarh (CU), Mohali, Punjab

Rahul Gupta ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!

Verificato da Parminder Singh

Università di Chandigarh (CU), Punjab

Parminder Singh ha verificato questa calcolatrice e altre 500+ altre calcolatrici!

< 19 Fabbricazione di circuiti integrati bipolari Calcolatrici

Resistenza del parallelepipedo rettangolare

Partire Resistenza = ((Resistività*Spessore dello strato)/(Larghezza dello strato diffuso*Lunghezza dello strato diffuso))*(ln(Larghezza del rettangolo inferiore/Lunghezza del rettangolo inferiore)/(Larghezza del rettangolo inferiore-Lunghezza del rettangolo inferiore))

Atomi di impurità per unità di area

Partire Impurità totale = Diffusione efficace*(Area di giunzione della base dell'emettitore*((Carica*Concentrazione intrinseca^2)/Corrente del collettore)*exp(Emettitore di base di tensione/Tensione termica))

Conduttività di tipo P

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio del tipo P)+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione di equilibrio del tipo P)

Conduttività di tipo N

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N+Mobilità del silicio drogato con fori*(Concentrazione intrinseca^2/Concentrazione di equilibrio di tipo N))

Corrente di collettore del transistor PNP

Partire Corrente del collettore = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Costante di diffusione per PNP)/Larghezza della base

Conduttività ohmica delle impurità

Partire Conduttività ohmica = Carica*(Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di elettroni+Mobilità del silicio drogato con fori*Concentrazione dei fori)

Capacità della sorgente di gate data la capacità di sovrapposizione

Partire Capacità della sorgente di gate = (2/3*Larghezza del transistor*Lunghezza del transistor*Capacità dell'ossido)+(Larghezza del transistor*Capacità di sovrapposizione)

Corrente di saturazione nel transistor

Partire Corrente di saturazione = (Carica*Area di giunzione della base dell'emettitore*Diffusione efficace*Concentrazione intrinseca^2)/Impurità totale

Consumo energetico del carico capacitivo in base alla tensione di alimentazione

Partire Consumo energetico del carico capacitivo = Capacità di carico*Tensione di alimentazione^2*Frequenza del segnale di uscita*Numero totale di uscite commutate

Resistenza del foglio dello strato

Partire Resistenza del foglio = 1/(Carica*Mobilità del silicio con drogaggio elettronico*Concentrazione di equilibrio di tipo N*Spessore dello strato)

Buco di densità di corrente

Partire Densità di corrente del foro = Carica*Costante di diffusione per PNP*(Concentrazione di equilibrio dei fori/Larghezza della base)

Efficienza di iniezione dell'emettitore

Partire Efficienza dell'iniezione dell'emettitore = Corrente dell'emettitore/(Corrente di emettitore dovuta agli elettroni+Corrente dell'emettitore dovuta ai fori)

Resistenza dello strato diffuso

Partire Resistenza = (1/Conduttività ohmica)*(Lunghezza dello strato diffuso/(Larghezza dello strato diffuso*Spessore dello strato))

Tensione di breakout dell'emettitore del collettore

Partire Tensione di breakout dell'emettitore del collettore = Tensione di interruzione della base del collettore/(Guadagno attuale di BJT)^(1/Numero di radice)

Impurezza con concentrazione intrinseca

Partire Concentrazione intrinseca = sqrt((Concentrazione di elettroni*Concentrazione dei fori)/Impurità della temperatura)

Corrente che scorre nel diodo Zener

Partire Corrente del diodo = (Tensione di riferimento in ingresso-Tensione di uscita stabile)/Resistenza Zener

Efficienza di iniezione dell'emettitore date le costanti di drogaggio

Partire Efficienza dell'iniezione dell'emettitore = Doping sul lato N/(Doping sul lato N+Doping sul lato P)

Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati

Partire Fattore di conversione da tensione a frequenza nei circuiti integrati = Frequenza del segnale di uscita/Tensione di ingresso

Fattore di trasporto della base data la larghezza della base

Partire Fattore di trasporto di base = 1-(1/2*(Larghezza fisica/Lunghezza di diffusione degli elettroni)^2)

Resistenza dello strato diffuso Formula

Resistenza = (1/Conduttività ohmica)*(Lunghezza dello strato diffuso/(Larghezza dello strato diffuso*Spessore dello strato))
R = (1/σ)*(L/(W*t))

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