Время распространения Калькулятор

✖Количество проходных транзисторов — это количество транзисторов, используемых для передачи сигналов из одной части схемы в другую.ⓘ Количество проходных транзисторов [N]			+10% -10%
✖Сопротивление в MOSFET означает противодействие протеканию тока в цепи.ⓘ Сопротивление в МОП-транзисторе [R_m]			+10% -10%
✖Емкость нагрузки относится к общей емкости, которую устройство видит на своем выходе, обычно из-за емкости подключенных нагрузок и дорожек на печатной плате (PCB).ⓘ Емкость нагрузки [C_l]			+10% -10%

✖Время распространения — это время, необходимое сигналу для распространения через транзистор от входа к выходу.ⓘ Время распространения [T_p]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Время распространения

Формула

`"T"_{"p"} = 0.7*"N"*(("N"+1)/2)*"R"_{"m"}*"C"_{"l"}`

Пример

`"0.778203s"=0.7*"13"*(("13"+1)/2)*"542Ω"*"22.54μF"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Изготовление МОП-ИС Формулы PDF PDF Image

Время распространения Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Время распространения = 0.7*Количество проходных транзисторов*((Количество проходных транзисторов+1)/2)*Сопротивление в МОП-транзисторе*Емкость нагрузки
T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l
В этой формуле используются 4 Переменные

Используемые переменные

Время распространения - (Измеряется в Второй) - Время распространения — это время, необходимое сигналу для распространения через транзистор от входа к выходу.
Количество проходных транзисторов - Количество проходных транзисторов — это количество транзисторов, используемых для передачи сигналов из одной части схемы в другую.
Сопротивление в МОП-транзисторе - (Измеряется в ом) - Сопротивление в MOSFET означает противодействие протеканию тока в цепи.
Емкость нагрузки - (Измеряется в фарада) - Емкость нагрузки относится к общей емкости, которую устройство видит на своем выходе, обычно из-за емкости подключенных нагрузок и дорожек на печатной плате (PCB).

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Количество проходных транзисторов: 13 --> Конверсия не требуется
Сопротивление в МОП-транзисторе: 542 ом --> 542 ом Конверсия не требуется
Емкость нагрузки: 22.54 Микрофарад --> 2.254E-05 фарада (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l --> 0.7*13*((13+1)/2)*542*2.254E-05

Оценка ... ...

T_p = 0.778202516

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.778202516 Второй --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.778202516 ≈ 0.778203 Второй <-- Время распространения

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Интегральные схемы (ИС) » Изготовление МОП-ИС » Время распространения

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 15 Изготовление МОП-ИС Калькуляторы

Напряжение точки переключения

Идти Напряжение точки переключения = (Напряжение питания+Пороговое напряжение PMOS+Пороговое напряжение NMOS*sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))/(1+sqrt(Коэффициент усиления NMOS-транзистора/Коэффициент усиления PMOS-транзистора))

Эффект тела в MOSFET

Идти Пороговое напряжение с подложкой = Пороговое напряжение с нулевым смещением тела+Параметр эффекта тела*(sqrt(2*Объемный потенциал Ферми+Напряжение, приложенное к телу)-sqrt(2*Объемный потенциал Ферми))

Концентрация донорской легирующей примеси

Идти Концентрация донорской легирующей примеси = (Ток насыщения*Длина транзистора)/([Charge-e]*Ширина транзистора*Электронная подвижность*Емкость слоя обеднения)

Ток стока MOSFET в области насыщения

Идти Ток стока = Параметр крутизны/2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение с нулевым смещением тела)^2*(1+Коэффициент модуляции длины канала*Напряжение источника стока)

Концентрация акцепторной примеси

Идти Концентрация акцепторной примеси = 1/(2*pi*Длина транзистора*Ширина транзистора*[Charge-e]*Мобильность отверстий*Емкость слоя обеднения)

Максимальная концентрация легирующей примеси

Идти Максимальная концентрация легирующей примеси = Эталонная концентрация*exp(-Энергия активации твердой растворимости/([BoltZ]*Абсолютная температура))

Время распространения

Идти Время распространения = 0.7*Количество проходных транзисторов*((Количество проходных транзисторов+1)/2)*Сопротивление в МОП-транзисторе*Емкость нагрузки

Плотность дрейфового тока, обусловленная свободными электронами

Идти Плотность дрейфового тока, обусловленная электронами = [Charge-e]*Электронная концентрация*Электронная подвижность*Напряженность электрического поля

Плотность дрейфового тока из-за дырок

Идти Плотность дрейфового тока из-за дырок = [Charge-e]*Концентрация дырок*Мобильность отверстий*Напряженность электрического поля

Сопротивление канала

Идти Сопротивление канала = Длина транзистора/Ширина транзистора*1/(Электронная подвижность*Плотность носителей)

Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления

Идти Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)

Критическое измерение

Идти Критическое измерение = Зависимая от процесса константа*Длина волны в фотолитографии/Числовая апертура

Глубина фокуса

Идти Глубина фокуса = Коэффициент пропорциональности*Длина волны в фотолитографии/(Числовая апертура^2)

Умереть на пластину

Идти Умереть на пластину = (pi*Диаметр пластины^2)/(4*Размер каждой матрицы)

Эквивалентная толщина оксида

Идти Эквивалентная толщина оксида = Толщина материала*(3.9/Диэлектрическая проницаемость материала)

Время распространения формула

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!