Voortplantingstijd Rekenmachine

↳

Elektronica

Chemische technologie

Civiel

Elektrisch

Elektronica en instrumentatie

Materiaal kunde

Mechanisch

Productie Engineering

⤿

MOS IC-fabricage

Bipolaire IC-fabricage

Schmitt trigger

✖Aantal doorgangstransistors is het aantal transistors dat wordt gebruikt om signalen van het ene deel van het circuit naar het andere over te brengen.ⓘ Aantal doorlaattransistoren [N]			+10% -10%
✖Weerstand in MOSFET verwijst naar de weerstand tegen de stroomstroom in het circuit.ⓘ Weerstand in MOSFET [R_m]			+10% -10%
✖Belastingscapaciteit verwijst naar de totale capaciteit die een apparaat aan de uitgang ziet, meestal als gevolg van de capaciteit van aangesloten belastingen en de sporen op een printplaat (PCB).ⓘ Belastingscapaciteit [C_l]			+10% -10%

✖Voortplantingstijd verwijst naar de tijd die nodig is voordat een signaal zich door de transistor van de ingang naar de uitgang voortplant.ⓘ Voortplantingstijd [T_p]

⎘ Kopiëren

👎

Formule

✖

Voortplantingstijd

Formule

`"T"_{"p"} = 0.7*"N"*(("N"+1)/2)*"R"_{"m"}*"C"_{"l"}`

Voorbeeld

`"0.778203s"=0.7*"13"*(("13"+1)/2)*"542Ω"*"22.54μF"`

Rekenmachine

LaTeX

Reset

👍

Downloaden MOS IC-fabricage Formules Pdf PDF Image

Voortplantingstijd Oplossing

STAP 0: Samenvatting voorberekening

Formule gebruikt

Voortplantingstijd = 0.7*Aantal doorlaattransistoren*((Aantal doorlaattransistoren+1)/2)*Weerstand in MOSFET*Belastingscapaciteit
T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l
Deze formule gebruikt 4 Variabelen

Variabelen gebruikt

Voortplantingstijd - (Gemeten in Seconde) - Voortplantingstijd verwijst naar de tijd die nodig is voordat een signaal zich door de transistor van de ingang naar de uitgang voortplant.
Aantal doorlaattransistoren - Aantal doorgangstransistors is het aantal transistors dat wordt gebruikt om signalen van het ene deel van het circuit naar het andere over te brengen.
Weerstand in MOSFET - (Gemeten in Ohm) - Weerstand in MOSFET verwijst naar de weerstand tegen de stroomstroom in het circuit.
Belastingscapaciteit - (Gemeten in Farad) - Belastingscapaciteit verwijst naar de totale capaciteit die een apparaat aan de uitgang ziet, meestal als gevolg van de capaciteit van aangesloten belastingen en de sporen op een printplaat (PCB).

STAP 1: converteer ingang (en) naar basiseenheid

Aantal doorlaattransistoren: 13 --> Geen conversie vereist
Weerstand in MOSFET: 542 Ohm --> 542 Ohm Geen conversie vereist
Belastingscapaciteit: 22.54 Microfarad --> 2.254E-05 Farad (Bekijk de conversie hier)

STAP 2: Evalueer de formule

Invoerwaarden in formule vervangen

T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l --> 0.7*13*((13+1)/2)*542*2.254E-05

Evalueren ... ...

T_p = 0.778202516

STAP 3: converteer het resultaat naar de eenheid van de uitvoer

0.778202516 Seconde --> Geen conversie vereist

DEFINITIEVE ANTWOORD

0.778202516 ≈ 0.778203 Seconde <-- Voortplantingstijd

(Berekening voltooid in 00.020 seconden)

Je bevindt je hier -

Huis » Engineering » Elektronica » Geïntegreerde schakelingen (IC) » MOS IC-fabricage » Voortplantingstijd

Credits

Gemaakt door banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

banuprakash heeft deze rekenmachine gemaakt en nog 50+ meer rekenmachines!

Geverifieërd door Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav heeft deze rekenmachine geverifieerd en nog 50+ rekenmachines!

< 15 MOS IC-fabricage Rekenmachines

Schakelpuntspanning

Gaan Schakelpuntspanning = (Voedingsspanning+PMOS-drempelspanning+NMOS-drempelspanning*sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))/(1+sqrt(NMOS-transistorversterking/PMOS-transistorversterking))

Lichaamseffect in MOSFET

Gaan Drempelspanning met substraat = Drempelspanning zonder lichaamsafwijking+Lichaamseffectparameter*(sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel+Spanning toegepast op lichaam)-sqrt(2*Bulk Fermi-potentieel))

Concentratie van donordoteringsmiddelen

Gaan Concentratie van donordoteringsmiddelen = (Verzadigingsstroom*Lengte van de transistor)/([Charge-e]*Transistorbreedte*Elektronenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Concentratie van acceptordoteringsmiddel

Gaan Concentratie van acceptordoteringsmiddel = 1/(2*pi*Lengte van de transistor*Transistorbreedte*[Charge-e]*Gatenmobiliteit*Capaciteit van de uitputtingslaag)

Afvoerstroom van MOSFET in het verzadigingsgebied

Gaan Afvoerstroom = Transconductantieparameter/2*(Poortbronspanning-Drempelspanning zonder lichaamsafwijking)^2*(1+Modulatiefactor kanaallengte*Afvoerbronspanning)

Maximale doteringsconcentratie

Gaan Maximale doteringsconcentratie = Referentieconcentratie*exp(-Activeringsenergie voor de oplosbaarheid van vaste stoffen/([BoltZ]*Absolute temperatuur))

Driftstroomdichtheid als gevolg van vrije elektronen

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van elektronen = [Charge-e]*Elektronenconcentratie*Elektronenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Voortplantingstijd

Gaan Voortplantingstijd = 0.7*Aantal doorlaattransistoren*((Aantal doorlaattransistoren+1)/2)*Weerstand in MOSFET*Belastingscapaciteit

Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten

Gaan Driftstroomdichtheid als gevolg van gaten = [Charge-e]*Gatenconcentratie*Gatenmobiliteit*Elektrische veldintensiteit

Kanaal weerstand

Gaan Kanaal weerstand = Lengte van de transistor/Transistorbreedte*1/(Elektronenmobiliteit*Dragerdichtheid)

MOSFET eenheidsversterkingsfrequentie

Gaan Eenheidsversterkingsfrequentie in MOSFET = Transconductantie in MOSFET/(Gate-broncapaciteit+Poortafvoercapaciteit)

Kritische dimensie

Gaan Kritische dimensie = Procesafhankelijke constante*Golflengte in fotolithografie/Numeriek diafragma

Diepte van focus

Gaan Diepte van focus = Evenredigheidsfactor*Golflengte in fotolithografie/(Numeriek diafragma^2)

Sterf per wafel

Gaan Sterf per wafel = (pi*Diameter wafeltje^2)/(4*Grootte van elke matrijs)

Equivalente oxidedikte

Gaan Equivalente oxidedikte = Dikte van materiaal*(3.9/Diëlektrische materiaalconstante)

Voortplantingstijd Formule

Voortplantingstijd = 0.7*Aantal doorlaattransistoren*((Aantal doorlaattransistoren+1)/2)*Weerstand in MOSFET*Belastingscapaciteit
T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l

Huis

VRIJ PDF's

🔍 Zoeken

Categorieën

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!