Calculadora Tiempo de propagación

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Fabricación de circuitos integrados MOS

Fabricación de circuitos integrados bipolares

Schmitt Trigger

✖El número de transistores de paso es el número de transistores que se utilizan para transferir señales de una parte del circuito a otra.ⓘ Número de transistores de paso [N]			+10% -10%
✖La resistencia en MOSFET se refiere a la oposición al flujo de corriente en el circuito.ⓘ Resistencia en MOSFET [R_m]			+10% -10%
✖La capacitancia de carga se refiere a la capacitancia total que ve un dispositivo en su salida, generalmente debido a la capacitancia de las cargas conectadas y las pistas en una placa de circuito impreso (PCB).ⓘ Capacitancia de carga [C_l]			+10% -10%

✖El tiempo de propagación se refiere al tiempo que tarda una señal en propagarse a través del transistor desde la entrada hasta la salida.ⓘ Tiempo de propagación [T_p]

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Fórmula

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Tiempo de propagación

Fórmula

`"T"_{"p"} = 0.7*"N"*(("N"+1)/2)*"R"_{"m"}*"C"_{"l"}`

Ejemplo

`"0.778203s"=0.7*"13"*(("13"+1)/2)*"542Ω"*"22.54μF"`

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Tiempo de propagación Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Tiempo de propagación = 0.7*Número de transistores de paso*((Número de transistores de paso+1)/2)*Resistencia en MOSFET*Capacitancia de carga
T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Tiempo de propagación - (Medido en Segundo) - El tiempo de propagación se refiere al tiempo que tarda una señal en propagarse a través del transistor desde la entrada hasta la salida.
Número de transistores de paso - El número de transistores de paso es el número de transistores que se utilizan para transferir señales de una parte del circuito a otra.
Resistencia en MOSFET - (Medido en Ohm) - La resistencia en MOSFET se refiere a la oposición al flujo de corriente en el circuito.
Capacitancia de carga - (Medido en Faradio) - La capacitancia de carga se refiere a la capacitancia total que ve un dispositivo en su salida, generalmente debido a la capacitancia de las cargas conectadas y las pistas en una placa de circuito impreso (PCB).

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Número de transistores de paso: 13 --> No se requiere conversión
Resistencia en MOSFET: 542 Ohm --> 542 Ohm No se requiere conversión
Capacitancia de carga: 22.54 Microfaradio --> 2.254E-05 Faradio (Verifique la conversión aquí)

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l --> 0.7*13*((13+1)/2)*542*2.254E-05

Evaluar ... ...

T_p = 0.778202516

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

0.778202516 Segundo --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

0.778202516 ≈ 0.778203 Segundo <-- Tiempo de propagación

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por banuprakash

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

¡banuprakash ha creado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

Verificada por Santhosh Yadav

Facultad de Ingeniería Dayananda Sagar (DSCE), banglore

¡Santhosh Yadav ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

< 15 Fabricación de circuitos integrados MOS Calculadoras

Voltaje del punto de conmutación

Vamos Voltaje del punto de conmutación = (Voltaje de suministro+Voltaje de umbral de PMOS+Voltaje umbral NMOS*sqrt(Ganancia del transistor NMOS/Ganancia del transistor PMOS))/(1+sqrt(Ganancia del transistor NMOS/Ganancia del transistor PMOS))

Efecto corporal en MOSFET

Vamos Voltaje umbral con sustrato = Voltaje umbral con polarización corporal cero+Parámetro de efecto corporal*(sqrt(2*Potencial de Fermi a granel+Voltaje aplicado al cuerpo)-sqrt(2*Potencial de Fermi a granel))

Concentración de dopante del donante

Vamos Concentración de dopante del donante = (Corriente de saturación*Longitud del transistor)/([Charge-e]*Ancho del transistor*Movilidad electrónica*Capacitancia de la capa de agotamiento)

Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación

Vamos Corriente de drenaje = Parámetro de transconductancia/2*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje umbral con polarización corporal cero)^2*(1+Factor de modulación de longitud del canal*Voltaje de la fuente de drenaje)

Concentración de dopante aceptor

Vamos Concentración de dopante aceptor = 1/(2*pi*Longitud del transistor*Ancho del transistor*[Charge-e]*Movilidad del agujero*Capacitancia de la capa de agotamiento)

Concentración máxima de dopante

Vamos Concentración máxima de dopante = Concentración de referencia*exp(-Energía de activación para la solubilidad sólida/([BoltZ]*Temperatura absoluta))

Densidad de corriente de deriva debido a electrones libres

Vamos Densidad de corriente de deriva debido a electrones = [Charge-e]*Concentración de electrones*Movilidad electrónica*Intensidad del campo eléctrico

Densidad de corriente de deriva debido a agujeros

Vamos Densidad de corriente de deriva debido a agujeros = [Charge-e]*Concentración de agujeros*Movilidad del agujero*Intensidad del campo eléctrico

Tiempo de propagación

Vamos Tiempo de propagación = 0.7*Número de transistores de paso*((Número de transistores de paso+1)/2)*Resistencia en MOSFET*Capacitancia de carga

Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET

Vamos Frecuencia de ganancia unitaria en MOSFET = Transconductancia en MOSFET/(Capacitancia de la fuente de puerta+Capacitancia de drenaje de compuerta)

Resistencia del canal

Vamos Resistencia del canal = Longitud del transistor/Ancho del transistor*1/(Movilidad electrónica*Densidad del portador)

Profundidad de enfoque

Vamos Profundidad de enfoque = Factor de proporcionalidad*Longitud de onda en fotolitografía/(Apertura numérica^2)

Dimensión crítica

Vamos Dimensión crítica = Constante dependiente del proceso*Longitud de onda en fotolitografía/Apertura numérica

Troquel por oblea

Vamos Troquel por oblea = (pi*Diámetro de la oblea^2)/(4*Tamaño de cada troquel)

Espesor de óxido equivalente

Vamos Espesor de óxido equivalente = Grosor del material*(3.9/Constante dieléctrica del material)

Tiempo de propagación Fórmula

Tiempo de propagación = 0.7*Número de transistores de paso*((Número de transistores de paso+1)/2)*Resistencia en MOSFET*Capacitancia de carga
T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l

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