Czas propagacji Kalkulator

↳

Elektronika

Cywilny

Elektronika i oprzyrządowanie

Elektryczny

Inżynieria chemiczna

Inżynieria materiałowa

Inżynieria produkcji

Mechaniczny

⤿

Produkcja układów scalonych MOS

Produkcja bipolarnych układów scalonych

Wyzwalacz Schmitta

✖Liczba tranzystorów przejściowych to liczba tranzystorów używanych do przesyłania sygnałów z jednej części obwodu do drugiej.ⓘ Liczba tranzystorów przejściowych [N]			+10% -10%
✖Opór w MOSFET-ie odnosi się do sprzeciwu wobec przepływu prądu w obwodzie.ⓘ Oporność w MOSFET-ie [R_m]			+10% -10%
✖Pojemność obciążenia odnosi się do całkowitej pojemności, którą urządzenie widzi na swoim wyjściu, zazwyczaj ze względu na pojemność podłączonych obciążeń i śladów na płytce drukowanej (PCB).ⓘ Pojemność obciążenia [C_l]			+10% -10%

✖Czas propagacji odnosi się do czasu potrzebnego na propagację sygnału przez tranzystor od wejścia do wyjścia.ⓘ Czas propagacji [T_p]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Czas propagacji

Formuła

`"T"_{"p"} = 0.7*"N"*(("N"+1)/2)*"R"_{"m"}*"C"_{"l"}`

Przykład

`"0.778203s"=0.7*"13"*(("13"+1)/2)*"542Ω"*"22.54μF"`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać Produkcja układów scalonych MOS Formuły PDF PDF Image

Czas propagacji Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Czas propagacji = 0.7*Liczba tranzystorów przejściowych*((Liczba tranzystorów przejściowych+1)/2)*Oporność w MOSFET-ie*Pojemność obciążenia
T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l
Ta formuła używa 4 Zmienne

Używane zmienne

Czas propagacji - (Mierzone w Drugi) - Czas propagacji odnosi się do czasu potrzebnego na propagację sygnału przez tranzystor od wejścia do wyjścia.
Liczba tranzystorów przejściowych - Liczba tranzystorów przejściowych to liczba tranzystorów używanych do przesyłania sygnałów z jednej części obwodu do drugiej.
Oporność w MOSFET-ie - (Mierzone w Om) - Opór w MOSFET-ie odnosi się do sprzeciwu wobec przepływu prądu w obwodzie.
Pojemność obciążenia - (Mierzone w Farad) - Pojemność obciążenia odnosi się do całkowitej pojemności, którą urządzenie widzi na swoim wyjściu, zazwyczaj ze względu na pojemność podłączonych obciążeń i śladów na płytce drukowanej (PCB).

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Liczba tranzystorów przejściowych: 13 --> Nie jest wymagana konwersja
Oporność w MOSFET-ie: 542 Om --> 542 Om Nie jest wymagana konwersja
Pojemność obciążenia: 22.54 Mikrofarad --> 2.254E-05 Farad (Sprawdź konwersję tutaj)

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l --> 0.7*13*((13+1)/2)*542*2.254E-05

Ocenianie ... ...

T_p = 0.778202516

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

0.778202516 Drugi --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

0.778202516 ≈ 0.778203 Drugi <-- Czas propagacji

(Obliczenie zakończone za 00.020 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » Układy scalone (IC) » Produkcja układów scalonych MOS » Czas propagacji

Kredyty

Stworzone przez banuprakasz

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

banuprakasz utworzył ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Santhosh Yadav

Szkoła Inżynierska Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< 15 Produkcja układów scalonych MOS Kalkulatory

Napięcie punktu przełączania

Iść Napięcie punktu przełączania = (Napięcie zasilania+Napięcie progowe PMOS+Napięcie progowe NMOS*sqrt(Wzmocnienie tranzystora NMOS/Wzmocnienie tranzystora PMOS))/(1+sqrt(Wzmocnienie tranzystora NMOS/Wzmocnienie tranzystora PMOS))

Efekt ciała w MOSFET-ie

Iść Napięcie progowe z podłożem = Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała+Parametr efektu ciała*(sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego+Napięcie przyłożone do korpusu)-sqrt(2*Masowy potencjał Fermiego))

Prąd drenu MOSFET-u w obszarze nasycenia

Iść Prąd spustowy = Parametr transkonduktancji/2*(Napięcie źródła bramki-Napięcie progowe przy zerowym odchyleniu ciała)^2*(1+Współczynnik modulacji długości kanału*Napięcie źródła drenu)

Stężenie domieszki dawcy

Iść Stężenie domieszki dawcy = (Prąd nasycenia*Długość tranzystora)/([Charge-e]*Szerokość tranzystora*Mobilność elektronów*Pojemność warstwy zubożonej)

Stężenie domieszki akceptorowej

Iść Stężenie domieszki akceptorowej = 1/(2*pi*Długość tranzystora*Szerokość tranzystora*[Charge-e]*Mobilność dziury*Pojemność warstwy zubożonej)

Maksymalne stężenie domieszki

Iść Maksymalne stężenie domieszki = Stężenie referencyjne*exp(-Energia aktywacji dla rozpuszczalności substancji stałych/([BoltZ]*Temperatura absolutna))

Czas propagacji

Iść Czas propagacji = 0.7*Liczba tranzystorów przejściowych*((Liczba tranzystorów przejściowych+1)/2)*Oporność w MOSFET-ie*Pojemność obciążenia

Dryf gęstości prądu ze względu na swobodne elektrony

Iść Dryf gęstości prądu ze względu na elektrony = [Charge-e]*Stężenie elektronów*Mobilność elektronów*Natężenie pola elektrycznego

Dryf gęstości prądu z powodu dziur

Iść Dryf gęstości prądu z powodu dziur = [Charge-e]*Zagęszczenie dziur*Mobilność dziury*Natężenie pola elektrycznego

Rezystancja kanału

Iść Rezystancja kanału = Długość tranzystora/Szerokość tranzystora*1/(Mobilność elektronów*Gęstość nośnika)

Częstotliwość wzmocnienia jedności MOSFET

Iść Częstotliwość wzmocnienia jedności w MOSFET-ie = Transkonduktancja w MOSFET-ie/(Pojemność źródła bramki+Pojemność drenu bramki)

Głębia ostrości

Iść Głębia ostrości = Czynnik proporcjonalności*Długość fali w fotolitografii/(Przysłona numeryczna^2)

Wymiar krytyczny

Iść Wymiar krytyczny = Stała zależna od procesu*Długość fali w fotolitografii/Przysłona numeryczna

Umrzyj na opłatek

Iść Umrzyj na opłatek = (pi*Średnica wafla^2)/(4*Rozmiar każdej kostki)

Równoważna grubość tlenku

Iść Równoważna grubość tlenku = Grubość materiału*(3.9/Stała dielektryczna materiału)

Czas propagacji Formułę

Czas propagacji = 0.7*Liczba tranzystorów przejściowych*((Liczba tranzystorów przejściowych+1)/2)*Oporność w MOSFET-ie*Pojemność obciążenia
T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!