Ausbreitungszeit Taschenrechner

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MOS-IC-Herstellung

Bipolare IC-Herstellung

Schmitt-Trigger

✖Die Anzahl der Durchgangstransistoren ist die Anzahl der Transistoren, die zur Übertragung von Signalen von einem Teil der Schaltung zu einem anderen verwendet werden.ⓘ Anzahl der Durchgangstransistoren [N]			+10% -10%
✖Der Widerstand im MOSFET bezieht sich auf den Widerstand gegen den Stromfluss im Stromkreis.ⓘ Widerstand im MOSFET [R_m]			+10% -10%
✖Unter Lastkapazität versteht man die Gesamtkapazität am Ausgang eines Geräts, die typischerweise auf die Kapazität der angeschlossenen Lasten und der Leiterbahnen auf einer Leiterplatte (PCB) zurückzuführen ist.ⓘ Lastkapazität [C_l]			+10% -10%

✖Unter Ausbreitungszeit versteht man die Zeit, die ein Signal benötigt, um sich durch den Transistor vom Eingang zum Ausgang auszubreiten.ⓘ Ausbreitungszeit [T_p]

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Formel

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Ausbreitungszeit

Formel

`"T"_{"p"} = 0.7*"N"*(("N"+1)/2)*"R"_{"m"}*"C"_{"l"}`

Beispiel

`"0.778203s"=0.7*"13"*(("13"+1)/2)*"542Ω"*"22.54μF"`

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Ausbreitungszeit Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Ausbreitungszeit = 0.7*Anzahl der Durchgangstransistoren*((Anzahl der Durchgangstransistoren+1)/2)*Widerstand im MOSFET*Lastkapazität
T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Ausbreitungszeit - (Gemessen in Zweite) - Unter Ausbreitungszeit versteht man die Zeit, die ein Signal benötigt, um sich durch den Transistor vom Eingang zum Ausgang auszubreiten.
Anzahl der Durchgangstransistoren - Die Anzahl der Durchgangstransistoren ist die Anzahl der Transistoren, die zur Übertragung von Signalen von einem Teil der Schaltung zu einem anderen verwendet werden.
Widerstand im MOSFET - (Gemessen in Ohm) - Der Widerstand im MOSFET bezieht sich auf den Widerstand gegen den Stromfluss im Stromkreis.
Lastkapazität - (Gemessen in Farad) - Unter Lastkapazität versteht man die Gesamtkapazität am Ausgang eines Geräts, die typischerweise auf die Kapazität der angeschlossenen Lasten und der Leiterbahnen auf einer Leiterplatte (PCB) zurückzuführen ist.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Anzahl der Durchgangstransistoren: 13 --> Keine Konvertierung erforderlich
Widerstand im MOSFET: 542 Ohm --> 542 Ohm Keine Konvertierung erforderlich
Lastkapazität: 22.54 Mikrofarad --> 2.254E-05 Farad (Überprüfen sie die konvertierung hier)

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l --> 0.7*13*((13+1)/2)*542*2.254E-05

Auswerten ... ...

T_p = 0.778202516

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

0.778202516 Zweite --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

0.778202516 ≈ 0.778203 Zweite <-- Ausbreitungszeit

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Banuprakash

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Bangalore

Banuprakash hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Santhosh Yadav

Dayananda Sagar College of Engineering (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav hat diesen Rechner und 50+ weitere Rechner verifiziert!

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Schaltpunktspannung

Gehen Schaltpunktspannung = (Versorgungsspannung+PMOS-Schwellenspannung+NMOS-Schwellenspannung*sqrt(NMOS-Transistorverstärkung/Verstärkung des PMOS-Transistors))/(1+sqrt(NMOS-Transistorverstärkung/Verstärkung des PMOS-Transistors))

Körpereffekt im MOSFET

Gehen Schwellenspannung mit Substrat = Schwellenspannung mit Zero Body Bias+Körpereffektparameter*(sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial+An den Körper angelegte Spannung)-sqrt(2*Bulk-Fermi-Potenzial))

Donator-Dotierstoffkonzentration

Gehen Donator-Dotierstoffkonzentration = (Sättigungsstrom*Transistorlänge)/([Charge-e]*Breite des Transistors*Elektronenmobilität*Kapazität der Sperrschicht)

Dotierstoffkonzentration des Akzeptors

Gehen Dotierstoffkonzentration des Akzeptors = 1/(2*pi*Transistorlänge*Breite des Transistors*[Charge-e]*Lochmobilität*Kapazität der Sperrschicht)

Drainstrom des MOSFET im Sättigungsbereich

Gehen Stromverbrauch = Transkonduktanzparameter/2*(Gate-Source-Spannung-Schwellenspannung mit Zero Body Bias)^2*(1+Modulationsfaktor der Kanallänge*Drain-Quellenspannung)

Maximale Dotierstoffkonzentration

Gehen Maximale Dotierstoffkonzentration = Referenzkonzentration*exp(-Aktivierungsenergie für feste Löslichkeit/([BoltZ]*Absolute Temperatur))

Ausbreitungszeit

Gehen Ausbreitungszeit = 0.7*Anzahl der Durchgangstransistoren*((Anzahl der Durchgangstransistoren+1)/2)*Widerstand im MOSFET*Lastkapazität

Driftstromdichte aufgrund freier Elektronen

Gehen Driftstromdichte aufgrund von Elektronen = [Charge-e]*Elektronenkonzentration*Elektronenmobilität*Elektrische Feldstärke

Driftstromdichte aufgrund von Löchern

Gehen Driftstromdichte aufgrund von Löchern = [Charge-e]*Lochkonzentration*Lochmobilität*Elektrische Feldstärke

Kanalwiderstand

Gehen Kanalwiderstand = Transistorlänge/Breite des Transistors*1/(Elektronenmobilität*Trägerdichte)

MOSFET-Einheitsverstärkungsfrequenz

Gehen Einheitsverstärkungsfrequenz im MOSFET = Transkonduktanz im MOSFET/(Gate-Source-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität)

Kritische Dimension

Gehen Kritische Dimension = Prozessabhängige Konstante*Wellenlänge in der Fotolithographie/Numerische Apertur

Tiefenschärfe

Gehen Tiefenschärfe = Proportionalitätsfaktor*Wellenlänge in der Fotolithographie/(Numerische Apertur^2)

Die pro Wafer

Gehen Die pro Wafer = (pi*Waferdurchmesser^2)/(4*Größe jedes Würfels)

Äquivalente Oxiddicke

Gehen Äquivalente Oxiddicke = Materialstärke*(3.9/Dielektrizitätskonstante des Materials)

Ausbreitungszeit Formel

Ausbreitungszeit = 0.7*Anzahl der Durchgangstransistoren*((Anzahl der Durchgangstransistoren+1)/2)*Widerstand im MOSFET*Lastkapazität
T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l

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