Temps de propagation Calculatrice

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Fabrication de circuits intégrés MOS

Déclencheur Schmitt

Fabrication de circuits intégrés bipolaires

✖Le nombre de transistors de passage est le nombre de transistors utilisés pour transférer des signaux d'une partie du circuit à une autre.ⓘ Nombre de transistors passants [N]			+10% -10%
✖La résistance dans le MOSFET fait référence à l'opposition à la circulation du courant dans le circuit.ⓘ Résistance dans MOSFET [R_m]			+10% -10%
✖La capacité de charge fait référence à la capacité totale qu'un appareil voit à sa sortie, généralement due à la capacité des charges connectées et aux traces sur une carte de circuit imprimé (PCB).ⓘ Capacité de charge [C_l]			+10% -10%

✖Le temps de propagation fait référence au temps nécessaire à un signal pour se propager à travers le transistor, de l'entrée à la sortie.ⓘ Temps de propagation [T_p]

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Formule

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Temps de propagation

Formule

`"T"_{"p"} = 0.7*"N"*(("N"+1)/2)*"R"_{"m"}*"C"_{"l"}`

Exemple

`"0.778203s"=0.7*"13"*(("13"+1)/2)*"542Ω"*"22.54μF"`

Calculatrice

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Temps de propagation Solution

ÉTAPE 0: Résumé du pré-calcul

Formule utilisée

Temps de propagation = 0.7*Nombre de transistors passants*((Nombre de transistors passants+1)/2)*Résistance dans MOSFET*Capacité de charge
T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l
Cette formule utilise 4 Variables

Variables utilisées

Temps de propagation - (Mesuré en Deuxième) - Le temps de propagation fait référence au temps nécessaire à un signal pour se propager à travers le transistor, de l'entrée à la sortie.
Nombre de transistors passants - Le nombre de transistors de passage est le nombre de transistors utilisés pour transférer des signaux d'une partie du circuit à une autre.
Résistance dans MOSFET - (Mesuré en Ohm) - La résistance dans le MOSFET fait référence à l'opposition à la circulation du courant dans le circuit.
Capacité de charge - (Mesuré en Farad) - La capacité de charge fait référence à la capacité totale qu'un appareil voit à sa sortie, généralement due à la capacité des charges connectées et aux traces sur une carte de circuit imprimé (PCB).

ÉTAPE 1: Convertir les entrées en unité de base

Nombre de transistors passants: 13 --> Aucune conversion requise
Résistance dans MOSFET: 542 Ohm --> 542 Ohm Aucune conversion requise
Capacité de charge: 22.54 microfarades --> 2.254E-05 Farad (Vérifiez la conversion ici)

ÉTAPE 2: Évaluer la formule

Remplacement des valeurs d'entrée dans la formule

T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l --> 0.7*13*((13+1)/2)*542*2.254E-05

Évaluer ... ...

T_p = 0.778202516

ÉTAPE 3: Convertir le résultat en unité de sortie

0.778202516 Deuxième --> Aucune conversion requise

RÉPONSE FINALE

0.778202516 ≈ 0.778203 Deuxième <-- Temps de propagation

(Calcul effectué en 00.004 secondes)

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Crédits

Créé par banuprakash

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Bangalore

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Vérifié par Santhosh Yadav

Collège d'ingénierie Dayananda Sagar (DSCE), Banglore

Santhosh Yadav a validé cette calculatrice et 50+ autres calculatrices!

< 15 Fabrication de circuits intégrés MOS Calculatrices

Tension du point de commutation

Aller Tension du point de commutation = (Tension d'alimentation+Tension de seuil PMOS+Tension de seuil NMOS*sqrt(Gain du transistor NMOS/Gain des transistors PMOS))/(1+sqrt(Gain du transistor NMOS/Gain des transistors PMOS))

Effet corporel dans MOSFET

Aller Tension de seuil avec substrat = Tension de seuil avec polarisation de corps nulle+Paramètre d'effet corporel*(sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac+Tension appliquée au corps)-sqrt(2*Potentiel Fermi en vrac))

Courant de drain du MOSFET dans la région de saturation

Aller Courant de vidange = Paramètre de transconductance/2*(Tension de source de porte-Tension de seuil avec polarisation de corps nulle)^2*(1+Facteur de modulation de longueur de canal*Tension de source de drain)

Concentration de dopant du donneur

Aller Concentration de dopant du donneur = (Courant de saturation*Longueur du transistor)/([Charge-e]*Largeur du transistor*Mobilité électronique*Capacité de la couche d'épuisement)

Concentration de dopant accepteur

Aller Concentration de dopant accepteur = 1/(2*pi*Longueur du transistor*Largeur du transistor*[Charge-e]*Mobilité des trous*Capacité de la couche d'épuisement)

Concentration maximale de dopant

Aller Concentration maximale de dopant = Concentration de référence*exp(-Énergie d'activation pour la solubilité solide/([BoltZ]*Température absolue))

Densité de courant de dérive due aux électrons libres

Aller Densité de courant de dérive due aux électrons = [Charge-e]*Concentration d'électrons*Mobilité électronique*Intensité du champ électrique

Temps de propagation

Aller Temps de propagation = 0.7*Nombre de transistors passants*((Nombre de transistors passants+1)/2)*Résistance dans MOSFET*Capacité de charge

Densité du courant de dérive due aux trous

Aller Densité du courant de dérive due aux trous = [Charge-e]*Concentration des trous*Mobilité des trous*Intensité du champ électrique

Résistance du canal

Aller Résistance du canal = Longueur du transistor/Largeur du transistor*1/(Mobilité électronique*Densité des porteurs)

Fréquence de gain unitaire MOSFET

Aller Fréquence de gain unitaire dans MOSFET = Transconductance dans MOSFET/(Capacité de la source de porte+Capacité de drainage de porte)

Profondeur de mise au point

Aller Profondeur de mise au point = Facteur de proportionnalité*Longueur d'onde en photolithographie/(Ouverture numérique^2)

Dimension critique

Aller Dimension critique = Constante dépendante du processus*Longueur d'onde en photolithographie/Ouverture numérique

Matrice par tranche

Aller Matrice par tranche = (pi*Diamètre de la plaquette^2)/(4*Taille de chaque matrice)

Épaisseur d'oxyde équivalente

Aller Épaisseur d'oxyde équivalente = Épaisseur du matériau*(3.9/Constante diélectrique du matériau)

Temps de propagation Formule

Temps de propagation = 0.7*Nombre de transistors passants*((Nombre de transistors passants+1)/2)*Résistance dans MOSFET*Capacité de charge
T_p = 0.7*N*((N+1)/2)*R_m*C_l

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