Nettoverteilung der Ladung Taschenrechner

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✖Unter Donorkonzentration versteht man die Konzentration oder Dichte von Donoratomen in einem Halbleitermaterial.ⓘ Spenderkonzentration [N_d]			+10% -10%
✖Die Akzeptorkonzentration ist die Konzentration eines Akzeptor- oder Dotierstoffatoms, das beim Einsetzen in ein Halbleitergitter einen p-Typ-Bereich bildet.ⓘ Akzeptorkonzentration [N_a]			+10% -10%
✖Die abgestufte Konstante gibt die Steigung der Nettoverunreinigungsverteilung an. Dabei handelt es sich um das Verhältnis zwischen verschiedenen Dotierungskonzentrationen in einem abgestuften Bereich in der Nähe eines Übergangs.ⓘ Abgestufte Konstante [G]			+10% -10%

✖Die Nettoverteilung ist eine räumliche oder numerische Darstellung der Nettomenge oder -konzentration einer bestimmten Einheit oder Eigenschaft.ⓘ Nettoverteilung der Ladung [x]

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Formel

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Nettoverteilung der Ladung

Formel

`"x" = ("N"_{"d"}-"N"_{"a"})/"G"`

Beispiel

`"-0.075"=("2.5e35/m³"-"7.9e35/m³")/"7.2e36"`

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Nettoverteilung der Ladung Lösung

SCHRITT 0: Zusammenfassung vor der Berechnung

Gebrauchte Formel

Nettoverteilung = (Spenderkonzentration-Akzeptorkonzentration)/Abgestufte Konstante
x = (N_d-N_a)/G
Diese formel verwendet 4 Variablen

Verwendete Variablen

Nettoverteilung - Die Nettoverteilung ist eine räumliche oder numerische Darstellung der Nettomenge oder -konzentration einer bestimmten Einheit oder Eigenschaft.
Spenderkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Unter Donorkonzentration versteht man die Konzentration oder Dichte von Donoratomen in einem Halbleitermaterial.
Akzeptorkonzentration - (Gemessen in 1 pro Kubikmeter) - Die Akzeptorkonzentration ist die Konzentration eines Akzeptor- oder Dotierstoffatoms, das beim Einsetzen in ein Halbleitergitter einen p-Typ-Bereich bildet.
Abgestufte Konstante - Die abgestufte Konstante gibt die Steigung der Nettoverunreinigungsverteilung an. Dabei handelt es sich um das Verhältnis zwischen verschiedenen Dotierungskonzentrationen in einem abgestuften Bereich in der Nähe eines Übergangs.

SCHRITT 1: Konvertieren Sie die Eingänge in die Basiseinheit

Spenderkonzentration: 2.5E+35 1 pro Kubikmeter --> 2.5E+35 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Akzeptorkonzentration: 7.9E+35 1 pro Kubikmeter --> 7.9E+35 1 pro Kubikmeter Keine Konvertierung erforderlich
Abgestufte Konstante: 7.2E+36 --> Keine Konvertierung erforderlich

SCHRITT 2: Formel auswerten

Eingabewerte in Formel ersetzen

x = (N_d-N_a)/G --> (2.5E+35-7.9E+35)/7.2E+36

Auswerten ... ...

x = -0.075

SCHRITT 3: Konvertieren Sie das Ergebnis in die Ausgabeeinheit

-0.075 --> Keine Konvertierung erforderlich

ENDGÜLTIGE ANTWORT

-0.075 <-- Nettoverteilung

(Berechnung in 00.004 sekunden abgeschlossen)

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Credits

Erstellt von Shobhit Dimri

Bipin Tripathi Kumaon Institut für Technologie (BTKIT), Dwarahat

Shobhit Dimri hat diesen Rechner und 900+ weitere Rechner erstellt!

Geprüft von Urvi Rathod

Vishwakarma Government Engineering College (VGEC), Ahmedabad

Urvi Rathod hat diesen Rechner und 1900+ weitere Rechner verifiziert!

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Sperrschichtkapazität

Gehen Sperrschichtkapazität = (Kreuzungsbereich/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Konstanter Längenversatz*Dopingkonzentration der Base)/(Quellenspannung-Quellenspannung 1))

Länge der p-seitigen Verbindung

Gehen Länge der P-seitigen Kreuzung = (Optischer Strom/([Charge-e]*Kreuzungsbereich*Optische Erzeugungsrate))-(Kreuzungsübergangsbreite+Diffusionslänge des Übergangsbereichs)

Serienwiderstand im P-Typ

Gehen Reihenwiderstand im P-Übergang = ((Quellenspannung-Sperrschichtspannung)/Elektrischer Strom)-Serienwiderstand im N-Übergang

Serienwiderstand im N-Typ

Gehen Serienwiderstand im N-Übergang = ((Quellenspannung-Sperrschichtspannung)/Elektrischer Strom)-Reihenwiderstand im P-Übergang

Kreuzungsübergangsbreite

Gehen Kreuzungsübergangsbreite = Ladungsdurchdringung N-Typ*((Akzeptorkonzentration+Spenderkonzentration)/Akzeptorkonzentration)

Sperrschichtspannung

Gehen Sperrschichtspannung = Quellenspannung-(Reihenwiderstand im P-Übergang+Serienwiderstand im N-Übergang)*Elektrischer Strom

Querschnittsbereich der Kreuzung

Gehen Kreuzungsbereich = Gesamtakzeptanzgebühr/([Charge-e]*Ladungsdurchdringung N-Typ*Akzeptorkonzentration)

Akzeptorkonzentration

Gehen Akzeptorkonzentration = Gesamtakzeptanzgebühr/([Charge-e]*Ladungsdurchdringung N-Typ*Kreuzungsbereich)

N-Typ-Breite

Gehen Ladungsdurchdringung N-Typ = Gesamtakzeptanzgebühr/(Kreuzungsbereich*Akzeptorkonzentration*[Charge-e])

Spenderkonzentration

Gehen Spenderkonzentration = Gesamtakzeptanzgebühr/([Charge-e]*Ladungsdurchdringung P-Typ*Kreuzungsbereich)

Gesamtakzeptanzgebühr

Gehen Gesamtakzeptanzgebühr = [Charge-e]*Ladungsdurchdringung N-Typ*Kreuzungsbereich*Akzeptorkonzentration

Absorptionskoeffizient

Gehen Absorptionskoeffizient = (-1/Probendicke)*ln(Absorbierte Leistung/Vorfallleistung)

Absorbierte Leistung

Gehen Absorbierte Leistung = Vorfallleistung*exp(-Probendicke*Absorptionskoeffizient)

Nettoverteilung der Ladung

Gehen Nettoverteilung = (Spenderkonzentration-Akzeptorkonzentration)/Abgestufte Konstante

PN Verbindungslänge

Gehen Verbindungslänge = Konstanter Längenversatz+Effektive Kanallänge

Quantenzahl

Gehen Quantenzahl = [Coulomb]*Mögliche Bohrlochlänge/3.14

Nettoverteilung der Ladung Formel

Nettoverteilung = (Spenderkonzentration-Akzeptorkonzentration)/Abgestufte Konstante
x = (N_d-N_a)/G

Wie entsteht ein Halbleiterübergang?

Pn-Übergänge werden durch Verbinden von Halbleitermaterialien vom n-Typ und p-Typ gebildet, wie unten gezeigt. Da der n-Typ-Bereich eine hohe Elektronenkonzentration und der p-Typ eine hohe Löcherkonzentration hat, diffundieren Elektronen von der n-Typ-Seite zu der p-Typ-Seite.

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