Calculadora Distribución neta de cargo

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Portadores de semiconductores

✖La concentración donante se refiere a la concentración o densidad de los átomos donantes en un material semiconductor.ⓘ Concentración de donantes [N_d]			+10% -10%
✖La concentración del aceptor es la concentración de un átomo aceptor o dopante que, cuando se sustituye en una red semiconductora, forma una región de tipo p.ⓘ Concentración del aceptor [N_a]			+10% -10%
✖Graded Constant da la pendiente de la distribución neta de impurezas. Es la tasa entre diferentes concentraciones de dopaje en una región graduada cerca de un cruce.ⓘ Constante graduada [G]			+10% -10%

✖La distribución neta es una representación espacial o numérica de la cantidad o concentración neta de una entidad o propiedad específica.ⓘ Distribución neta de cargo [x]

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Fórmula

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Distribución neta de cargo

Fórmula

`"x" = ("N"_{"d"}-"N"_{"a"})/"G"`

Ejemplo

`"-0.075"=("2.5e35/m³"-"7.9e35/m³")/"7.2e36"`

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Distribución neta de cargo Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Distribución neta = (Concentración de donantes-Concentración del aceptor)/Constante graduada
x = (N_d-N_a)/G
Esta fórmula usa 4 Variables

Variables utilizadas

Distribución neta - La distribución neta es una representación espacial o numérica de la cantidad o concentración neta de una entidad o propiedad específica.
Concentración de donantes - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración donante se refiere a la concentración o densidad de los átomos donantes en un material semiconductor.
Concentración del aceptor - (Medido en 1 por metro cúbico) - La concentración del aceptor es la concentración de un átomo aceptor o dopante que, cuando se sustituye en una red semiconductora, forma una región de tipo p.
Constante graduada - Graded Constant da la pendiente de la distribución neta de impurezas. Es la tasa entre diferentes concentraciones de dopaje en una región graduada cerca de un cruce.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Concentración de donantes: 2.5E+35 1 por metro cúbico --> 2.5E+35 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Concentración del aceptor: 7.9E+35 1 por metro cúbico --> 7.9E+35 1 por metro cúbico No se requiere conversión
Constante graduada: 7.2E+36 --> No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

x = (N_d-N_a)/G --> (2.5E+35-7.9E+35)/7.2E+36

Evaluar ... ...

x = -0.075

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

-0.075 --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

-0.075 <-- Distribución neta

(Cálculo completado en 00.020 segundos)

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Créditos

Creado por Shobhit Dimri

Instituto de Tecnología Bipin Tripathi Kumaon (BTKIT), Dwarahat

¡Shobhit Dimri ha creado esta calculadora y 900+ más calculadoras!

Verificada por Urvi Rathod

Facultad de Ingeniería del Gobierno de Vishwakarma (VGEC), Ahmedabad

¡Urvi Rathod ha verificado esta calculadora y 1900+ más calculadoras!

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Capacitancia de unión

Vamos Capacitancia de unión = (Área de unión/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Compensación de longitud constante*Dopaje Concentración de Base)/(Voltaje de fuente-Voltaje de fuente 1))

Longitud de la unión del lado P

Vamos Longitud de la unión del lado P = (Corriente óptica/([Charge-e]*Área de unión*Tasa de generación óptica))-(Ancho de transición de unión+Longitud de difusión de la región de transición)

Ancho de transición de unión

Vamos Ancho de transición de unión = Penetración de carga tipo N*((Concentración del aceptor+Concentración de donantes)/Concentración del aceptor)

Resistencia en serie en tipo P

Vamos Resistencia en serie en la unión P = ((Voltaje de fuente-Voltaje de unión)/Corriente eléctrica)-Resistencia en serie en la unión N

Resistencia en serie en tipo N

Vamos Resistencia en serie en la unión N = ((Voltaje de fuente-Voltaje de unión)/Corriente eléctrica)-Resistencia en serie en la unión P

Voltaje de unión

Vamos Voltaje de unión = Voltaje de fuente-(Resistencia en serie en la unión P+Resistencia en serie en la unión N)*Corriente eléctrica

Área transversal de la unión

Vamos Área de unión = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Concentración del aceptor)

Concentración del aceptor

Vamos Concentración del aceptor = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Área de unión)

Concentración de donantes

Vamos Concentración de donantes = Cargo total del aceptador/([Charge-e]*Penetración de carga tipo P*Área de unión)

Ancho tipo N

Vamos Penetración de carga tipo N = Cargo total del aceptador/(Área de unión*Concentración del aceptor*[Charge-e])

Cargo total del aceptador

Vamos Cargo total del aceptador = [Charge-e]*Penetración de carga tipo N*Área de unión*Concentración del aceptor

Coeficiente de absorción

Vamos Coeficiente de absorción = (-1/Espesor de la muestra)*ln(Poder absorbido/Potencia incidente)

Poder absorbido

Vamos Poder absorbido = Potencia incidente*exp(-Espesor de la muestra*Coeficiente de absorción)

Distribución neta de cargo

Vamos Distribución neta = (Concentración de donantes-Concentración del aceptor)/Constante graduada

Longitud de la unión PN

Vamos Longitud de unión = Compensación de longitud constante+Longitud efectiva del canal

Número cuántico

Vamos Número cuántico = [Coulomb]*Longitud potencial del pozo/3.14

Distribución neta de cargo Fórmula

Distribución neta = (Concentración de donantes-Concentración del aceptor)/Constante graduada
x = (N_d-N_a)/G

¿Cómo se forma una unión semiconductora?

Las uniones Pn se forman uniendo materiales semiconductores tipo n y tipo p, como se muestra a continuación. Dado que la región de tipo n tiene una alta concentración de electrones y la de tipo p una alta concentración de huecos, los electrones se difunden desde el lado de tipo n hacia el lado de tipo p.

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