Calculadora Potencia promedio disipada durante un período de tiempo

✖El tiempo total empleado es el tiempo total que tarda el cuerpo en cubrir ese espacio.ⓘ Tiempo total empleado [t_total]			+10% -10%
✖El voltaje representa la presión eléctrica que empuja la corriente eléctrica a través de un conductor.ⓘ Voltaje [V_t]			+10% -10%
✖La corriente significa la tasa de flujo de carga eléctrica a través de un conductor.ⓘ Actual [i_t]			+10% -10%
✖El Tiempo Total Tomado es el tiempo total tomado por el cuerpo para cubrir ese espacio.ⓘ Tiempo total tomado [t_total]			+10% -10%

✖La potencia promedio se refiere a la velocidad a la que se transfiere energía o se realiza trabajo, en promedio, durante un cierto período de tiempo.ⓘ Potencia promedio disipada durante un período de tiempo [P_avg]

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Fórmula

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Potencia promedio disipada durante un período de tiempo

Fórmula

`"P"_{"avg"} = (1/"t"_{"total"})*int("V"_{"t"}*"i"_{"t"},x,0,"t"_{"total"})`

Ejemplo

`"18.8215W"=(1/"80s")*int("4.565V"*"4.123A",x,0,"80s")`

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Potencia promedio disipada durante un período de tiempo Solución

PASO 0: Resumen del cálculo previo

Fórmula utilizada

Energía promedio = (1/Tiempo total empleado)*int(Voltaje*Actual,x,0,Tiempo total tomado)
P_avg = (1/t_total)*int(V_t*i_t,x,0,t_total)
Esta fórmula usa 1 Funciones, 5 Variables

Funciones utilizadas

int - La integral definida se puede utilizar para calcular el área neta con signo, que es el área sobre el eje x menos el área debajo del eje x., int(expr, arg, from, to)

Variables utilizadas

Energía promedio - (Medido en Vatio) - La potencia promedio se refiere a la velocidad a la que se transfiere energía o se realiza trabajo, en promedio, durante un cierto período de tiempo.
Tiempo total empleado - (Medido en Segundo) - El tiempo total empleado es el tiempo total que tarda el cuerpo en cubrir ese espacio.
Voltaje - (Medido en Voltio) - El voltaje representa la presión eléctrica que empuja la corriente eléctrica a través de un conductor.
Actual - (Medido en Amperio) - La corriente significa la tasa de flujo de carga eléctrica a través de un conductor.
Tiempo total tomado - (Medido en Segundo) - El Tiempo Total Tomado es el tiempo total tomado por el cuerpo para cubrir ese espacio.

PASO 1: Convierta la (s) entrada (s) a la unidad base

Tiempo total empleado: 80 Segundo --> 80 Segundo No se requiere conversión
Voltaje: 4.565 Voltio --> 4.565 Voltio No se requiere conversión
Actual: 4.123 Amperio --> 4.123 Amperio No se requiere conversión
Tiempo total tomado: 80 Segundo --> 80 Segundo No se requiere conversión

PASO 2: Evaluar la fórmula

Sustituir valores de entrada en una fórmula

P_avg = (1/t_total)*int(V_t*i_t,x,0,t_total) --> (1/80)*int(4.565*4.123,x,0,80)

Evaluar ... ...

P_avg = 18.821495

PASO 3: Convierta el resultado a la unidad de salida

18.821495 Vatio --> No se requiere conversión

RESPUESTA FINAL

18.821495 ≈ 18.8215 Vatio <-- Energía promedio

(Cálculo completado en 00.004 segundos)

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Créditos

Creado por Vignesh Naidu

Instituto de Tecnología de Vellore (VIT), Vellore, Tamil Nadu

¡Vignesh Naidu ha creado esta calculadora y 25+ más calculadoras!

Verificada por Dipanjona Mallick

Instituto Tecnológico del Patrimonio (hitk), Calcuta

¡Dipanjona Mallick ha verificado esta calculadora y 50+ más calculadoras!

< 21 Transistor MOS Calculadoras

Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral

Vamos Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral = -(2*sqrt(Potencial incorporado de uniones de paredes laterales)/(Voltaje final-Voltaje inicial)*(sqrt(Potencial incorporado de uniones de paredes laterales-Voltaje final)-sqrt(Potencial incorporado de uniones de paredes laterales-Voltaje inicial)))

Bajar la corriente en la región lineal

Vamos Corriente de descenso de región lineal = sum(x,0,Número de transistores de controlador paralelo,(Movilidad electrónica*Capacitancia de óxido/2)*(Ancho de banda/Longitud del canal)*(2*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje umbral)*Tensión de salida-Tensión de salida^2))

Voltaje de nodo en un caso dado

Vamos Voltaje de nodo en un caso dado = (Factor de transconductancia/Capacitancia del nodo)*int(exp(-(1/(Resistencia del nodo*Capacitancia del nodo))*(Periodo de tiempo-x))*Corriente que fluye hacia el nodo*x,x,0,Periodo de tiempo)

Bajar la corriente en la región de saturación

Vamos Corriente de descenso de la región de saturación = sum(x,0,Número de transistores de controlador paralelo,(Movilidad electrónica*Capacitancia de óxido/2)*(Ancho de banda/Longitud del canal)*(Voltaje de fuente de puerta-Voltaje umbral)^2)

Tiempo de saturación

Vamos Tiempo de saturación = -2*Capacitancia de carga/(Parámetro del proceso de transconductancia*(Alto voltaje de salida-Voltaje umbral)^2)*int(1,x,Alto voltaje de salida,Alto voltaje de salida-Voltaje umbral)

Drenar la corriente que fluye a través del transistor MOS

Vamos Corriente de drenaje = (Ancho de banda/Longitud del canal)*Movilidad electrónica*Capacitancia de óxido*int((Voltaje de fuente de puerta-x-Voltaje umbral),x,0,Voltaje de la fuente de drenaje)

Retraso de tiempo cuando NMOS opera en una región lineal

Vamos Región lineal en retardo de tiempo = -2*Capacitancia de unión*int(1/(Parámetro del proceso de transconductancia*(2*(Voltaje de entrada-Voltaje umbral)*x-x^2)),x,Voltaje inicial,Voltaje final)

Densidad de carga de la región de agotamiento

Vamos Densidad de carga de la capa de agotamiento = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentración de dopaje del aceptor*modulus(Potencial de superficie-Potencial de Fermi a granel)))

Profundidad de la región de agotamiento asociada con el drenaje

Vamos Región de profundidad de agotamiento del drenaje = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Potencial de unión incorporado+Voltaje de la fuente de drenaje))/([Charge-e]*Concentración de dopaje del aceptor))

Drenar corriente en la región de saturación en el transistor MOS

Vamos Corriente de drenaje de la región de saturación = Ancho de banda*Velocidad de deriva de electrones de saturación*int(Cobrar*Parámetro de canal corto,x,0,Longitud efectiva del canal)

Potencial de Fermi para el tipo N

Vamos Potencial de Fermi para el tipo N = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentración de dopante del donante/Concentración de portador intrínseco)

Profundidad máxima de agotamiento

Vamos Profundidad máxima de agotamiento = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potencial de Fermi a granel))/([Charge-e]*Concentración de dopaje del aceptor))

Potencial de Fermi para el tipo P

Vamos Potencial de Fermi para el tipo P = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentración de portador intrínseco/Concentración de dopaje del aceptor)

Potencial incorporado en la región de agotamiento

Vamos Voltaje incorporado = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentración de dopaje del aceptor*modulus(-2*Potencial de Fermi a granel)))

Capacitancia de señal grande equivalente

Vamos Capacitancia de señal grande equivalente = (1/(Voltaje final-Voltaje inicial))*int(Capacitancia de unión*x,x,Voltaje inicial,Voltaje final)

Profundidad de agotamiento Región asociada con la fuente

Vamos Región de profundidad de agotamiento de la fuente = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Potencial de unión incorporado)/([Charge-e]*Concentración de dopaje del aceptor))

Coeficiente de polarización del sustrato

Vamos Coeficiente de polarización del sustrato = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentración de dopaje del aceptor)/Capacitancia de óxido

Capacitancia equivalente de unión de señal grande

Vamos Capacitancia equivalente de unión de señal grande = Perímetro de la pared lateral*Capacitancia de unión de pared lateral*Factor de equivalencia de voltaje de pared lateral

Potencia promedio disipada durante un período de tiempo

Vamos Energía promedio = (1/Tiempo total empleado)*int(Voltaje*Actual,x,0,Tiempo total tomado)

Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud

Vamos Capacitancia de unión de pared lateral = Potencial de unión de pared lateral de polarización cero*Profundidad de la pared lateral

Función de trabajo en MOSFET

Vamos Función del trabajo = Nivel de vacío+(Nivel de energía de la banda de conducción-Nivel Fermi)

Potencia promedio disipada durante un período de tiempo Fórmula

Energía promedio = (1/Tiempo total empleado)*int(Voltaje*Actual,x,0,Tiempo total tomado)
P_avg = (1/t_total)*int(V_t*i_t,x,0,t_total)

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