Calcolatrice da A a Z
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Fattore di amplificazione/guadagno
Miglioramento del canale N
Miglioramento del canale P
Rapporto di reiezione di modo comune (CMRR)
Resistenza
Transconduttanza
Voltaggio
✖
Il tempo totale impiegato è il tempo totale impiegato dal corpo per coprire quello spazio.
ⓘ
Tempo totale impiegato [t
total
]
Attosecondo
Miliardi di anni
Centesimo di secondo
Secolo
Ciclo di 60 Hz AC
Ciclo di AC
Giorno
Decennio
Decasecondo
Decisecondo
Exasecond
Femtosecond
Gigasecondo
Ettosecondo
Ora
Chilosecondo
Megasecondo
Microsecondo
Millennio
Milioni di anni
Millisecondo
minuto
Mese
Nanosecondo
Petasecond
Picosecondo
Secondo
Svedberg
Terasecondo
Mille anni
Settimana
Anno
Yoctosecond
Yottasecond
Zeptosecond
Zettasecond
+10%
-10%
✖
La tensione rappresenta la pressione elettrica che spinge la corrente elettrica attraverso un conduttore.
ⓘ
Voltaggio [V
t
]
Abvolt
Attovolt
Centivolt
Decivolo
Decavolt
EMU di potenziale elettrico
ESU di potenziale elettrico
Femtovolt
Gigavolt
Ettovolt
kilovolt
Megavolt
Microvolt
Millvolt
Nanovolt
Petavolt
Picovolt
Planck di tensione
statvolt
Teravot
Volt
Watt/Ampere
Yoctovolt
Zeptovolt
+10%
-10%
✖
La corrente indica la velocità del flusso di carica elettrica attraverso un conduttore.
ⓘ
Attuale [i
t
]
Abampere
Ampere
Attoampere
Biot
Centiampere
CGS EM
Unità CGS ES
Deciampere
Dekaampère
EMU di Current
ESU di Current
Exaampere
Femtoampere
Gigaampere
Gilbert
Ettoampere
Kiloampere
Megaampere
microampere
Millampere
Nanoampere
Petaampere
Picoampere
Statampere
Teraampere
Yoctoampere
Yottaampere
Zeptoampere
Zettaampere
+10%
-10%
✖
Il tempo totale impiegato è il tempo totale impiegato dal corpo per coprire quello spazio.
ⓘ
Tempo totale impiegato [t
total
]
Attosecondo
Miliardi di anni
Centesimo di secondo
Secolo
Ciclo di 60 Hz AC
Ciclo di AC
Giorno
Decennio
Decasecondo
Decisecondo
Exasecond
Femtosecond
Gigasecondo
Ettosecondo
Ora
Chilosecondo
Megasecondo
Microsecondo
Millennio
Milioni di anni
Millisecondo
minuto
Mese
Nanosecondo
Petasecond
Picosecondo
Secondo
Svedberg
Terasecondo
Mille anni
Settimana
Anno
Yoctosecond
Yottasecond
Zeptosecond
Zettasecond
+10%
-10%
✖
La potenza media si riferisce alla velocità con cui l'energia viene trasferita o il lavoro viene svolto, in media, in un certo periodo di tempo.
ⓘ
Potenza media dissipata in un periodo di tempo [P
avg
]
Attojoule / Secondo
Attowatt
Potenza del freno (CV)
Btu (IT) / ora
Btu (IT) / minuto
Btu (IT) / secondo
Btu (th) / ora
Btu (th) / minuto
Btu (th) / Second
Caloria (IT) / ora
Caloria(IT) / minuto
Caloria(IT) / Second
Caloria (th) / ora
Caloria (th) / minuto
Caloria (th) / Second
Centijoule / Secondo
Centowatt
CHU all'ora
Decajoule / secondo
Decawatt
Decijoule / Secondo
Deciwatt
Erg all'ora
Erg/Secondo
Exajoule / Secondo
Exawatt
Femtojoule / Secondo
Femtowatt
Foot Pound-Forza all'ora
Foot Pound-Forza al minuto
Foot Pound-Forza al secondo
Gigajoule / Secondo
Gigawatt
Hectojoule / Secondo
Ettowatt
Potenza
Potenza (550 ft * lbf / s)
Potenza (caldaia)
Potenza (elettrica)
Potenza (metrico)
Potenza (acqua)
Joule/ora
Joule al minuto
Joule al secondo
Chilocaloria(IT) / ora
Chilocaloria (IT) / minuto
Chilocaloria (IT) / Second
Chilocaloria (th) / ora
Chilocaloria (th) / minuto
Chilocaloria (th) / Second
Chilojoule/ora
Kilojoule al minuto
Kilojoule al secondo
Kilovolt Ampere
Chilowatt
MBH
MBtu (IT) all'ora
Megajoule al secondo
Megawatt
Microjoule / Secondo
Microwatt
Millijoule / Secondo
Milliwatt
MMBH
MMBtu (IT) all'ora
Nanojoule / Second
Nanowatt
Newton metri / secondo
Petajoule / Secondo
petawatt
Pferdestärke
Picojoule / Secondo
picowatt
Potenza Planck
libbra-piede all'ora
libbra-piede al minuto
Libbra-piede al secondo
Terajoule / Secondo
Terawatt
Ton (refrigerazione)
Volt Ampere
Volt Ampere Reattivo
Watt
Yoctowatt
Yottawatt
Zeptowatt
Zettawatt
⎘ Copia
Passi
👎
Formula
✖
Potenza media dissipata in un periodo di tempo
Formula
`"P"_{"avg"} = (1/"t"_{"total"})*int("V"_{"t"}*"i"_{"t"},x,0,"t"_{"total"})`
Esempio
`"18.8215W"=(1/"80s")*int("4.565V"*"4.123A",x,0,"80s")`
Calcolatrice
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Scaricamento MOSFET Formula PDF
Potenza media dissipata in un periodo di tempo Soluzione
FASE 0: Riepilogo pre-calcolo
Formula utilizzata
Potenza media
= (1/
Tempo totale impiegato
)*
int
(
Voltaggio
*
Attuale
,x,0,
Tempo totale impiegato
)
P
avg
= (1/
t
total
)*
int
(
V
t
*
i
t
,x,0,
t
total
)
Questa formula utilizza
1
Funzioni
,
5
Variabili
Funzioni utilizzate
int
- L'integrale definito può essere utilizzato per calcolare l'area netta con segno, ovvero l'area sopra l'asse x meno l'area sotto l'asse x., int(expr, arg, from, to)
Variabili utilizzate
Potenza media
-
(Misurato in Watt)
- La potenza media si riferisce alla velocità con cui l'energia viene trasferita o il lavoro viene svolto, in media, in un certo periodo di tempo.
Tempo totale impiegato
-
(Misurato in Secondo)
- Il tempo totale impiegato è il tempo totale impiegato dal corpo per coprire quello spazio.
Voltaggio
-
(Misurato in Volt)
- La tensione rappresenta la pressione elettrica che spinge la corrente elettrica attraverso un conduttore.
Attuale
-
(Misurato in Ampere)
- La corrente indica la velocità del flusso di carica elettrica attraverso un conduttore.
Tempo totale impiegato
-
(Misurato in Secondo)
- Il tempo totale impiegato è il tempo totale impiegato dal corpo per coprire quello spazio.
PASSAGGIO 1: conversione degli ingressi in unità di base
Tempo totale impiegato:
80 Secondo --> 80 Secondo Nessuna conversione richiesta
Voltaggio:
4.565 Volt --> 4.565 Volt Nessuna conversione richiesta
Attuale:
4.123 Ampere --> 4.123 Ampere Nessuna conversione richiesta
Tempo totale impiegato:
80 Secondo --> 80 Secondo Nessuna conversione richiesta
FASE 2: valutare la formula
Sostituzione dei valori di input nella formula
P
avg
= (1/t
total
)*int(V
t
*i
t
,x,0,t
total
) -->
(1/80)*
int
(4.565*4.123,x,0,80)
Valutare ... ...
P
avg
= 18.821495
PASSAGGIO 3: conversione del risultato nell'unità di output
18.821495 Watt --> Nessuna conversione richiesta
RISPOSTA FINALE
18.821495
≈
18.8215 Watt
<--
Potenza media
(Calcolo completato in 00.004 secondi)
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Potenza media dissipata in un periodo di tempo
Titoli di coda
Creato da
Vignesh Naidu
Vellore Istituto di Tecnologia
(VIT)
,
Vellore, Tamil Nadu
Vignesh Naidu ha creato questa calcolatrice e altre 25+ altre calcolatrici!
Verificato da
Dipanjona Mallick
Heritage Institute of Technology
(COLPO)
,
Calcutta
Dipanjona Mallick ha verificato questa calcolatrice e altre 50+ altre calcolatrici!
<
21 Transistor MOS Calcolatrici
Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale
Partire
Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale
= -(2*
sqrt
(
Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali
)/(
Voltaggio finale
-
Tensione iniziale
)*(
sqrt
(
Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali
-
Voltaggio finale
)-
sqrt
(
Potenziale integrato delle giunzioni delle pareti laterali
-
Tensione iniziale
)))
Abbassa la corrente nella regione lineare
Partire
Corrente di abbassamento della regione lineare
=
sum
(x,0,
Numero di transistor del driver parallelo
,(
Mobilità elettronica
*
Capacità dell'ossido
/2)*(
Larghezza del canale
/
Lunghezza del canale
)*(2*(
Tensione della sorgente di gate
-
Soglia di voltaggio
)*
Tensione di uscita
-
Tensione di uscita
^2))
Tensione del nodo in una determinata istanza
Partire
Tensione del nodo in una determinata istanza
= (
Fattore di transconduttanza
/
Capacità del nodo
)*
int
(
exp
(-(1/(
Resistenza del nodo
*
Capacità del nodo
))*(
Periodo di tempo
-x))*
Corrente che scorre nel nodo
*x,x,0,
Periodo di tempo
)
Abbassa la corrente nella regione di saturazione
Partire
Regione di saturazione Abbassa corrente
=
sum
(x,0,
Numero di transistor del driver parallelo
,(
Mobilità elettronica
*
Capacità dell'ossido
/2)*(
Larghezza del canale
/
Lunghezza del canale
)*(
Tensione della sorgente di gate
-
Soglia di voltaggio
)^2)
Corrente di drenaggio che scorre attraverso il transistor MOS
Partire
Assorbimento di corrente
= (
Larghezza del canale
/
Lunghezza del canale
)*
Mobilità elettronica
*
Capacità dell'ossido
*
int
((
Tensione della sorgente di gate
-x-
Soglia di voltaggio
),x,0,
Tensione della sorgente di drenaggio
)
Tempo di saturazione
Partire
Tempo di saturazione
= -2*
Capacità di carico
/(
Parametro del processo di transconduttanza
*(
Alta tensione di uscita
-
Soglia di voltaggio
)^2)*
int
(1,x,
Alta tensione di uscita
,
Alta tensione di uscita
-
Soglia di voltaggio
)
Ritardo temporale quando NMOS funziona nella regione lineare
Partire
Regione lineare nel ritardo temporale
= -2*
Capacità di giunzione
*
int
(1/(
Parametro del processo di transconduttanza
*(2*(
Tensione di ingresso
-
Soglia di voltaggio
)*x-x^2)),x,
Tensione iniziale
,
Voltaggio finale
)
Densità di carica della regione di esaurimento
Partire
Densità della carica dello strato di esaurimento
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentrazione antidoping dell'accettore
*
modulus
(
Potenziale di superficie
-
Potenziale di Fermi in massa
)))
Profondità della regione di svuotamento associata allo scarico
Partire
Regione della profondità di esaurimento del drenaggio
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Potenziale di giunzione incorporato
+
Tensione della sorgente di drenaggio
))/(
[Charge-e]
*
Concentrazione antidoping dell'accettore
))
Corrente di drenaggio nella regione di saturazione del transistor MOS
Partire
Corrente di drenaggio della regione di saturazione
=
Larghezza del canale
*
Velocità di deriva degli elettroni in saturazione
*
int
(
Carica
*
Parametro del canale corto
,x,0,
Lunghezza effettiva del canale
)
Potenziale di Fermi per il tipo P
Partire
Potenziale di Fermi per il tipo P
= (
[BoltZ]
*
Temperatura assoluta
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentrazione intrinseca del portatore
/
Concentrazione antidoping dell'accettore
)
Potenziale di Fermi per il tipo N
Partire
Potenziale di Fermi per il tipo N
= (
[BoltZ]
*
Temperatura assoluta
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Concentrazione del drogante del donatore
/
Concentrazione intrinseca del portatore
)
Profondità massima di esaurimento
Partire
Profondità massima di esaurimento
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
modulus
(2*
Potenziale di Fermi in massa
))/(
[Charge-e]
*
Concentrazione antidoping dell'accettore
))
Potenziale incorporato nella regione di esaurimento
Partire
Voltaggio integrato
= -(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentrazione antidoping dell'accettore
*
modulus
(-2*
Potenziale di Fermi in massa
)))
Profondità della regione di esaurimento associata alla sorgente
Partire
Regione della profondità di esaurimento della fonte
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
Potenziale di giunzione incorporato
)/(
[Charge-e]
*
Concentrazione antidoping dell'accettore
))
Capacità equivalente di segnale grande
Partire
Capacità equivalente di segnale grande
= (1/(
Voltaggio finale
-
Tensione iniziale
))*
int
(
Capacità di giunzione
*x,x,
Tensione iniziale
,
Voltaggio finale
)
Coefficiente di polarizzazione del substrato
Partire
Coefficiente di polarizzazione del substrato
=
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Concentrazione antidoping dell'accettore
)/
Capacità dell'ossido
Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni
Partire
Capacità equivalente di giunzione di segnali di grandi dimensioni
=
Perimetro del fianco
*
Capacità di giunzione della parete laterale
*
Fattore di equivalenza della tensione della parete laterale
Potenza media dissipata in un periodo di tempo
Partire
Potenza media
= (1/
Tempo totale impiegato
)*
int
(
Voltaggio
*
Attuale
,x,0,
Tempo totale impiegato
)
Capacità di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero per unità di lunghezza
Partire
Capacità di giunzione della parete laterale
=
Potenziale di giunzione della parete laterale con polarizzazione zero
*
Profondità del fianco
Funzione di lavoro in MOSFET
Partire
Funzione di lavoro
=
Livello di vuoto
+(
Livello energetico della banda di conduzione
-
Livello Fermi
)
Potenza media dissipata in un periodo di tempo Formula
Potenza media
= (1/
Tempo totale impiegato
)*
int
(
Voltaggio
*
Attuale
,x,0,
Tempo totale impiegato
)
P
avg
= (1/
t
total
)*
int
(
V
t
*
i
t
,x,0,
t
total
)
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