Średnia moc rozproszona w danym okresie czasu Kalkulator

✖Całkowity czas trwania to całkowity czas, jaki potrzebuje ciało na pokonanie tej przestrzeni.ⓘ Całkowity czas [t_total]			+10% -10%
✖Napięcie reprezentuje ciśnienie elektryczne, które przepycha prąd elektryczny przez przewodnik.ⓘ Napięcie [V_t]			+10% -10%
✖Prąd oznacza prędkość przepływu ładunku elektrycznego przez przewodnik.ⓘ Aktualny [i_t]			+10% -10%
✖Całkowity czas zajęty to całkowity czas potrzebny ciału na pokonanie tej przestrzeni.ⓘ Całkowity zajęty czas [t_total]			+10% -10%

✖Moc średnia odnosi się do szybkości, z jaką energia jest przekazywana lub wykonywana jest średnia praca w pewnym okresie czasu.ⓘ Średnia moc rozproszona w danym okresie czasu [P_avg]

⎘ Kopiuj

👎

Formuła

✖

Średnia moc rozproszona w danym okresie czasu

Formuła

`"P"_{"avg"} = (1/"t"_{"total"})*int("V"_{"t"}*"i"_{"t"},x,0,"t"_{"total"})`

Przykład

`"18.8215W"=(1/"80s")*int("4.565V"*"4.123A",x,0,"80s")`

Kalkulator

LaTeX

Resetowanie

👍

Pobierać MOSFET Formułę PDF PDF Image

Średnia moc rozproszona w danym okresie czasu Rozwiązanie

KROK 0: Podsumowanie wstępnych obliczeń

Formułę używana

Średnia moc = (1/Całkowity czas)*int(Napięcie*Aktualny,x,0,Całkowity zajęty czas)
P_avg = (1/t_total)*int(V_t*i_t,x,0,t_total)
Ta formuła używa 1 Funkcje, 5 Zmienne

Używane funkcje

int - Całkę oznaczoną można wykorzystać do obliczenia pola powierzchni netto ze znakiem, czyli obszaru nad osią x minus pole pod osią x., int(expr, arg, from, to)

Używane zmienne

Średnia moc - (Mierzone w Wat) - Moc średnia odnosi się do szybkości, z jaką energia jest przekazywana lub wykonywana jest średnia praca w pewnym okresie czasu.
Całkowity czas - (Mierzone w Drugi) - Całkowity czas trwania to całkowity czas, jaki potrzebuje ciało na pokonanie tej przestrzeni.
Napięcie - (Mierzone w Wolt) - Napięcie reprezentuje ciśnienie elektryczne, które przepycha prąd elektryczny przez przewodnik.
Aktualny - (Mierzone w Amper) - Prąd oznacza prędkość przepływu ładunku elektrycznego przez przewodnik.
Całkowity zajęty czas - (Mierzone w Drugi) - Całkowity czas zajęty to całkowity czas potrzebny ciału na pokonanie tej przestrzeni.

KROK 1: Zamień wejście (a) na jednostkę bazową

Całkowity czas: 80 Drugi --> 80 Drugi Nie jest wymagana konwersja
Napięcie: 4.565 Wolt --> 4.565 Wolt Nie jest wymagana konwersja
Aktualny: 4.123 Amper --> 4.123 Amper Nie jest wymagana konwersja
Całkowity zajęty czas: 80 Drugi --> 80 Drugi Nie jest wymagana konwersja

KROK 2: Oceń formułę

Zastępowanie wartości wejściowych we wzorze

P_avg = (1/t_total)*int(V_t*i_t,x,0,t_total) --> (1/80)*int(4.565*4.123,x,0,80)

Ocenianie ... ...

P_avg = 18.821495

KROK 3: Konwertuj wynik na jednostkę wyjścia

18.821495 Wat --> Nie jest wymagana konwersja

OSTATNIA ODPOWIEDŹ

18.821495 ≈ 18.8215 Wat <-- Średnia moc

(Obliczenie zakończone za 00.004 sekund)

Jesteś tutaj -

Dom » Inżynieria » Elektronika » MOSFET » Elektronika analogowa » Tranzystor MOS » Średnia moc rozproszona w danym okresie czasu

Kredyty

Stworzone przez Vignesha Naidu

Instytut Technologii Vellore (WIT), Vellore, Tamil Nadu

Vignesha Naidu utworzył ten kalkulator i 25+ więcej kalkulatorów!

Zweryfikowane przez Dipanjona Mallick

Instytut Dziedzictwa Technologicznego (UDERZENIE), Kalkuta

Dipanjona Mallick zweryfikował ten kalkulator i 50+ więcej kalkulatorów!

< 21 Tranzystor MOS Kalkulatory

Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

Iść Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej = -(2*sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych)/(Napięcie końcowe-Napięcie początkowe)*(sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie końcowe)-sqrt(Wbudowany potencjał połączeń ścian bocznych-Napięcie początkowe)))

Pociągnij w dół prąd w obszarze liniowym

Iść Region liniowy Prądu ściągającego = sum(x,0,Liczba równoległych tranzystorów sterujących,(Mobilność elektronów*Pojemność tlenkowa/2)*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(2*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)*Napięcie wyjściowe-Napięcie wyjściowe^2))

Napięcie węzła w danym przypadku

Iść Napięcie węzła w danym przypadku = (Współczynnik transkonduktancji/Pojemność węzła)*int(exp(-(1/(Opór węzła*Pojemność węzła))*(Okres czasu-x))*Prąd wpływający do węzła*x,x,0,Okres czasu)

Zmniejsz prąd w obszarze nasycenia

Iść Prąd ściągania obszaru nasycenia = sum(x,0,Liczba równoległych tranzystorów sterujących,(Mobilność elektronów*Pojemność tlenkowa/2)*(Szerokość kanału/Długość kanału)*(Napięcie źródła bramki-Próg napięcia)^2)

Czas nasycenia

Iść Czas nasycenia = -2*Pojemność obciążenia/(Parametr procesu transkonduktancji*(Wysokie napięcie wyjściowe-Próg napięcia)^2)*int(1,x,Wysokie napięcie wyjściowe,Wysokie napięcie wyjściowe-Próg napięcia)

Prąd drenu przepływający przez tranzystor MOS

Iść Prąd spustowy = (Szerokość kanału/Długość kanału)*Mobilność elektronów*Pojemność tlenkowa*int((Napięcie źródła bramki-x-Próg napięcia),x,0,Napięcie źródła drenu)

Opóźnienie czasowe, gdy NMOS działa w obszarze liniowym

Iść Region liniowy w opóźnieniu czasowym = -2*Pojemność złącza*int(1/(Parametr procesu transkonduktancji*(2*(Napięcie wejściowe-Próg napięcia)*x-x^2)),x,Napięcie początkowe,Napięcie końcowe)

Gęstość ładunku w regionie wyczerpania

Iść Gęstość ładunku warstwy zubożonej = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingujące stężenie akceptora*modulus(Potencjał powierzchni-Masowy potencjał Fermiego)))

Głębokość obszaru wyczerpania związana z drenażem

Iść Region głębokości wyczerpania drenażu = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Wbudowany potencjał połączenia+Napięcie źródła drenu))/([Charge-e]*Dopingujące stężenie akceptora))

Prąd drenu w obszarze nasycenia tranzystora MOS

Iść Prąd drenu obszaru nasycenia = Szerokość kanału*Prędkość dryfu elektronów w nasyceniu*int(Opłata*Parametr krótkiego kanału,x,0,Efektywna długość kanału)

Maksymalna głębokość wyczerpania

Iść Maksymalna głębokość wyczerpania = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Masowy potencjał Fermiego))/([Charge-e]*Dopingujące stężenie akceptora))

Równoważna duża pojemność sygnału

Iść Równoważna duża pojemność sygnału = (1/(Napięcie końcowe-Napięcie początkowe))*int(Pojemność złącza*x,x,Napięcie początkowe,Napięcie końcowe)

Potencjał Fermiego dla typu P

Iść Potencjał Fermiego dla typu P = ([BoltZ]*Temperatura absolutna)/[Charge-e]*ln(Wewnętrzne stężenie nośnika/Dopingujące stężenie akceptora)

Wbudowany potencjał w regionie wyczerpania

Iść Wbudowane napięcie = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingujące stężenie akceptora*modulus(-2*Masowy potencjał Fermiego)))

Potencjał Fermiego dla typu N

Iść Potencjał Fermiego dla typu N = ([BoltZ]*Temperatura absolutna)/[Charge-e]*ln(Stężenie domieszki dawcy/Wewnętrzne stężenie nośnika)

Region głębokości wyczerpania powiązany ze źródłem

Iść Region głębokości wyczerpania źródła = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Wbudowany potencjał połączenia)/([Charge-e]*Dopingujące stężenie akceptora))

Współczynnik odchylenia podłoża

Iść Współczynnik odchylenia podłoża = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Dopingujące stężenie akceptora)/Pojemność tlenkowa

Równoważna pojemność złącza dużego sygnału

Iść Równoważna pojemność złącza dużego sygnału = Obwód ściany bocznej*Pojemność złącza ściany bocznej*Współczynnik równoważności napięcia ściany bocznej

Średnia moc rozproszona w danym okresie czasu

Iść Średnia moc = (1/Całkowity czas)*int(Napięcie*Aktualny,x,0,Całkowity zajęty czas)

Funkcja pracy w MOSFET-ie

Iść Funkcja pracy = Poziom próżni+(Poziom energii pasma przewodnictwa-Poziom Fermiego)

Pojemność złącza ściany bocznej o zerowym odchyleniu na jednostkę długości

Iść Pojemność złącza ściany bocznej = Potencjał zerowego odchylenia ściany bocznej*Głębokość ściany bocznej

Średnia moc rozproszona w danym okresie czasu Formułę

Średnia moc = (1/Całkowity czas)*int(Napięcie*Aktualny,x,0,Całkowity zajęty czas)
P_avg = (1/t_total)*int(V_t*i_t,x,0,t_total)

Dom

BEZPŁATNY pliki PDF

🔍 Szukaj

Kategorie

Dzielić

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!