Potência Média Dissipada ao Longo do Tempo Calculadora

✖O tempo total gasto é o tempo total que o corpo leva para cobrir esse espaço.ⓘ Tempo total gasto [t_total]			+10% -10%
✖A tensão representa a pressão elétrica que empurra a corrente elétrica através de um condutor.ⓘ Tensão [V_t]			+10% -10%
✖Corrente significa a taxa de fluxo de carga elétrica através de um condutor.ⓘ Atual [i_t]			+10% -10%
✖O tempo total gasto é o tempo total gasto pelo corpo para cobrir esse espaço.ⓘ Tempo Total Levado [t_total]			+10% -10%

✖Potência Média refere-se à taxa na qual a energia é transferida ou o trabalho é realizado, em média, durante um determinado período de tempo.ⓘ Potência Média Dissipada ao Longo do Tempo [P_avg]

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Fórmula

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Potência Média Dissipada ao Longo do Tempo

Fórmula

`"P"_{"avg"} = (1/"t"_{"total"})*int("V"_{"t"}*"i"_{"t"},x,0,"t"_{"total"})`

Exemplo

`"18.8215W"=(1/"80s")*int("4.565V"*"4.123A",x,0,"80s")`

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Potência Média Dissipada ao Longo do Tempo Solução

ETAPA 0: Resumo de pré-cálculo

Fórmula Usada

Potencia média = (1/Tempo total gasto)*int(Tensão*Atual,x,0,Tempo Total Levado)
P_avg = (1/t_total)*int(V_t*i_t,x,0,t_total)
Esta fórmula usa 1 Funções, 5 Variáveis

Funções usadas

int - A integral definida pode ser usada para calcular a área líquida sinalizada, que é a área acima do eixo x menos a área abaixo do eixo x., int(expr, arg, from, to)

Variáveis Usadas

Potencia média - (Medido em Watt) - Potência Média refere-se à taxa na qual a energia é transferida ou o trabalho é realizado, em média, durante um determinado período de tempo.
Tempo total gasto - (Medido em Segundo) - O tempo total gasto é o tempo total que o corpo leva para cobrir esse espaço.
Tensão - (Medido em Volt) - A tensão representa a pressão elétrica que empurra a corrente elétrica através de um condutor.
Atual - (Medido em Ampere) - Corrente significa a taxa de fluxo de carga elétrica através de um condutor.
Tempo Total Levado - (Medido em Segundo) - O tempo total gasto é o tempo total gasto pelo corpo para cobrir esse espaço.

ETAPA 1: Converter entrada (s) em unidade de base

Tempo total gasto: 80 Segundo --> 80 Segundo Nenhuma conversão necessária
Tensão: 4.565 Volt --> 4.565 Volt Nenhuma conversão necessária
Atual: 4.123 Ampere --> 4.123 Ampere Nenhuma conversão necessária
Tempo Total Levado: 80 Segundo --> 80 Segundo Nenhuma conversão necessária

ETAPA 2: Avalie a Fórmula

Substituindo valores de entrada na fórmula

P_avg = (1/t_total)*int(V_t*i_t,x,0,t_total) --> (1/80)*int(4.565*4.123,x,0,80)

Avaliando ... ...

P_avg = 18.821495

PASSO 3: Converta o Resultado em Unidade de Saída

18.821495 Watt --> Nenhuma conversão necessária

RESPOSTA FINAL

18.821495 ≈ 18.8215 Watt <-- Potencia média

(Cálculo concluído em 00.004 segundos)

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Créditos

Criado por Vignesh Naidu

Instituto Vellore de Tecnologia (VITA), Vellore, Tamil Nadu

Vignesh Naidu criou esta calculadora e mais 25+ calculadoras!

Verificado por Dipanjona Mallick

Instituto Patrimonial de Tecnologia (HITK), Calcutá

Dipanjona Mallick verificou esta calculadora e mais 50+ calculadoras!

< 21 Transistor MOS Calculadoras

Fator de equivalência de tensão na parede lateral

Vai Fator de equivalência de tensão na parede lateral = -(2*sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais)/(Tensão Final-Tensão Inicial)*(sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Final)-sqrt(Potencial integrado de junções de paredes laterais-Tensão Inicial)))

Puxar para baixo a corrente na região linear

Vai Corrente de redução da região linear = sum(x,0,Número de transistores de driver paralelo,(Mobilidade Eletrônica*Capacitância de Óxido/2)*(Largura de banda/Comprimento do canal)*(2*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão de limiar)*Voltagem de saída-Voltagem de saída^2))

Tensão do nó em determinada instância

Vai Tensão do nó em determinada instância = (Fator de Transcondutância/Capacitância do nó)*int(exp(-(1/(Resistência do nó*Capacitância do nó))*(Período de tempo-x))*Corrente fluindo para o nó*x,x,0,Período de tempo)

Puxe para baixo a corrente na região de saturação

Vai Corrente de redução da região de saturação = sum(x,0,Número de transistores de driver paralelo,(Mobilidade Eletrônica*Capacitância de Óxido/2)*(Largura de banda/Comprimento do canal)*(Tensão da Fonte da Porta-Tensão de limiar)^2)

Tempo de saturação

Vai Tempo de saturação = -2*Capacitância de Carga/(Parâmetro do Processo de Transcondutância*(Alta Tensão de Saída-Tensão de limiar)^2)*int(1,x,Alta Tensão de Saída,Alta Tensão de Saída-Tensão de limiar)

Corrente de drenagem que flui através do transistor MOS

Vai Corrente de drenagem = (Largura de banda/Comprimento do canal)*Mobilidade Eletrônica*Capacitância de Óxido*int((Tensão da Fonte da Porta-x-Tensão de limiar),x,0,Tensão da fonte de drenagem)

Densidade de Carga da Região de Esgotamento

Vai Densidade de Carga da Camada de Esgotamento = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentração de Dopagem do Aceitante*modulus(Potencial de Superfície-Potencial de Fermi em massa)))

Atraso de tempo quando o NMOS opera na região linear

Vai Região Linear em Atraso de Tempo = -2*Capacitância de Junção*int(1/(Parâmetro do Processo de Transcondutância*(2*(Tensão de entrada-Tensão de limiar)*x-x^2)),x,Tensão Inicial,Tensão Final)

Profundidade da região de esgotamento associada ao dreno

Vai Região de profundidade de esgotamento do dreno = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Potencial de junção integrado+Tensão da fonte de drenagem))/([Charge-e]*Concentração de Dopagem do Aceitante))

Corrente de drenagem na região de saturação no transistor MOS

Vai Corrente de drenagem da região de saturação = Largura de banda*Velocidade de deriva de elétrons de saturação*int(Carregar*Parâmetro de canal curto,x,0,Comprimento Efetivo do Canal)

Profundidade Máxima de Esgotamento

Vai Profundidade Máxima de Esgotamento = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Potencial de Fermi em massa))/([Charge-e]*Concentração de Dopagem do Aceitante))

Potencial de Fermi para tipo P

Vai Potencial de Fermi para tipo P = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentração Intrínseca de Portadores/Concentração de Dopagem do Aceitante)

Potencial de Fermi para tipo N

Vai Potencial de Fermi para tipo N = ([BoltZ]*Temperatura absoluta)/[Charge-e]*ln(Concentração de dopante doador/Concentração Intrínseca de Portadores)

Potencial integrado na região de esgotamento

Vai Tensão embutida = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentração de Dopagem do Aceitante*modulus(-2*Potencial de Fermi em massa)))

Capacitância equivalente de sinal grande

Vai Capacitância equivalente de sinal grande = (1/(Tensão Final-Tensão Inicial))*int(Capacitância de Junção*x,x,Tensão Inicial,Tensão Final)

Profundidade da região de esgotamento associada à fonte

Vai Região de profundidade de esgotamento da fonte = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Potencial de junção integrado)/([Charge-e]*Concentração de Dopagem do Aceitante))

Coeficiente de polarização do substrato

Vai Coeficiente de polarização do substrato = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentração de Dopagem do Aceitante)/Capacitância de Óxido

Capacitância equivalente de junção de sinal grande

Vai Capacitância equivalente de junção de sinal grande = Perímetro da parede lateral*Capacitância de Junção Lateral*Fator de equivalência de tensão na parede lateral

Potência Média Dissipada ao Longo do Tempo

Vai Potencia média = (1/Tempo total gasto)*int(Tensão*Atual,x,0,Tempo Total Levado)

Capacitância da junção da parede lateral com polarização zero por unidade de comprimento

Vai Capacitância de Junção Lateral = Potencial de junção da parede lateral com polarização zero*Profundidade da parede lateral

Função de trabalho no MOSFET

Vai Função no trabalho = Nível de vácuo+(Nível de energia da banda de condução-Nível Fermi)

Potência Média Dissipada ao Longo do Tempo Fórmula

Potencia média = (1/Tempo total gasto)*int(Tensão*Atual,x,0,Tempo Total Levado)
P_avg = (1/t_total)*int(V_t*i_t,x,0,t_total)

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