Средняя мощность, рассеиваемая за период времени Калькулятор

✖Общее затраченное время — это общее время, затраченное телом на преодоление этого пространства.ⓘ Общее затраченное время [t_total]			+10% -10%
✖Напряжение представляет собой электрическое давление, которое проталкивает электрический ток через проводник.ⓘ Напряжение [V_t]			+10% -10%
✖Ток означает скорость прохождения электрического заряда через проводник.ⓘ Текущий [i_t]			+10% -10%
✖Общее время, затраченное телом, — это общее время, затрачиваемое телом на преодоление этого пространства.ⓘ Общее затраченное время [t_total]			+10% -10%

✖Средняя мощность означает скорость, с которой передается энергия или совершается работа в среднем за определенный период времени.ⓘ Средняя мощность, рассеиваемая за период времени [P_avg]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Средняя мощность, рассеиваемая за период времени

Формула

`"P"_{"avg"} = (1/"t"_{"total"})*int("V"_{"t"}*"i"_{"t"},x,0,"t"_{"total"})`

Пример

`"18.8215W"=(1/"80s")*int("4.565V"*"4.123A",x,0,"80s")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Средняя мощность, рассеиваемая за период времени Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Средняя мощность = (1/Общее затраченное время)*int(Напряжение*Текущий,x,0,Общее затраченное время)
P_avg = (1/t_total)*int(V_t*i_t,x,0,t_total)
В этой формуле используются 1 Функции, 5 Переменные

Используемые функции

int - Определенный интеграл можно использовать для расчета чистой площади со знаком, которая представляет собой площадь над осью x минус площадь под осью x., int(expr, arg, from, to)

Используемые переменные

Средняя мощность - (Измеряется в Ватт) - Средняя мощность означает скорость, с которой передается энергия или совершается работа в среднем за определенный период времени.
Общее затраченное время - (Измеряется в Второй) - Общее затраченное время — это общее время, затраченное телом на преодоление этого пространства.
Напряжение - (Измеряется в вольт) - Напряжение представляет собой электрическое давление, которое проталкивает электрический ток через проводник.
Текущий - (Измеряется в Ампер) - Ток означает скорость прохождения электрического заряда через проводник.
Общее затраченное время - (Измеряется в Второй) - Общее время, затраченное телом, — это общее время, затрачиваемое телом на преодоление этого пространства.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Общее затраченное время: 80 Второй --> 80 Второй Конверсия не требуется
Напряжение: 4.565 вольт --> 4.565 вольт Конверсия не требуется
Текущий: 4.123 Ампер --> 4.123 Ампер Конверсия не требуется
Общее затраченное время: 80 Второй --> 80 Второй Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

P_avg = (1/t_total)*int(V_t*i_t,x,0,t_total) --> (1/80)*int(4.565*4.123,x,0,80)

Оценка ... ...

P_avg = 18.821495

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

18.821495 Ватт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

18.821495 ≈ 18.8215 Ватт <-- Средняя мощность

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » МОП-транзистор » Средняя мощность, рассеиваемая за период времени

Кредиты

Сделано Винеш Найду

Технологический институт Веллора (ВИТ), Веллор, Тамил Наду

Винеш Найду создал этот калькулятор и еще 25+!

Проверено Дипанхона Маллик

Технологический институт наследия (ХИТК), Калькутта

Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 21 МОП-транзистор Калькуляторы

Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке

Идти Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке = -(2*sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок)/(Конечное напряжение-Начальное напряжение)*(sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Конечное напряжение)-sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Начальное напряжение)))

Понизьте ток в линейной области

Идти Линейный регион Понижающий ток = sum(x,0,Количество транзисторов параллельного управления,(Электронная подвижность*Оксидная емкость/2)*(ширина канала/Длина канала)*(2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)*Выходное напряжение-Выходное напряжение^2))

Уменьшите ток в области насыщения

Идти Область насыщения Понижающий ток = sum(x,0,Количество транзисторов параллельного управления,(Электронная подвижность*Оксидная емкость/2)*(ширина канала/Длина канала)*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)^2)

Напряжение узла в данном случае

Идти Напряжение узла в данном случае = (Фактор крутизны/Емкость узла)*int(exp(-(1/(Сопротивление узла*Емкость узла))*(Временной период-x))*Ток, текущий в узел*x,x,0,Временной период)

Время насыщения

Идти Время насыщения = -2*Емкость нагрузки/(Параметр процесса крутизны*(Высокое выходное напряжение-Пороговое напряжение)^2)*int(1,x,Высокое выходное напряжение,Высокое выходное напряжение-Пороговое напряжение)

Ток стока, протекающий через МОП-транзистор

Идти Ток стока = (ширина канала/Длина канала)*Электронная подвижность*Оксидная емкость*int((Напряжение источника затвора-x-Пороговое напряжение),x,0,Напряжение источника стока)

Временная задержка, когда NMOS работает в линейной области

Идти Линейная область во временной задержке = -2*Емкость перехода*int(1/(Параметр процесса крутизны*(2*(Входное напряжение-Пороговое напряжение)*x-x^2)),x,Начальное напряжение,Конечное напряжение)

Плотность заряда области истощения

Идти Плотность заряда слоя истощения = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Легирующая концентрация акцептора*modulus(Поверхностный потенциал-Объемный потенциал Ферми)))

Глубина истощения региона, связанного с дренажом

Идти Область истощения стока = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Встроенный потенциал соединения+Напряжение источника стока))/([Charge-e]*Легирующая концентрация акцептора))

Потенциал Ферми для N-типа

Идти Потенциал Ферми для N-типа = ([BoltZ]*Абсолютная температура)/[Charge-e]*ln(Концентрация донорской легирующей примеси/Собственная концентрация носителей)

Эквивалентная большая сигнальная емкость

Идти Эквивалентная большая сигнальная емкость = (1/(Конечное напряжение-Начальное напряжение))*int(Емкость перехода*x,x,Начальное напряжение,Конечное напряжение)

Максимальная глубина истощения

Идти Максимальная глубина истощения = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Объемный потенциал Ферми))/([Charge-e]*Легирующая концентрация акцептора))

Ток стока в области насыщения МОП-транзистора

Идти Ток стока области насыщения = ширина канала*Скорость дрейфа электронов насыщения*int(Обвинение*Параметр короткого канала,x,0,Эффективная длина канала)

Потенциал Ферми для типа P

Идти Потенциал Ферми для типа P = ([BoltZ]*Абсолютная температура)/[Charge-e]*ln(Собственная концентрация носителей/Легирующая концентрация акцептора)

Заложенный потенциал в регионе истощения

Идти Встроенное напряжение = -(sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Легирующая концентрация акцептора*modulus(-2*Объемный потенциал Ферми)))

Глубина истощения Регион, связанный с источником

Идти Регион глубины истощения источника = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*Встроенный потенциал соединения)/([Charge-e]*Легирующая концентрация акцептора))

Коэффициент смещения подложки

Идти Коэффициент смещения подложки = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Легирующая концентрация акцептора)/Оксидная емкость

Эквивалентная большая емкость сигнального перехода

Идти Эквивалентная большая емкость сигнального перехода = Периметр боковой стенки*Емкость бокового перехода*Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке

Средняя мощность, рассеиваемая за период времени

Идти Средняя мощность = (1/Общее затраченное время)*int(Напряжение*Текущий,x,0,Общее затраченное время)

Рабочая функция в MOSFET

Идти Рабочая функция = Уровень вакуума+(Уровень энергии зоны проводимости-Уровень Ферми)

Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины

Идти Емкость бокового перехода = Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением*Глубина боковины

Средняя мощность, рассеиваемая за период времени формула

Средняя мощность = (1/Общее затраченное время)*int(Напряжение*Текущий,x,0,Общее затраченное время)
P_avg = (1/t_total)*int(V_t*i_t,x,0,t_total)

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!